盡管每款獨(dú)特的電路設(shè)計(jì)要求的功能測(cè)試條件都不一樣，但很多時(shí)候我們還是能找到他們的相同之處,，比如一些可以通過(guò)功能測(cè)試去驗(yàn)證的參數(shù),，我們就可以總結(jié)出一些標(biāo)準(zhǔn)的方法。開(kāi)短路測(cè)試原理（通俗叫O/S），開(kāi)短路測(cè)試,，是基于產(chǎn)品本身管腳的ESD防靜電保護(hù)二極管的正向?qū)▔航档脑磉M(jìn)行測(cè)試,。 進(jìn)行開(kāi)短路測(cè)試的器件管腳,，對(duì)地或者對(duì)電源端,，或者對(duì)地和對(duì)電源，都有ESD保護(hù)二極管,，利用二極管正向?qū)ǖ脑?，就可以判別該管腳的通斷情況。芯片測(cè)試機(jī)包括測(cè)試頭和測(cè)試座來(lái)測(cè)試芯片,。湖南集成電路芯片測(cè)試機(jī)哪家好

一般說(shuō)來(lái),，是根據(jù)設(shè)計(jì)要求進(jìn)行測(cè)試，不符合設(shè)計(jì)要求的就是不合格,。而設(shè)計(jì)要求,，因產(chǎn)品不同而各不相同，有的IC需要測(cè)試大量的參數(shù),，有的則只需要測(cè)試很少的參數(shù),。事實(shí)上，一個(gè)具體的IC,，并不一定要經(jīng)歷上面提到的全部測(cè)試,，而經(jīng)歷多道測(cè)試工序的IC，具體在哪個(gè)工序測(cè)試哪些參數(shù),，也是有很多種變化的,，這是一個(gè)復(fù)雜的系統(tǒng)工程。例如對(duì)于芯片面積大,、良率高,、封裝成本低的芯片，通?？梢圆贿M(jìn)行wafertest,，而芯片面積小、良率低,、封裝成本高的芯片,，Z好將很多測(cè)試放在wafertest環(huán)節(jié)，及早發(fā)現(xiàn)不良品,，避免不良品混入封裝環(huán)節(jié),，無(wú)謂地增加封裝成本。浙江全自動(dòng)芯片測(cè)試機(jī)價(jià)位芯片測(cè)試機(jī)可以進(jìn)行鐘控測(cè)試,，用于測(cè)量邏輯門(mén)延時(shí),。

存儲(chǔ)器，芯片往往集成著各種類(lèi)型的存儲(chǔ)器（例如ROM/RAM/Flash），為了測(cè)試存儲(chǔ)器讀寫(xiě)和存儲(chǔ)功能,，通常在設(shè)計(jì)時(shí)提前加入BIST（Built-In SelfTest）邏輯,，用于存儲(chǔ)器自測(cè)。芯片通過(guò)特殊的管腳配置進(jìn)入各類(lèi)BIST功能,，完成自測(cè)試后BIST模塊將測(cè)試結(jié)果反饋給Tester,。ROM（Read-Only Memory）通過(guò)讀取數(shù)據(jù)進(jìn)行CRC校驗(yàn)來(lái)檢測(cè)存儲(chǔ)內(nèi)容是否正確。RAM（Random-Access Memory）通過(guò)除檢測(cè)讀寫(xiě)和存儲(chǔ)功能外,，有些測(cè)試還覆蓋DeepSleep的Retention功能和Margin Write/Read等等,。Embedded Flash除了正常讀寫(xiě)和存儲(chǔ)功能外，還要測(cè)試擦除功能,。Wafer還需要經(jīng)過(guò)Baking烘烤和Stress加壓來(lái)檢測(cè)Flash的Retention是否正常,。還有Margin Write/Read、Punch Through測(cè)試等等,。

DC/AC Test,，DC測(cè)試包括芯片Signal PIN的Open/Short測(cè)試，電源PIN的PowerShort測(cè)試,，以及檢測(cè)芯片直流電流和電壓參數(shù)是否符合設(shè)計(jì)規(guī)格,。AC測(cè)試檢測(cè)芯片交流信號(hào)質(zhì)量和時(shí)序參數(shù)是否符合設(shè)計(jì)規(guī)格。RF Test,，對(duì)于無(wú)線通信芯片,，RF的功能和性能至關(guān)重要。CP中對(duì)RF測(cè)試來(lái)檢測(cè)RF模塊邏輯功能是否正確,。FT時(shí)還要對(duì)RF進(jìn)行更進(jìn)一步的性能測(cè)試,。其他Function Test，芯片其他功能測(cè)試,，用于檢測(cè)芯片其他重要的功能和性能是否符合設(shè)計(jì)規(guī)格,。CP測(cè)試的目的就是在封裝前就把壞的芯片篩選出來(lái)，以節(jié)省封裝的成本,。同時(shí)可以更直接的知道Wafer 的良率,。CP測(cè)試可檢查fab廠制造的工藝水平。芯片測(cè)試機(jī)通常連接到計(jì)算機(jī)上進(jìn)行測(cè)試,。

芯片測(cè)試的流程,，芯片測(cè)試的主要流程包括測(cè)試方案設(shè)計(jì)、測(cè)試系統(tǒng)構(gòu)建,、芯片樣品測(cè)試和測(cè)試結(jié)果分析等步驟,。測(cè)試方案設(shè)計(jì)階段需要根據(jù)芯片的具體需求和測(cè)試目的，確定測(cè)試平臺(tái),、測(cè)試方法和數(shù)據(jù)采集方式等,；測(cè)試系統(tǒng)構(gòu)建階段則需要選用合適的測(cè)試設(shè)備,、測(cè)試軟件和試驗(yàn)工具，搭建出符合測(cè)試要求的完整測(cè)試系統(tǒng),；芯片樣品測(cè)試階段則通過(guò)測(cè)試平臺(tái)對(duì)芯片進(jìn)行各項(xiàng)測(cè)試,，記錄測(cè)試數(shù)據(jù)和結(jié)果；然后在測(cè)試結(jié)果分析階段對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行處理,、統(tǒng)計(jì)推斷和評(píng)估分析,，得到較終的測(cè)試結(jié)論并給出相應(yīng)建議。芯片測(cè)試機(jī)具有穩(wěn)定性和可重復(fù)性,，適用于大量測(cè)試,。上海常規(guī)倒裝芯片測(cè)試機(jī)價(jià)位

芯片測(cè)試機(jī)還可進(jìn)行溫度測(cè)試以測(cè)試芯片運(yùn)行的穩(wěn)定性。湖南集成電路芯片測(cè)試機(jī)哪家好

自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)52下料時(shí),，首先將一個(gè)空的tray盤(pán)放置于第二料倉(cāng)51的第二移動(dòng)底板47上，并將該空的tray盤(pán)置于第二料倉(cāng)51的開(kāi)口部,。檢測(cè)合格的芯片放置于該空的tray盤(pán)中,。當(dāng)該tray盤(pán)中已放滿(mǎn)檢測(cè)后的芯片后，伺服電機(jī)43帶動(dòng)滾珠絲桿45轉(zhuǎn)動(dòng),，滾珠絲桿45帶動(dòng)tray盤(pán)向下移動(dòng)一定距離,，然后移載裝置20將自動(dòng)上料裝置40空的tray盤(pán)移載至自動(dòng)下料裝置50放置，并將空的tray盤(pán)放置于自動(dòng)下料裝置50的放滿(mǎn)芯片的tray盤(pán)的上方,，并上下疊放,。吸嘴基板232上固定有多個(gè)真空發(fā)生器27，該真空發(fā)生器27與真空吸盤(pán)25,、真空吸嘴26相連,。本實(shí)施例可通過(guò)真空吸盤(pán)25和/或真空吸嘴26吸取芯片。本實(shí)施例的機(jī)架10上還固定有顯示器110,，通過(guò)顯示器110顯示測(cè)試機(jī)的運(yùn)行,，同時(shí)機(jī)架10上還固定有三色顯示燈120，通過(guò)顯示燈顯示測(cè)試機(jī)的不同的工作狀態(tài),。本測(cè)試機(jī)的工控箱,、測(cè)試機(jī)主機(jī)、電控箱等均固定于機(jī)架10上,。本發(fā)明在另一實(shí)施例中公開(kāi)了一種芯片測(cè)試機(jī)的測(cè)試方法,。湖南集成電路芯片測(cè)試機(jī)哪家好

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