MURATA（村田）介質(zhì)承受的電場(chǎng)強(qiáng)度有一定的限制,。當(dāng)束縛電荷脫離原子或分子的束縛并參與傳導(dǎo)時(shí),，絕緣性能就會(huì)被破壞,。這種現(xiàn)象被稱為村田貼片電容介質(zhì)擊穿。電容器擊穿條件村田電容器擊穿的條件達(dá)到擊穿電壓,。擊穿電壓是電容器的極限電壓,。超過(guò)此電壓,，電容器中的介質(zhì)將被擊穿,。額定電壓是電容器在長(zhǎng)時(shí)間工作時(shí)能夠承受的電壓,，低于擊穿電壓。電容器在不高于擊穿電壓的電壓下工作時(shí)是安全可靠的,。不要錯(cuò)誤地認(rèn)為電容器只有在額定電壓下工作時(shí)才是正常的,。PN結(jié)臨界擊穿對(duì)應(yīng)的電壓定義為PN結(jié)的擊穿電壓bv。BV是衡量PN結(jié)可靠性和應(yīng)用范圍的重要參數(shù),。當(dāng)PN結(jié)的其他性能參數(shù)不變時(shí),，BV值越高越好。電容器擊穿是開(kāi)路還是短路電容器的擊穿相當(dāng)于短路,。原因是,，當(dāng)電容器連接到直流時(shí),，它被視為開(kāi)路,；當(dāng)電容器連接到交流時(shí)，它被視為短路,。電容器的本質(zhì)是交流和直流隔離,。電工把“故障”一詞理解為短路,。擊穿的主要原因是外部電壓超過(guò)其標(biāo)稱電壓而造成的長(zhǎng)久性損壞，稱為擊穿,。murata村田10UF貼片電容現(xiàn)貨,。型號(hào)貼片電容1UF

電容器擊穿是開(kāi)路還是短路電容器的擊穿相當(dāng)于短路。原因是,，當(dāng)電容器連接到直流時(shí),，它被視為開(kāi)路；當(dāng)電容器連接到交流時(shí),，它被視為短路,。電容器的本質(zhì)是交流和直流隔離。電工把“故障”一詞理解為短路,。擊穿的主要原因是外部電壓超過(guò)其標(biāo)稱電壓而造成的長(zhǎng)久性損壞,，稱為擊穿。,。電容器擊穿的原因電容器擊穿的根本原因是其介質(zhì)的絕緣被破壞,，產(chǎn)生極化。電介質(zhì)絕緣損壞的原因有：①工作電壓超過(guò)電容器的比較大耐受電壓,；②電容器質(zhì)量差,，泄漏電流大，溫度逐漸升高,，絕緣強(qiáng)度降低,。當(dāng)固體電介質(zhì)中發(fā)生破壞性放電時(shí)，稱為擊穿,。在擊穿過(guò)程中,，固體電介質(zhì)中會(huì)留下痕跡，使固體電介質(zhì)長(zhǎng)久失去絕緣性能,。如果絕緣紙板壞了,，紙板上會(huì)留下一個(gè)洞?？梢钥闯?，擊穿一詞***于固體電介質(zhì)。達(dá)方貼片電容2.2UFsamsung三星1UF貼片電容現(xiàn)貨,。

MLCC電容是什么結(jié)構(gòu)的呢,？A：多層陶瓷電容器是由印好電極（內(nèi)電極）的陶瓷介質(zhì)膜片以錯(cuò)位的方式疊合起來(lái)，經(jīng)過(guò)一次性高溫?zé)Y(jié)形成陶瓷芯片,，再在芯片的兩端封上金屬層（外電極）制成的電容,。MLCC電容特點(diǎn)：機(jī)械強(qiáng)度：硬而脆，這是陶瓷材料的機(jī)械強(qiáng)度特點(diǎn),。熱脆性：MLCC內(nèi)部應(yīng)力很復(fù)雜,，所以耐溫度沖擊的能力很有限,。Q：MLCC電容常見(jiàn)失效模式有哪些？A：Q：怎么區(qū)分不同原因的缺陷呢,？有什么預(yù)防措施呢,？組裝缺陷1、焊接錫量不當(dāng)圖1電容焊錫量示意圖圖2焊錫量過(guò)多造成電容開(kāi)裂當(dāng)溫度發(fā)生變化時(shí),，過(guò)量的焊錫在貼片電容上產(chǎn)生很高的張力,，會(huì)使電容內(nèi)部斷裂或者電容器脫帽，裂紋一般發(fā)生在焊錫少的一側(cè),；焊錫量過(guò)少會(huì)造成焊接強(qiáng)度不足,，電容從PCB板上脫離，造成開(kāi)路故障,。在回流焊過(guò)程中,，貼片元件兩端電極受到焊錫融化后的表面張力不平衡會(huì)產(chǎn)生轉(zhuǎn)動(dòng)力矩，將元件一端拉偏形成虛焊,，轉(zhuǎn)動(dòng)力矩較大時(shí)元件一端會(huì)被拉起,，形成墓碑效應(yīng)。原因：本身兩端電極尺寸差異較大,；錫鍍層不均勻,；PCB板焊盤(pán)大小不等、有污物或水分,、氧化以及焊盤(pán)有埋孔,；錫膏粘度過(guò)高，錫粉氧化,。

 很多客戶買(mǎi)了貼片電容回去測(cè)試,，發(fā)現(xiàn)村田貼片電容的電容偏低。下面我們來(lái)分析一下為什么貼片電容的電容偏低,？造成芯片電容低的因素有哪些,？一起來(lái)分析一下。4,、測(cè)量環(huán)境不同所得結(jié)果也不同：如,，40°C的測(cè)試容量將比25°C的測(cè)試容量低近20％?？梢钥闯?，當(dāng)外界環(huán)境溫度比較高時(shí)，電容值的測(cè)試值會(huì)顯得偏低,。一般將其放置在20°C的環(huán)境中一段時(shí)間使材料處于穩(wěn)定的測(cè)試環(huán)境中進(jìn)行電容測(cè)試,。5、貼片陶瓷電容產(chǎn)品材料老化現(xiàn)象材料老化是指電容器的電容值隨著時(shí)間的推移而減小的現(xiàn)象，這種現(xiàn)象發(fā)生在所有使用鐵電材料作為介電材料的材料產(chǎn)品中,。自然無(wú)法避免的現(xiàn)象,。原因是內(nèi)部晶體結(jié)構(gòu)隨著溫度和時(shí)間的變化而變化,，導(dǎo)致電容降低,，這是一種可逆現(xiàn)象。當(dāng)老化材料應(yīng)用一段時(shí)間高于材料的居里溫度時(shí)（電容恢復(fù)的推薦條件為150°C/1小時(shí)）,，當(dāng)環(huán)境溫度恢復(fù)到恒溫時(shí)室內(nèi)24小時(shí)溫度25℃分子結(jié)構(gòu)才會(huì)恢復(fù)到笨的狀態(tài),。材料將因此開(kāi)始另一個(gè)老化循環(huán)，芯片電容器的電容將恢復(fù)到正常規(guī)格范圍內(nèi),。太誘貼片電容現(xiàn)貨商,。

單別致的陶瓷電容(通稱貼片電容)是現(xiàn)在使用量比較多的常用零配件，AVX公司制貼片電容器有NPO,、X7R,、Z5U、Y5V等不同的規(guī)格,，根據(jù)規(guī)格有不同的用途,。在此，我們*針對(duì)常用的NPO,、X7R,、Z5U、Y5V,，介紹它們的性能和應(yīng)用,，以及應(yīng)該注意的訂單事項(xiàng)以引起大家的注意。不同公司對(duì)于上述性能不同的電容器可能有不同的命名方法,，在此引用AVX公司的命名方法,。其他公司的產(chǎn)品請(qǐng)參照該公司的產(chǎn)品手冊(cè)。NPO,、X7R,、Z5U、Y5V的主要區(qū)別在于它們的填充介質(zhì)不同,。在相同體積下,，由填充介質(zhì)構(gòu)成的電容器的容量不同，與之相伴的電容器的介電損耗,、容量穩(wěn)定性等也不同,。因此，使用電容器時(shí),，根據(jù)電容器在電路中的作用,，需要選擇不同的電容器。NPO電容器NPO是**常用的具有溫度補(bǔ)償特性的單片陶瓷電容器。其填充介質(zhì)由注音字鐳,、釤和其他稀有氧化物組成,。NPO電容器是電容和介質(zhì)損耗**穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到+125℃時(shí)容積轉(zhuǎn)變?yōu)?±30ppm/℃,容量隨頻率的轉(zhuǎn)變低于±0.3ΔC,。NPO電容器的飄移或落后低于±0.05%,相對(duì)性超過(guò)±2%的薄膜電容而言是能夠忽略的,。其典型的容量相對(duì)使用壽命的變化小于±0.1%。yageo貼片電容經(jīng)銷(xiāo)商,。宇陽(yáng)貼片電容10UF

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TDK片式電容器MLCC現(xiàn)在可以達(dá)到數(shù)百或數(shù)千層，每層厚度為毫米,。因此,，輕微變形很容易導(dǎo)致裂紋。此外,，相同材料,、規(guī)格和抗壓性的TDK片式電容器MLCC的體積越大，層數(shù)越大,，每層越薄,，因此很容易開(kāi)裂。此外,，一個(gè)方面是,，具有相同材料、體積和抗壓性且規(guī)格較小的電容器要求每層的材料更薄,，從而導(dǎo)致更容易斷裂,。裂紋的破壞是一種潛在的安全隱患，嚴(yán)重時(shí)會(huì)造成觸電,、內(nèi)部固體層位移和短路故障,。裂縫有一個(gè)非常麻煩的問(wèn)題，有時(shí)是隱藏的,。很可能在工廠檢查期間不會(huì)發(fā)現(xiàn)電子產(chǎn)品,，并且在手機(jī)客戶端暴露之前不會(huì)公布。因此,，避免TDK片式電容器MLCC引起的裂紋非常重要,。     當(dāng)TDK片式電容器MLCC受到溫度沖擊/沖擊時(shí)，很容易從焊接端逐漸產(chǎn)生裂紋,。在這一點(diǎn)上,，小型電容器相對(duì)優(yōu)于大容量電容器。其基本原理是,，大容量電容器的熱傳遞并非如此迅速地到達(dá)所有電容器,。因此,，電容器本身不同部位的溫差較大，因此膨脹尺寸不同,，造成內(nèi)應(yīng)力,。在TDK片式電容器MLCC焊接后的整個(gè)冷卻過(guò)程中，TDK片式電容器MLCC和PCB的膨脹系數(shù)不同,，導(dǎo)致內(nèi)應(yīng)力和裂紋,。為了防止這個(gè)問(wèn)題，回流焊爐必須具有良好的激光焊接溫度曲線,。如果波峰焊接機(jī)在沒(méi)有回流焊爐的情況下使用,，這種效率會(huì)**提高,。型號(hào)貼片電容1UF

深圳市順?？萍加邢薰臼且患矣兄冗M(jìn)的發(fā)展理念，先進(jìn)的管理經(jīng)驗(yàn),，在發(fā)展過(guò)程中不斷完善自己,，要求自己，不斷創(chuàng)新,，時(shí)刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司,，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**，在業(yè)界也收獲了很多良好的評(píng)價(jià),，這些都源自于自身不努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果,，這些評(píng)價(jià)對(duì)我們而言是比較好的前進(jìn)動(dòng)力，也促使我們?cè)谝院蟮牡缆飞媳３謯^發(fā)圖強(qiáng),、一往無(wú)前的進(jìn)取創(chuàng)新精神,，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個(gè)新高度，在全體員工共同努力之下,，全力拼搏將共同深圳市順?？萍脊?yīng)和您一起攜手走向更好的未來(lái)，創(chuàng)造更有價(jià)值的產(chǎn)品,，我們將以更好的狀態(tài),，更認(rèn)真的態(tài)度，更飽滿的精力去創(chuàng)造,，去拼搏,，去努力，讓我們一起更好更快的成長(zhǎng),！