20世紀50年代,，電力電子器件主要是汞弧閘流管和大功率電子管,。60年代發(fā)展起來的晶閘管,，因其工作可靠,、壽命長,、體積小,、開關速度快,，而在電力電子電路中得到廣fan應用,。70年代初期,，已逐步取代了汞弧閘流管,。80年代，普通晶閘管的開關電流已達數(shù)千安,，能承受的正,、反向工作電壓達數(shù)千伏。在此基礎上,，為適應電力電子技術發(fā)展的需要,，又開發(fā)出門極可關斷晶閘管、雙向晶閘管,、光控晶閘管,、逆導晶閘管等一系列派生器件，以及單極型MOS功率場效應晶體管,、雙極型功率晶體管,、靜電感應晶閘管、功能組合模塊和功率集成電路等新型電力電子器件,。電力電子器件就好像現(xiàn)代電力電子裝置的心臟,。江陰好的電子元器件價格
按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類： 1.半控型器件，例如晶閘管,； 2.全控型器件,，例如GTO（門極可關斷晶閘管）、GTR（電力晶體管）,，Power MOSFET（電力場效應晶體管）,、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）； 3.不可控器件，例如電力二極管,。 按照驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號的性質(zhì)分類： 1.電壓驅動型器件,，例如IGBT、Power MOSFET,、SITH（靜電感應晶閘管）,； 2.電流驅動型器件，例如晶閘管,、GTO,、GTR。 根據(jù)驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號波形分類： 1.脈沖觸發(fā)型,，例如晶閘管,、GTO； 2.電子控制型,，例如GTR,、PowerMOSFET、IGBT,。 按照電力電子器件內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導電的情況分類： 1.雙極型器件,，例如電力二極管、晶閘管,、GTO,、GTR； 2.單極型器件,，例如PowerMOSFET,、SIT、肖特基勢壘二極管,； 3.復合型器件，例如MCT（MOS控制晶閘管）,、IGBT,、SITH和IGCT?；萆絽^(qū)科技化電子元器件單個電力電子器件能承受的正,、反向電壓是一定的，能通過的電流大小也是一定的,。
單個電力電子器件能承受的正,、反向電壓是一定的，能通過的電流大小也是一定的,。因此,，由單個電力電子器件組成的電力電子裝置容量受到限制。所以，在實用中多用幾個電力電子器件串聯(lián)或并聯(lián)形成組件,，其耐壓和通流的能力可以成倍地提高,，從而可極大地增加電力電子裝置的容量。器件串聯(lián)時,，希望各元件能承受同樣的正,、反向電壓；并聯(lián)時則希望各元件能分擔同樣的電流,。但由于器件的個異性,，串、并聯(lián)時,，各器件并不能完全均勻地分擔電壓和電流,。所以，在電力電子器件串聯(lián)時,，要采取均壓措施,；在并聯(lián)時，要采取均流措施,。 電力電子器件工作時,，會因功率損耗引起器件發(fā)熱、升溫,。器件溫度過高將縮短壽命,，甚至燒毀，這是限制電力電子器件電流,、電壓容量的主要原因,。為此，必須考慮器件的冷卻問題,。常用冷卻方式有自冷式,、風冷式、液冷式(包括油冷式,、水冷式)和蒸發(fā)冷卻式等,。
80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場效應晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級。集成電路的技術促進了器件的小型化和功能化,。這些新成就為發(fā)展高頻電力電子技術提供了條件,，推動電力電子裝置朝著智能化、高頻化的方向發(fā)展,。 80年代發(fā)展起來的靜電感應晶閘管,、隔離柵晶體管，以及各種組合器件,，綜合了晶閘管,、 MOS功率場效應晶體管和功率晶體管各自的優(yōu)點，在性能上又有新的發(fā)展。例如隔離柵晶體管,既具有MOS功率場效應晶體管的柵控特性,，又具有雙極型功率晶體管的電流傳導性能,，它容許的電流密度比雙極型功率晶體管高幾倍。靜電感應晶閘管保存了晶閘管導通壓降低的優(yōu)點,，結構上避免了一般晶閘管在門極觸發(fā)時必須在門極周圍先導通然后逐步橫向擴展的過程,，所以比一般晶閘管有更高的開關速度，而且容許的結溫升也比普通晶閘管高,。這些新器件,，在更高的頻率范圍內(nèi)滿足了電力電子技術的要求。電子元件是電子電路中的基本元素,。
電力二極管：結構和原理簡單,，工作可靠； 晶閘管：承受電壓和電流容量在所有器件中*高 IGBT：開關速度高,，開關損耗小,，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態(tài)壓降較低,，輸入阻抗高,，為電壓驅動，驅動功率??；缺點：開關速度低于電力MOSFET,電壓，電流容量不及GTO GTR：耐壓高,，電流大,，開關特性好，通流能力強,，飽和壓降低,；缺點：開關速度低，為電流驅動,，所需驅動功率大,，驅動電路復雜，存在二次擊穿問題 GTO：電壓,、電流容量大，適用于大功率場合,，具有電導調(diào)制效應,，其通流能力很強；缺點：電流關斷增益很小,，關斷時門極負脈沖電流大,，開關速度低，驅動功率大，驅動電路復雜,，開關頻率低 電力MOSFET：開關速度快,，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好,，所需驅動功率小且驅動電路簡單,，工作頻率高，不存在二次擊穿問題,；缺點：電流容量小,，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置,。 制約因素：耐壓,，電流容量，開關的速度從60年代到70年代初期,，以半控型普通晶閘管為dai表的電力電子器件,，主要用于相控電路。新北區(qū)科技化電子元器件均價
功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè),。江陰好的電子元器件價格
從60年代到70年代初期,，以半控型普通晶閘管為dai表的電力電子器件，主要用于相控電路,。這些電路十分廣fan地用在電解,、電鍍、直流電機傳動,、發(fā)電機勵磁等整流裝置中,，與傳統(tǒng)的汞弧整流裝置相比，不jin體積小,、工作可靠,，而且取得了十分明顯的節(jié)能效果（一般可節(jié)電10～40%，從中國的實際看,，因風機和泵類負載約占全國用電量的1/3,，若采用交流電動機調(diào)速傳動, 可平均節(jié)電20%以上，每年可節(jié)電400億千瓦時）,因此電力電子技術的發(fā)展也越來越受到人們的重視,。70年代中期出現(xiàn)的全控型可關斷晶閘管和功率晶體管,開關速度快,控制簡單,，逆導可關斷晶閘管更兼容了可關斷晶閘管和快速整流二極管的功能。它們把電力電子技術的應用推進到了以逆變,、斬波為中心內(nèi)容的新領域,。這些器件已普遍應用于變頻調(diào)速、開關電源,、靜止變頻等電力電子裝置中,。江陰好的電子元器件價格
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