電解電容器：它可以分為兩種類型：非極性和極性,。以下兩種非極性電容器封裝**常見，即0805和0603,；極性電容器就是我們通常所說的電解電容器,。一般來說，鋁電解電容器是**常用的,。因為它的電解液是鋁,，所以它的溫度穩(wěn)定性和精度不是很高，而芯片元件需要很高的溫度穩(wěn)定性,，因為它靠近電路板,。因此,，貼片電容器主要是鉭電容器。片式電容器根據(jù)其耐壓不同,，可分為a,、B、C,、D四個系列,，具體分類如下：型封裝型耐壓A321610VB352816VC603225VD734335V非極性電容器的封裝型號為rad系列，如“rad-0.1”,、“rad-0.2”,、“rad-0.3”、“rad-0.4”等,。后綴號**封裝型號中兩個焊盤之間的距離,，單位為“英寸”。貼片電感封裝電感封裝一般包括芯片和插件,。1.功率感應(yīng)器封裝由骨架的大小表示,。貼片用橢球型表示，如圖5.8（5.2）×4表示長徑5.8mm,、短徑5.2mm,、高4mm的電感（片式電感封裝）。插件以圓柱形表示,，如圖所示,，φ6×8表示直徑為6mm、高度為8mm的電感,。然而,，它們的骨架通常需要通用，或者需要定制,。2.普通線性電感器,、彩色環(huán)形電感器和電阻電容器的封裝具有相同的表現(xiàn)形式。芯片的尺寸如0603,、0805,、0402、1206等（芯片電感封裝）,。1/8W,、1/4W、1/2W,、1W等表示為插件電源功率,。0805 0.1UF 貼片電容現(xiàn)貨。X7R貼片電容

貼片陶瓷電阻(通稱貼片電容)是目前用量比較大的常用元件,有取代鉭電容之勢,，有NPO(COG),、X7R,、X5R、Y5V等不同的規(guī)格,不同的規(guī)格有不同的用途,。就常用的NPO,、X7R、X5R和Y5V來介紹一下它們的性能和應(yīng)用以及采購中應(yīng)注意的訂貨事項,。NPO,、X7R、X5R和Y5V是電容的溫度特性代號,，主要因電容填充介質(zhì)不同而引起,。不同填充介質(zhì)的電容器的容量、介質(zhì)損耗,、容量穩(wěn)定性等也就不同,。所以在使用電容器時應(yīng)根據(jù)電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。一溫度補償型NPO(COG)電容器NPO是一種**常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器,。它的填充介質(zhì)是由銣,、釤和一些其它稀有氧化物組成的。NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗**穩(wěn)定的電容器之一,。在溫度從-55℃到+125℃時容量變化為0±30ppm/℃,電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC,。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%,相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%,。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同,大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了常用封裝NPO電容器可選取的容量范圍,。華新科0805貼片電容47UF1210 220UF 貼片電容現(xiàn)貨,。

貼片電容貼片電容是一種貼片陶瓷電容器。貼片電容全稱為：多層（積層,，疊層）片式陶瓷電容器,，也稱為貼片電容，片容,。貼片電容有兩種表示方法,，一種是英寸單位來表示，一種是毫米單位來表示,。從材質(zhì)可以分為以下幾類：COG主要是低容值,，高精度，耐高溫的特性NPO主要是低容值,，高精度,，耐高溫的特性X7R主要是耐高溫，容值在100PF以上X7S主要是耐高溫,，高容值X7T主要是耐高溫,，耐高壓以上材質(zhì)的溫度特性均在-55℃~+125攝氏度,，其中COG/NPO的耐壓值都在50V以上X5R主要是高容，一般容值在100NF以上,，溫度特性-55℃~+85℃X6S主要是高容,，溫度特性介于X5R與X7R之間，選用的客戶比較少,，-55℃~+105℃U2J主要是用于低容值耐高壓的產(chǎn)品電容,，以村田TDK品牌居多Y5V/Y5U一般是高容，穩(wěn)定性能較差,，基本上很多產(chǎn)品已經(jīng)淘汰該產(chǎn)品線,，如TDK,MURATA,TAIYO等目前耐溫度比較好的材質(zhì)是X8L,最高耐溫可以達到150℃，目前使用該材質(zhì)的主要是TDK與MURATA兩個品牌按照用途來說貼片電容有以下幾種：貼片安規(guī)電容,，安規(guī)認證貼片陶瓷電容（一般用消費類產(chǎn)品）貼片陶瓷高壓電容（100V以上耐壓值）貼片車規(guī)電容（過AEC-Q200認證）射頻電容（只要適用于型號附近,，如路由器，手機,，手環(huán)等產(chǎn)品）

很多客戶買了貼片電容回去測試,，發(fā)現(xiàn)村田貼片電容的電容偏低。下面我們來分析一下為什么貼片電容的電容偏低,？造成芯片電容低的因素有哪些,？一起來分析一下。1,、測試環(huán)境不同所獲得結(jié)果也不同較小的電容要考慮測試條件對貼片電容電容值的影響,。對于不同電容值的貼片電容，測量電容值需要不同的測試條件,，主要是測試電壓和測試頻率的設(shè)置,。貼片電容不同電容值的測試條件為：電容交流電壓頻率容量＞10uF1.0±0.2Vrms120Hz1000pF＜容量≤10uF1.0±0.2Vrms1KHz容量≤1000pF1.0±0.2Vrms1MHz2、測量儀器的差異對測量結(jié)果的影響根據(jù)多年的經(jīng)驗的工程師解釋：實際施壓不能達到實驗條件所要求的的電壓時,。由于儀器內(nèi)部阻抗的分壓,，使電容器兩端施加的測試電壓與實際顯示的設(shè)定電壓不一致。為了盡量減少測量結(jié)果的誤差,，建議對儀器進行調(diào)整,，盡量將儀器的設(shè)定電壓調(diào)整到電容兩端實際測得的電壓，使待測電容上的實際電壓輸出一致.3,、影響貼片電容電容值低測量的因素（1）測試儀器內(nèi)部阻抗的影響由于各儀器之間的內(nèi)部阻抗不同,，儀器總電壓致使施加在測試電容器上的實際電壓更小。在實際測量中,，需要講萬用表等工具測試兩端扥電壓,，以確定施加在貼片電容兩端的輸出電壓。1210 4.7UF 貼片電容現(xiàn)貨,。

電容是電子產(chǎn)品中必備的元器件之一,，無可替代,，電容器常規(guī)的我們可以分為以下幾類：貼片電容，插件電容兩大類,。貼片電容則以貼片陶瓷電容為主,，還有其他如貼片安規(guī)電容，貼片電解電容,，貼片鉭電容等等,。插件電容的種類則有很多種了，插件電解電容,，插件固態(tài)電容,，插件高壓瓷片電容，插件安規(guī)電容（Y1,Y2,X1,X2）,CBB電容等等,。隨著產(chǎn)品的功能化以及產(chǎn)品小型化,，低功耗等等要求，對電容的要求也越來越高了,，比如需要低ESL,低ESR,，高容值，高電壓,，低內(nèi)阻,，長壽命，小體積等等,，所以陶瓷貼片電容在市場長占據(jù)了主導(dǎo)地位,，尺寸也逐漸小型化，目前常用**小的有到01005的尺寸,，但是**常規(guī)的設(shè)計還是以0201,0402,0603,0805,1206,1210為主,，這主要是由于大多數(shù)的生產(chǎn)技術(shù)以及貼片企業(yè)設(shè)備的原因，加上高容值小型化還在不斷更新中,。貼片陶瓷電容的日本三大巨頭則以TDK（東電化），MURATA（村田）,，TAIYO（太陽誘電）,，目前TDK轉(zhuǎn)為高階產(chǎn)品，以工業(yè)化及汽車市場轉(zhuǎn)移,，MURATA則逐步轉(zhuǎn)為汽車市場及5G小型化產(chǎn)品為主,，0402及以上尺寸部分型號都在不斷限制產(chǎn)能，TAIYO（太陽誘電）則熱衷于大尺寸,，高容值,，部分產(chǎn)品也轉(zhuǎn)向汽車級市場。村田47UF貼片電容現(xiàn)貨,。6.3V貼片電容47UF

0805 4.7UF 貼片電容現(xiàn)貨,。X7R貼片電容

SMD電容器的介電強度是指介電材料承受**度電場而不發(fā)生擊穿的能力,，當(dāng)外部電場強度達到某一臨界值時，通常用伏特/密耳（V/密耳）或伏特/厘米（V/cm）表示,，材料晶格中的電子克服電荷恢復(fù)力的約束,，產(chǎn)生場致電子發(fā)射，導(dǎo)致足夠多的自由電子相互碰撞,，產(chǎn)生雪崩效應(yīng),，進而導(dǎo)致突然擊穿電流擊穿介質(zhì)，使其失效,，還有另一種介電故障模式,。高壓負載下產(chǎn)生的熱量會在一定程度上降低介電材料的電阻率。如果這種程度持續(xù)足夠長的時間,，將在介質(zhì)**薄弱的部分產(chǎn)生泄漏電流,。這種模式與溫度密切相關(guān)，介質(zhì)強度隨著溫度的升高而降低由于材料微觀結(jié)構(gòu)中存在物理缺陷,，任何絕緣體的固有介電強度都會降低,，與絕緣電阻一樣，介電強度也與幾何尺寸密切相關(guān),，因為材料體積的增加會增加隨機缺陷的概率,，介質(zhì)的強度與介質(zhì)層的厚度成反比，同樣地,，在設(shè)計片式電容器的邊緣余量時,，介電強度與內(nèi)部電極層的數(shù)量及其物理尺寸成反比，必須確保在使用期間和耐壓試驗期間（通常為其工作電壓的2.5倍）中等強度時沒有擊穿故障在正確選擇片式電容器時除了提供其規(guī)格和容量外還必須特別注意電路對貼片電容器的溫度系數(shù)額定電壓和其他參數(shù)的要求,。片式電容器的標(biāo)準(zhǔn)命名方法和定義,。X7R貼片電容

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