80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場效應晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級,。集成電路的技術(shù)促進了器件的小型化和功能化,。這些新成就為發(fā)展高頻電力電子技術(shù)提供了條件，推動電力電子裝置朝著智能化、高頻化的方向發(fā)展,。 80年代發(fā)展起來的靜電感應晶閘管,、隔離柵晶體管,，以及各種組合器件,，綜合了晶閘管、 MOS功率場效應晶體管和功率晶體管各自的優(yōu)點,，在性能上又有新的發(fā)展,。例如隔離柵晶體管,既具有MOS功率場效應晶體管的柵控特性，又具有雙極型功率晶體管的電流傳導性能,，它容許的電流密度比雙極型功率晶體管高幾倍,。靜電感應晶閘管保存了晶閘管導通壓降低的優(yōu)點，結(jié)構(gòu)上避免了一般晶閘管在門極觸發(fā)時必須在門極周圍先導通然后逐步橫向擴展的過程,，所以比一般晶閘管有更高的開關(guān)速度,，而且容許的結(jié)溫升也比普通晶閘管高。這些新器件,，在更高的頻率范圍內(nèi)滿足了電力電子技術(shù)的要求,。電力電子器件正沿著大功率化,、高頻化、集成化的方向發(fā)展,。鐘樓區(qū)好的電子器件銷售推薦貨源

按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類： 1.半控型器件,，例如晶閘管,； 2.全控型器件,，例如GTO（門極可關(guān)斷晶閘管）、GTR（電力晶體管）,，Power MOSFET（電力場效應晶體管）,、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）； 3.不可控器件,，例如電力二極管,。 按照驅(qū)動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號的性質(zhì)分類： 1.電壓驅(qū)動型器件，例如IGBT,、Power MOSFET,、SITH（靜電感應晶閘管）； 2.電流驅(qū)動型器件,，例如晶閘管,、GTO、GTR,。 根據(jù)驅(qū)動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號波形分類： 1.脈沖觸發(fā)型,，例如晶閘管、GTO,； 2.電子控制型,，例如GTR、PowerMOSFET,、IGBT,。 按照電力電子器件內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導電的情況分類： 1.雙極型器件，例如電力二極管,、晶閘管,、GTO、GTR,； 2.單極型器件,，例如PowerMOSFET、SIT,、肖特基勢壘二極管,； 3.復合型器件，例如MCT（MOS控制晶閘管）,、IGBT,、SITH和IGCT,。金壇區(qū)口碑好的電子器件銷售值得推薦電力電子器件的優(yōu)缺點。

單個電力電子器件能承受的正,、反向電壓是一定的,，能通過的電流大小也是一定的。因此,，由單個電力電子器件組成的電力電子裝置容量受到限制,。所以，在實用中多用幾個電力電子器件串聯(lián)或并聯(lián)形成組件,，其耐壓和通流的能力可以成倍地提高,，從而可極大地增加電力電子裝置的容量。器件串聯(lián)時,，希望各元件能承受同樣的正,、反向電壓；并聯(lián)時則希望各元件能分擔同樣的電流,。但由于器件的個異性,，串、并聯(lián)時,，各器件并不能完全均勻地分擔電壓和電流,。所以，在電力電子器件串聯(lián)時,，要采取均壓措施,；在并聯(lián)時，要采取均流措施,。 電力電子器件工作時,，會因功率損耗引起器件發(fā)熱、升溫,。器件溫度過高將縮短壽命,，甚至燒毀，這是限制電力電子器件電流,、電壓容量的主要原因,。為此，必須考慮器件的冷卻問題,。常用冷卻方式有自冷式,、風冷式、液冷式(包括油冷式,、水冷式)和蒸發(fā)冷卻式等,。

電力二極管：結(jié)構(gòu)和原理簡單，工作可靠,； 晶閘管：承受電壓和電流容量在所有器件中*高 IGBT：開關(guān)速度高,，開關(guān)損耗小,，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態(tài)壓降較低,，輸入阻抗高,，為電壓驅(qū)動，驅(qū)動功率??；缺點：開關(guān)速度低于電力MOSFET,電壓，電流容量不及GTO GTR：耐壓高,，電流大,，開關(guān)特性好,，通流能力強,，飽和壓降低；缺點：開關(guān)速度低,，為電流驅(qū)動,，所需驅(qū)動功率大，驅(qū)動電路復雜,，存在二次擊穿問題 GTO：電壓,、電流容量大，適用于大功率場合,，具有電導調(diào)制效應,，其通流能力很強；缺點：電流關(guān)斷增益很小,，關(guān)斷時門極負脈沖電流大,，開關(guān)速度低，驅(qū)動功率大,，驅(qū)動電路復雜,，開關(guān)頻率低 電力MOSFET：開關(guān)速度快，輸入阻抗高,，熱穩(wěn)定性好,，所需驅(qū)動功率小且驅(qū)動電路簡單，工作頻率高,，不存在二次擊穿問題,；缺點：電流容量小，耐壓低,，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置,。 制約因素：耐壓，電流容量,，開關(guān)的速度80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場效應晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級,。

各種電力電子器件均具有導通和阻斷兩種工作特性,。功率二極管是二端(陰極和陽極)器件，其器件電流由伏安特性決定,，除了改變加在二端間的電壓外,，無法控制其陽極電流，故稱不可控器件,。普通晶閘管是三端器件,，其門極信號能控制元件的導通，但不能控制其關(guān)斷,，稱半控型器件,。可關(guān)斷晶閘管,、功率晶體管等器件,，其門極信號既能控制器件的導通，又能控制其關(guān)斷,，稱全控型器件,。后兩類器件控制靈活，電路簡單,，開關(guān)速度快,，廣fan應用于整流、逆變,、斬波電路中,，是電動機調(diào)速、發(fā)電機勵磁,、感應加熱,、電鍍、電解電源,、直接輸電等電力電子裝置中的核xin部件,。這些器件構(gòu)成裝置不jin體積小、工作可靠,，而且節(jié)能效果十分明顯(一般可節(jié)電10%～40%),。20世紀50年代，電力電子器件主要是汞弧閘流管和大功率電子管,。溧陽科技化電子器件銷售值得推薦

功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè),。鐘樓區(qū)好的電子器件銷售推薦貨源

功率集成電路指在一個芯片上把多個器件及其控制電路集he在一起。其制造工藝既概括了第yi代功率電子器件向大電流,、高電壓發(fā)展過程中所積累起來的各種經(jīng)驗,，又綜合了大規(guī)模集成電路的工藝特點。這種器件由于很大程度地縮小了器件及其控制電路的體積,，因而能夠有效地減少當器件處于高頻工作狀態(tài)時寄生參數(shù)的影響,，這對提高電路工作頻率和抑zhi外界干擾十分重要,。 近期進展：2014年，美國奧巴馬政fu連同企業(yè)一道投資1.4億美元在NCSU成立The Next Generation Power Electronics Institute,，發(fā)展新一代寬禁帶電力半導體器件,。鐘樓區(qū)好的電子器件銷售推薦貨源

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