功率集成電路指在一個(gè)芯片上把多個(gè)器件及其控制電路集he在一起,。其制造工藝既概括了第yi代功率電子器件向大電流、高電壓發(fā)展過(guò)程中所積累起來(lái)的各種經(jīng)驗(yàn),，又綜合了大規(guī)模集成電路的工藝特點(diǎn),。這種器件由于很大程度地縮小了器件及其控制電路的體積，因而能夠有效地減少當(dāng)器件處于高頻工作狀態(tài)時(shí)寄生參數(shù)的影響,，這對(duì)提高電路工作頻率和抑zhi外界干擾十分重要。 近期進(jìn)展：2014年,，美國(guó)奧巴馬政fu連同企業(yè)一道投資1.4億美元在NCSU成立The Next Generation Power Electronics Institute,，發(fā)展新一代寬禁帶電力半導(dǎo)體器件。電子元件的元件分類(lèi)：端子與連接器,。無(wú)錫是什么電子器件銷(xiāo)售均價(jià)

電力二極管：結(jié)構(gòu)和原理簡(jiǎn)單，工作可靠,； 晶閘管：承受電壓和電流容量在所有器件中*高 IGBT：開(kāi)關(guān)速度高，開(kāi)關(guān)損耗小,，具有耐脈沖電流沖擊的能力,，通態(tài)壓降較低,，輸入阻抗高，為電壓驅(qū)動(dòng),，驅(qū)動(dòng)功率小,；缺點(diǎn)：開(kāi)關(guān)速度低于電力MOSFET,電壓,，電流容量不及GTO GTR：耐壓高,，電流大,，開(kāi)關(guān)特性好，通流能力強(qiáng),，飽和壓降低；缺點(diǎn)：開(kāi)關(guān)速度低,，為電流驅(qū)動(dòng),，所需驅(qū)動(dòng)功率大,，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜,，存在二次擊穿問(wèn)題 GTO：電壓、電流容量大,，適用于大功率場(chǎng)合，具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),，其通流能力很強(qiáng),；缺點(diǎn)：電流關(guān)斷增益很小,，關(guān)斷時(shí)門(mén)極負(fù)脈沖電流大,，開(kāi)關(guān)速度低，驅(qū)動(dòng)功率大,，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，開(kāi)關(guān)頻率低 電力MOSFET：開(kāi)關(guān)速度快,，輸入阻抗高,，熱穩(wěn)定性好,，所需驅(qū)動(dòng)功率小且驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，工作頻率高,，不存在二次擊穿問(wèn)題,；缺點(diǎn)：電流容量小，耐壓低,，一般只適用于功率不超過(guò)10kW的電力電子裝置,。 制約因素：耐壓，電流容量,，開(kāi)關(guān)的速度江陰技巧電子器件銷(xiāo)售推薦貨源功率集成電路指在一個(gè)芯片上把多個(gè)器件及其控制電路集he在一起,。

電子元件是電子電路中的基本元素，通常是個(gè)別封裝,，并具有兩個(gè)或以上的引線或金屬接點(diǎn),。電子元件須相互連接以構(gòu)成一個(gè)具有特定功能的電子電路，例如：放大器,、無(wú)線電接收機(jī),、振蕩器等,，連接電子元件常見(jiàn)的方式之一是焊接到印刷電路板上。電子元件也許是單獨(dú)的封裝（電阻器,、電容器,、電感器,、晶體管,、二極管等）,，或是各種不同復(fù)雜度的群組,，例如：集成電路（運(yùn)算放大器,、排阻,、邏輯門(mén)等）。 電子器件是指在真空,、氣體或固體中,，利用和控制電子運(yùn)動(dòng)規(guī)律而制成的器件。分為電真空器件,、充氣管器件和固態(tài)電子器件,。在模擬電路中作整流、放大,、調(diào)制,、振蕩、變頻,、鎖相,、控制、相關(guān)等作用,；在數(shù)字電路中作采樣,、限幅,、邏輯、存儲(chǔ),、計(jì)數(shù),、延遲等用。充氣管器件主要作整流,、穩(wěn)壓和顯示之用,。固態(tài)電子器件如集成電路。

從60年代到70年代初期,，以半控型普通晶閘管為dai表的電力電子器件,，主要用于相控電路,。這些電路十分廣fan地用在電解、電鍍,、直流電機(jī)傳動(dòng),、發(fā)電機(jī)勵(lì)磁等整流裝置中，與傳統(tǒng)的汞弧整流裝置相比,，不jin體積小,、工作可靠，而且取得了十分明顯的節(jié)能效果（一般可節(jié)電10～40%,，從中國(guó)的實(shí)際看,，因風(fēng)機(jī)和泵類(lèi)負(fù)載約占全國(guó)用電量的1/3，若采用交流電動(dòng)機(jī)調(diào)速傳動(dòng), 可平均節(jié)電20%以上,，每年可節(jié)電400億千瓦時(shí)）,因此電力電子技術(shù)的發(fā)展也越來(lái)越受到人們的重視,。70年代中期出現(xiàn)的全控型可關(guān)斷晶閘管和功率晶體管,開(kāi)關(guān)速度快,控制簡(jiǎn)單，逆導(dǎo)可關(guān)斷晶閘管更兼容了可關(guān)斷晶閘管和快速整流二極管的功能,。它們把電力電子技術(shù)的應(yīng)用推進(jìn)到了以逆變,、斬波為中心內(nèi)容的新領(lǐng)域。這些器件已普遍應(yīng)用于變頻調(diào)速,、開(kāi)關(guān)電源,、靜止變頻等電力電子裝置中。電力電子器件的優(yōu)缺點(diǎn),。

單個(gè)電力電子器件能承受的正,、反向電壓是一定的，能通過(guò)的電流大小也是一定的,。因此,，由單個(gè)電力電子器件組成的電力電子裝置容量受到限制。所以,，在實(shí)用中多用幾個(gè)電力電子器件串聯(lián)或并聯(lián)形成組件,，其耐壓和通流的能力可以成倍地提高，從而可極大地增加電力電子裝置的容量,。器件串聯(lián)時(shí),，希望各元件能承受同樣的正、反向電壓,；并聯(lián)時(shí)則希望各元件能分擔(dān)同樣的電流,。但由于器件的個(gè)異性，串,、并聯(lián)時(shí)，各器件并不能完全均勻地分擔(dān)電壓和電流,。所以,，在電力電子器件串聯(lián)時(shí),，要采取均壓措施；在并聯(lián)時(shí),，要采取均流措施,。 電力電子器件工作時(shí)，會(huì)因功率損耗引起器件發(fā)熱,、升溫,。器件溫度過(guò)高將縮短壽命，甚至燒毀,，這是限制電力電子器件電流,、電壓容量的主要原因。為此,，必須考慮器件的冷卻問(wèn)題,。常用冷卻方式有自冷式、風(fēng)冷式,、液冷式(包括油冷式,、水冷式)和蒸發(fā)冷卻式等。80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和功率集成電路的工作頻率達(dá)到兆赫級(jí),。宜興技巧電子器件銷(xiāo)售歡迎來(lái)電

電力電子器件正沿著大功率化,、高頻化、集成化的方向發(fā)展,。無(wú)錫是什么電子器件銷(xiāo)售均價(jià)

80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和功率集成電路的工作頻率達(dá)到兆赫級(jí),。集成電路的技術(shù)促進(jìn)了器件的小型化和功能化。這些新成就為發(fā)展高頻電力電子技術(shù)提供了條件,，推動(dòng)電力電子裝置朝著智能化,、高頻化的方向發(fā)展。 80年代發(fā)展起來(lái)的靜電感應(yīng)晶閘管,、隔離柵晶體管,，以及各種組合器件，綜合了晶閘管,、 MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和功率晶體管各自的優(yōu)點(diǎn),，在性能上又有新的發(fā)展。例如隔離柵晶體管,既具有MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵控特性,，又具有雙極型功率晶體管的電流傳導(dǎo)性能,，它容許的電流密度比雙極型功率晶體管高幾倍。靜電感應(yīng)晶閘管保存了晶閘管導(dǎo)通壓降低的優(yōu)點(diǎn),，結(jié)構(gòu)上避免了一般晶閘管在門(mén)極觸發(fā)時(shí)必須在門(mén)極周?chē)葘?dǎo)通然后逐步橫向擴(kuò)展的過(guò)程,，所以比一般晶閘管有更高的開(kāi)關(guān)速度，而且容許的結(jié)溫升也比普通晶閘管高,。這些新器件,，在更高的頻率范圍內(nèi)滿足了電力電子技術(shù)的要求,。無(wú)錫是什么電子器件銷(xiāo)售均價(jià)

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