近年來(lái),，工程師們一直在開(kāi)發(fā)各種創(chuàng)新和有前途的電子裝置,。其中包括電致變色裝置（ECD），它是一種能夠以可逆方式控制光學(xué)特性的系統(tǒng),，如光的傳輸,、吸收、反射或發(fā)射,。電致變色裝置可以有許多有趣的應(yīng)用,，例如，在制造提高建筑物能源效率的智能窗戶,、鏡子和電子設(shè)備的替代顯示器方面。近年來(lái)開(kāi)發(fā)的許多電致變色裝置利用固態(tài)無(wú)機(jī)或有機(jī)材料（如Ta2O5和ZrO2）作為電解質(zhì),。固態(tài)電致變色裝置已被發(fā)現(xiàn)對(duì)創(chuàng)造智能窗特別有希望,。然而，這些設(shè)備已經(jīng)被發(fā)現(xiàn)達(dá)到了有限的離子擴(kuò)散速度,，這導(dǎo)致它們隨著時(shí)間的推移非常緩慢地著色和漂白,。中國(guó)科學(xué)院的研究人員**近開(kāi)發(fā)了新的電致變色裝置，可以快速切換顏色,，因此可以**超過(guò)以前提出的解決方案,。在《自然-電子學(xué)》上發(fā)表的一篇論文中介紹的這些設(shè)備，是基于他們?cè)O(shè)計(jì)的一個(gè)全固態(tài)串聯(lián)結(jié)構(gòu),。PEDOT 用于電致變色中原理,。無(wú)機(jī)PEDOTOPV

唐江教授和他的團(tuán)隊(duì)提出了一種快速熱蒸發(fā)（RTE）的方法來(lái)獲得高質(zhì)量的CdSe薄膜，并設(shè)計(jì)了CdSe薄膜太陽(yáng)能電池,。這項(xiàng)題為Rapidthermalevaporationforcadmiumselenidethin-filmsolarcells的研究發(fā)表在2021年12月6日的FrontiersofOptoelectronics上,。在這項(xiàng)研究中，RTE被用來(lái)沉積硒化鎘薄膜,，這些薄膜表現(xiàn)出高的晶體質(zhì)量,，具有大的晶粒尺寸和優(yōu)先的晶體方向。同時(shí),，720納米處的尖銳吸收邊緣表明CdSe薄膜的直接帶隙為1.72eV,。強(qiáng)烈的光致發(fā)光，半滿寬度為23納米,，顯示出CdSe薄膜的缺陷相對(duì)較少,。基于高質(zhì)量的CdSe薄膜,，我們引入了合適的電子傳輸層（ETL）和空穴傳輸層（HTL）來(lái)構(gòu)建CdSe太陽(yáng)能電池,。***,，通過(guò)設(shè)計(jì)FTO/ZnO/CdS/CdSe/PEDOT/CuI的比較好配置，效率達(dá)到了1.88%,。這項(xiàng)研究***開(kāi)發(fā)了一種RTE方法來(lái)沉積CdSe薄膜,，并對(duì)其光電性能進(jìn)行了系統(tǒng)的描述。此外,，它還展示了CdSe太陽(yáng)能電池的設(shè)備設(shè)計(jì)和優(yōu)化的一般規(guī)則,。它還指出了CdSe薄膜及其太陽(yáng)能電池的優(yōu)點(diǎn)。未來(lái),，CdSe太陽(yáng)能電池在硅基串聯(lián)應(yīng)用中具有很大的潛力,，這值得進(jìn)一步研究。標(biāo)準(zhǔn)PEDOTPEDOT:PSS薄膜的拉曼主峰向高波數(shù)移動(dòng)是什么原因,？

該方法提供了一種新的方法,，利用一個(gè)尺寸與病毒顆粒相當(dāng)?shù)南到y(tǒng)-納米粒子探針來(lái)監(jiān)測(cè)大腦中的電活動(dòng)。神經(jīng)元使用電信號(hào)來(lái)相互傳遞信息,，使這些信號(hào)對(duì)思維,、記憶和運(yùn)動(dòng)至關(guān)重要。雖然有許多既定的方法來(lái)跟蹤大腦的電活動(dòng),，但大多數(shù)都需要通過(guò)手術(shù)或植入設(shè)備來(lái)穿透頭骨并直接與神經(jīng)元對(duì)接,。研究人員將他們的新技術(shù)命名為NeurophotonicSolution-dispersibleWirelessActivityReportersforMassivelyMultiplexedMeasurements，或NeuroSWARM3,。該方法涉及將工程化的電-等離子體納米粒子引入大腦,，將電信號(hào)轉(zhuǎn)化為光信號(hào)，從而可以用身體外的光學(xué)探測(cè)器跟蹤大腦活動(dòng),。這些納米粒子包括一個(gè)直徑為63納米的氧化硅**,，上面有一層薄薄的電致變色的聚（3，4-亞乙二氧基噻吩）和一個(gè)5納米厚的金涂層,。因?yàn)樗鼈兊耐繉釉试S它們穿過(guò)血腦屏障,，所以它們可以被注射到血液中或直接進(jìn)入腦脊液。

有機(jī)半導(dǎo)體的摻雜對(duì)于有機(jī)（光）電子和電化學(xué)設(shè)備的運(yùn)行至關(guān)重要,。通常情況下,，這是通過(guò)向聚合物體添加異質(zhì)摻雜分子來(lái)實(shí)現(xiàn)的，由于摻雜物的升華或聚集,，往往導(dǎo)致穩(wěn)定性和性能不佳,。在小分子供體-受體系統(tǒng)中，電荷轉(zhuǎn)移可以產(chǎn)生高而穩(wěn)定的電導(dǎo)率,，這種方法尚未在全共軛聚合物系統(tǒng)中得到探索,。在此，我們報(bào)告了全聚合物供體-受體異質(zhì)結(jié)中的基態(tài)電子轉(zhuǎn)移,。將低電離能量的聚合物與高電子親和力的對(duì)應(yīng)物結(jié)合在一起,，產(chǎn)生了導(dǎo)電界面,，其電阻率值比單獨(dú)的單層聚合物低五到六個(gè)數(shù)量級(jí)。電阻率的大幅下降源于兩個(gè)平行的準(zhǔn)二維電子和空穴分布,，其濃度達(dá)到～1013 cm-2,。此外，我們將這一概念轉(zhuǎn)移到三維塊狀異質(zhì)結(jié)上,，由于沒(méi)有分子摻雜物,，顯示出特殊的熱穩(wěn)定性。我們的研究結(jié)果為潛在的電活性復(fù)合材料提供了希望,，例如,，熱電和可穿戴電子設(shè)備。小白一個(gè),，誠(chéng)心求助PEDOT的比熱容的值,，查了好多文獻(xiàn)沒(méi)看到.

根部沒(méi)有角質(zhì)層，因此表皮細(xì)胞和細(xì)胞壁機(jī)械直接暴露在共軛三聚體中進(jìn)行體內(nèi)聚合,。因此,，年輕的豆類植物的根被浸泡在新制備的共軛三聚體的水溶液中，ETE-S（1毫克毫升）（圖1A）,。根系的其余部分被保存在富含營(yíng)養(yǎng)的溶液中。隨著時(shí)間的推移,，我們觀察到根部有一層黑色的涂層,，表明聚合物的形成。使用紫外-可見(jiàn)光譜對(duì)根部提取物進(jìn)行確認(rèn),，在那里觀察到p（ETE-S）的特征峰（圖S1,，ESI?11,23）。為了揭示根部的聚合動(dòng)力學(xué),，我們進(jìn)行了時(shí)間推移顯微鏡,，并在現(xiàn)場(chǎng)監(jiān)測(cè)聚合物的形成（圖S2，ESI?）,。選定的圖像顯示在圖1B,。在**初的60分鐘內(nèi)，根的表面沒(méi)有明顯的顏色變化,，表明聚合非常少,。隨著時(shí)間的推移，根部變得更深,，聚合物在表皮細(xì)胞上形成,；300分鐘后，根部被聚合物覆蓋,。為了進(jìn)一步了解動(dòng)力學(xué),，我們?cè)谶x定的時(shí)間點(diǎn)對(duì)根的顏色變化進(jìn)行了量化,，這與根表面的聚合物數(shù)量相對(duì)應(yīng)（圖S3，ESI?）,。聚合物的數(shù)量隨著時(shí)間的推移而增加,，**初是緩慢的動(dòng)力學(xué)，然后是較快的動(dòng)力學(xué),，接著是飽和度達(dá)到90%（圖1C,，圖S4，ESI?）,。銀線經(jīng)過(guò)紫外臭氧處理后,，浸漬PEDOT：PSS，干燥后,，PEDOT：PSS還是從銀線上剝落了,。如何避免？導(dǎo)電性電致變色PEDOT

我想知道一些物質(zhì)的載流子濃度,，不知道在哪里查：pedot：PSS,，聚吡咯，之類的,。無(wú)機(jī)PEDOTOPV

纖維素線的生產(chǎn)過(guò)程是由來(lái)自芬蘭阿爾托大學(xué)的合作者開(kāi)發(fā)的,。在隨后的過(guò)程中，查爾姆斯大學(xué)的研究人員通過(guò)用導(dǎo)電的聚合材料對(duì)線進(jìn)行染色使其具有導(dǎo)電性,。研究人員的測(cè)量結(jié)果表明,，染色過(guò)程使纖維素線具有創(chuàng)紀(jì)錄的高導(dǎo)電性--通過(guò)添加銀納米線，其導(dǎo)電性甚至可以進(jìn)一步提高,。在測(cè)試中,，電導(dǎo)率在多次洗滌后仍能保持。深色的紗線是纖維素紗線,，淺色的是市售的鍍銀紗線,，兩者都具有導(dǎo)電性。研究人員將這兩根線分別縫在織物中,，以一種特殊的方式使織物具有熱電子特性,。資料來(lái)源：Anna-LenaLundqvist/查爾姆斯科技大學(xué)無(wú)機(jī)PEDOTOPV

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