進一步提高其工作頻率仍然受到基區(qū)和集電區(qū)少子儲存效應的影響,。70年代中期發(fā)展起來的單極型MOS功率場效應晶體管,， 由于不受少子儲存效應的限制,，能夠在兆赫以上的頻率下工作,。這種器件的導通電流具有負溫度特性,，不易出現(xiàn)熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象；需要擴大電流容量時,，器件并聯(lián)簡單,，且具有較好的線性輸出特性和較小的驅動功率；在制造工藝上便于大規(guī)模集成,。但它的通態(tài)壓降較大,，制造時對材料和器件工藝的一致性要求較高。到80 年代中,、后期電流容量jin達數(shù)十安,，阻斷電壓近千伏。電力電子器件正沿著大功率化,、高頻化,、集成化的方向發(fā)展。無錫技巧電子元器件推薦貨源

電子元件是電子電路中的基本元素,，通常是個別封裝,，并具有兩個或以上的引線或金屬接點。電子元件須相互連接以構成一個具有特定功能的電子電路,，例如：放大器,、無線電接收機、振蕩器等,，連接電子元件常見的方式之一是焊接到印刷電路板上,。電子元件也許是單獨的封裝（電阻器、電容器,、電感器,、晶體管、二極管等）,，或是各種不同復雜度的群組,，例如：集成電路（運算放大器、排阻,、邏輯門等）,。 電子器件是指在真空、氣體或固體中,，利用和控制電子運動規(guī)律而制成的器件,。分為電真空器件、充氣管器件和固態(tài)電子器件,。在模擬電路中作整流,、放大,、調制、振蕩,、變頻,、鎖相、控制,、相關等作用,；在數(shù)字電路中作采樣、限幅,、邏輯,、存儲、計數(shù),、延遲等用,。充氣管器件主要作整流、穩(wěn)壓和顯示之用,。固態(tài)電子器件如集成電路,。常州電子元器件源頭好貨按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類。

從60年代到70年代初期,，以半控型普通晶閘管為dai表的電力電子器件,，主要用于相控電路。這些電路十分廣fan地用在電解,、電鍍,、直流電機傳動、發(fā)電機勵磁等整流裝置中,，與傳統(tǒng)的汞弧整流裝置相比,，不jin體積小、工作可靠,，而且取得了十分明顯的節(jié)能效果（一般可節(jié)電10～40%,，從中國的實際看，因風機和泵類負載約占全國用電量的1/3,，若采用交流電動機調速傳動, 可平均節(jié)電20%以上,，每年可節(jié)電400億千瓦時）,因此電力電子技術的發(fā)展也越來越受到人們的重視。70年代中期出現(xiàn)的全控型可關斷晶閘管和功率晶體管,開關速度快,控制簡單,，逆導可關斷晶閘管更兼容了可關斷晶閘管和快速整流二極管的功能,。它們把電力電子技術的應用推進到了以逆變、斬波為中心內容的新領域,。這些器件已普遍應用于變頻調速,、開關電源、靜止變頻等電力電子裝置中。

功率集成電路指在一個芯片上把多個器件及其控制電路集he在一起,。其制造工藝既概括了第yi代功率電子器件向大電流,、高電壓發(fā)展過程中所積累起來的各種經(jīng)驗，又綜合了大規(guī)模集成電路的工藝特點,。這種器件由于很大程度地縮小了器件及其控制電路的體積,，因而能夠有效地減少當器件處于高頻工作狀態(tài)時寄生參數(shù)的影響，這對提高電路工作頻率和抑zhi外界干擾十分重要,。 近期進展：2014年,，美國奧巴馬政fu連同企業(yè)一道投資1.4億美元在NCSU成立The Next Generation Power Electronics Institute，發(fā)展新一代寬禁帶電力半導體器件,。功率集成電路指在一個芯片上把多個器件及其控制電路集he在一起。

按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類： 1.半控型器件,，例如晶閘管,； 2.全控型器件，例如GTO（門極可關斷晶閘管）,、GTR（電力晶體管）,，Power MOSFET（電力場效應晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）,； 3.不可控器件,，例如電力二極管。 按照驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號的性質分類： 1.電壓驅動型器件,，例如IGBT,、Power MOSFET、SITH（靜電感應晶閘管）,； 2.電流驅動型器件,，例如晶閘管、GTO,、GTR,。 根據(jù)驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號波形分類： 1.脈沖觸發(fā)型，例如晶閘管,、GTO,； 2.電子控制型，例如GTR,、PowerMOSFET,、IGBT。 按照電力電子器件內部電子和空穴兩種載流子參與導電的情況分類： 1.雙極型器件,，例如電力二極管,、晶閘管、GTO,、GTR,； 2.單極型器件,，例如PowerMOSFET、SIT,、肖特基勢壘二極管,； 3.復合型器件，例如MCT（MOS控制晶閘管）,、IGBT,、SITH和IGCT。進一步提高其工作頻率仍然受到基區(qū)和集電區(qū)少子儲存效應的影響,。溧陽好的電子元器件推薦

20世紀50年代,，電力電子器件主要是汞弧閘流管和大功率電子管。無錫技巧電子元器件推薦貨源

電力二極管：結構和原理簡單,，工作可靠,； 晶閘管：承受電壓和電流容量在所有器件中*高 IGBT：開關速度高，開關損耗小,，具有耐脈沖電流沖擊的能力,，通態(tài)壓降較低，輸入阻抗高,，為電壓驅動,，驅動功率小,；缺點：開關速度低于電力MOSFET,電壓,，電流容量不及GTO GTR：耐壓高，電流大,，開關特性好,，通流能力強，飽和壓降低,；缺點：開關速度低,，為電流驅動，所需驅動功率大,，驅動電路復雜,，存在二次擊穿問題 GTO：電壓、電流容量大,，適用于大功率場合,，具有電導調制效應，其通流能力很強,；缺點：電流關斷增益很小,，關斷時門極負脈沖電流大，開關速度低，驅動功率大,，驅動電路復雜,，開關頻率低 電力MOSFET：開關速度快，輸入阻抗高,，熱穩(wěn)定性好,，所需驅動功率小且驅動電路簡單，工作頻率高,，不存在二次擊穿問題,；缺點：電流容量小，耐壓低,，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置,。 制約因素：耐壓，電流容量,，開關的速度無錫技巧電子元器件推薦貨源

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