20世紀(jì)50年代,，電力電子器件主要是汞弧閘流管和大功率電子管,。60年代發(fā)展起來的晶閘管，因其工作可靠,、壽命長,、體積小、開關(guān)速度快,，而在電力電子電路中得到廣fan應(yīng)用,。70年代初期，已逐步取代了汞弧閘流管,。80年代,，普通晶閘管的開關(guān)電流已達(dá)數(shù)千安，能承受的正,、反向工作電壓達(dá)數(shù)千伏,。在此基礎(chǔ)上，為適應(yīng)電力電子技術(shù)發(fā)展的需要,，又開發(fā)出門極可關(guān)斷晶閘管、雙向晶閘管,、光控晶閘管,、逆導(dǎo)晶閘管等一系列派生器件，以及單極型MOS功率場效應(yīng)晶體管,、雙極型功率晶體管,、靜電感應(yīng)晶閘管、功能組合模塊和功率集成電路等新型電力電子器件,。按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類,。江陰關(guān)于電子元件銷售網(wǎng)上價格

電力二極管：結(jié)構(gòu)和原理簡單，工作可靠,； 晶閘管：承受電壓和電流容量在所有器件中*高 IGBT：開關(guān)速度高,，開關(guān)損耗小，具有耐脈沖電流沖擊的能力,，通態(tài)壓降較低,，輸入阻抗高，為電壓驅(qū)動,，驅(qū)動功率?。蝗秉c(diǎn)：開關(guān)速度低于電力MOSFET,電壓,，電流容量不及GTO GTR：耐壓高,，電流大，開關(guān)特性好,，通流能力強(qiáng),，飽和壓降低,；缺點(diǎn)：開關(guān)速度低，為電流驅(qū)動,，所需驅(qū)動功率大,，驅(qū)動電路復(fù)雜，存在二次擊穿問題 GTO：電壓,、電流容量大,，適用于大功率場合，具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),，其通流能力很強(qiáng),；缺點(diǎn)：電流關(guān)斷增益很小，關(guān)斷時門極負(fù)脈沖電流大,，開關(guān)速度低,，驅(qū)動功率大，驅(qū)動電路復(fù)雜,，開關(guān)頻率低 電力MOSFET：開關(guān)速度快,，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好,，所需驅(qū)動功率小且驅(qū)動電路簡單,，工作頻率高，不存在二次擊穿問題,；缺點(diǎn)：電流容量小,，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置,。 制約因素：耐壓,，電流容量，開關(guān)的速度新北區(qū)好的電子元件銷售生產(chǎn)廠家電力電子器件就好像現(xiàn)代電力電子裝置的心臟,。

電力電子器件正沿著大功率化,、高頻化、集成化的方向發(fā)展,。80年代晶閘管的電流容量已達(dá)6000安,，阻斷電壓高達(dá)6500伏。但這類器件工作頻率較低,。提高其工作頻率,，取決于器件關(guān)斷期間如何加快基區(qū)少數(shù)載流子(簡稱少子)的復(fù)合速度和經(jīng)門極抽取更多的載流子。降低少子壽命雖能有效地縮短關(guān)斷電流的過程,，卻導(dǎo)致器件導(dǎo)通期正向壓降的增加,。因此必須兼顧轉(zhuǎn)換速度和器件通態(tài)功率損耗的要求。80年代這類器件的*高工作頻率在 10千赫以下。雙極型大功率晶體管可以在100千赫頻率下工作,，其控制電流容量已達(dá)數(shù)百安,，阻斷電壓1千多伏,但維持通態(tài)比其他功率可控器件需要更大的基極驅(qū)動電流。由于存在熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象,，限制它的抗浪涌能力,。

事實(shí)表明，無論是電力,、機(jī)械,、礦冶、交通,、石油,、能源、化工,、輕紡等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè),，還是通信、激光,、機(jī)器人,、環(huán)保、原子能,、航天等高技術(shù)產(chǎn)業(yè),，都迫切需要高質(zhì)量、高效率的電能,。而電力電子正是將各種一次能源高效率地變?yōu)槿藗兯璧碾娔埽瑢?shí)現(xiàn)節(jié)能環(huán)保和提高人民生活質(zhì)量的重要手段,，它已經(jīng)成為弱電控制與強(qiáng)電運(yùn)行之間,、信息技術(shù)與先進(jìn)制造技術(shù)之間、傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)自動化,、智能化改造和興建高科技產(chǎn)業(yè)之間不可缺少的重要橋梁,。而新型電力電子器件的出現(xiàn)，總是帶來一場電力電子技術(shù)的**,。電力電子器件就好像現(xiàn)代電力電子裝置的心臟,，它對裝置的總價值，尺寸,、重量,、動態(tài)性能，過載能力,，耐用性及可靠性等,，起著十分重要的作用。80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場效應(yīng)晶體管和功率集成電路的工作頻率達(dá)到兆赫級,。

單個電力電子器件能承受的正,、反向電壓是一定的,，能通過的電流大小也是一定的。因此,，由單個電力電子器件組成的電力電子裝置容量受到限制,。所以，在實(shí)用中多用幾個電力電子器件串聯(lián)或并聯(lián)形成組件,，其耐壓和通流的能力可以成倍地提高,，從而可極大地增加電力電子裝置的容量。器件串聯(lián)時,，希望各元件能承受同樣的正,、反向電壓；并聯(lián)時則希望各元件能分擔(dān)同樣的電流,。但由于器件的個異性,，串、并聯(lián)時,，各器件并不能完全均勻地分擔(dān)電壓和電流,。所以，在電力電子器件串聯(lián)時,，要采取均壓措施,；在并聯(lián)時，要采取均流措施,。 電力電子器件工作時,，會因功率損耗引起器件發(fā)熱、升溫,。器件溫度過高將縮短壽命,，甚至燒毀，這是限制電力電子器件電流,、電壓容量的主要原因,。為此，必須考慮器件的冷卻問題,。常用冷卻方式有自冷式,、風(fēng)冷式、液冷式(包括油冷式,、水冷式)和蒸發(fā)冷卻式等,。各種電力電子器件均具有導(dǎo)通和阻斷兩種工作特性。無錫質(zhì)量電子元件銷售推薦貨源

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80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場效應(yīng)晶體管和功率集成電路的工作頻率達(dá)到兆赫級。集成電路的技術(shù)促進(jìn)了器件的小型化和功能化,。這些新成就為發(fā)展高頻電力電子技術(shù)提供了條件,，推動電力電子裝置朝著智能化、高頻化的方向發(fā)展,。 80年代發(fā)展起來的靜電感應(yīng)晶閘管,、隔離柵晶體管，以及各種組合器件,，綜合了晶閘管,、 MOS功率場效應(yīng)晶體管和功率晶體管各自的優(yōu)點(diǎn)，在性能上又有新的發(fā)展,。例如隔離柵晶體管,既具有MOS功率場效應(yīng)晶體管的柵控特性,，又具有雙極型功率晶體管的電流傳導(dǎo)性能，它容許的電流密度比雙極型功率晶體管高幾倍,。靜電感應(yīng)晶閘管保存了晶閘管導(dǎo)通壓降低的優(yōu)點(diǎn),，結(jié)構(gòu)上避免了一般晶閘管在門極觸發(fā)時必須在門極周圍先導(dǎo)通然后逐步橫向擴(kuò)展的過程，所以比一般晶閘管有更高的開關(guān)速度,，而且容許的結(jié)溫升也比普通晶閘管高,。這些新器件，在更高的頻率范圍內(nèi)滿足了電力電子技術(shù)的要求,。江陰關(guān)于電子元件銷售網(wǎng)上價格

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