并用外面圍繞著的石墨加熱器不斷加熱,，溫度維持在大約1400℃,，爐中的氣體通常是惰性氣體,，使多晶硅熔化，同時又不會產(chǎn)生不需要的化學(xué)反應(yīng),。為了形成單晶硅,，還需要控制晶體的方向：坩堝帶著多晶硅熔化物在旋轉(zhuǎn)，把一顆籽晶浸入其中,，并且由拉制棒帶著籽晶作反方向旋轉(zhuǎn),，同時慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出,。熔化的多晶硅會粘在籽晶的底端，按籽晶晶格排列的方向不斷地生長上去,。因此所生長的晶體的方向性是由籽晶所決定的,，在其被拉出和冷卻后就生長成了與籽晶內(nèi)部晶格方向相同的單晶硅棒。用直拉法生長后,，單晶棒將按適當(dāng)?shù)某叽邕M(jìn)行切割,，然后進(jìn)行研磨，將凹凸的切痕磨掉,，再用化學(xué)機(jī)械拋光工藝使其至少一面光滑如鏡,，晶圓片制造就完成了。晶圓制造單晶硅棒的直徑是由籽晶拉出的速度和旋轉(zhuǎn)速度決定的[1],，一般來說,，上拉速率越慢，生長的單晶硅棒直徑越大,。而切出的晶圓片的厚度與直徑有關(guān),，雖然半導(dǎo)體器件的制備只在晶圓的頂部幾微米的范圍內(nèi)完成，但是晶圓的厚度一般要達(dá)到1mm,，才能保證足夠的機(jī)械應(yīng)力支撐,，因此晶圓的厚度會隨直徑的增長而增長。晶圓制造廠把這些多晶硅融解,，再在融液里種入籽晶,，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅晶棒,。全自動bga植球設(shè)備廠家找泰克光電,。蕪湖SBM370植球機(jī)

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    晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,，由于其形狀為圓形,，故稱為晶圓,；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),，而成為有特定電性功能的集成電路產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅,，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅,。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，化,，并經(jīng)蒸餾后,，制成了高純度的多晶硅晶圓是制造半導(dǎo)體芯片的基本材料，半導(dǎo)體集成電路主要的原料是硅,，因此對應(yīng)的就是硅晶圓,。硅在自然界中以硅酸鹽或二氧化硅的形式存在于巖石、砂礫中,，硅晶圓的制造可以歸納為三個基本步驟：硅提煉及提純,、單晶硅生長,、晶圓成型。首先是硅提純,，將沙石原料放入一個溫度約為2000℃,，并且有碳源存在的電弧熔爐中，在高溫下,，碳和沙石中的二氧化硅進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)（碳與氧結(jié)合,，剩下硅），得到純度約為98%的純硅,，又稱作冶金級硅,，這對微電子器件來說不夠純，因?yàn)榘雽?dǎo)體材料的電學(xué)特性對雜質(zhì)的濃度非常敏感,，因此對冶金級硅進(jìn)行進(jìn)一步提純：將粉碎的冶金級硅與氣態(tài)的氯化氫進(jìn)行氯化反應(yīng),，生成液態(tài)的硅烷，然后通過蒸餾和化學(xué)還原工藝,，得到了高純度的多晶硅,，其純度高達(dá)99%，成為電子級硅,。接下來是單晶硅生長,，常用的方法叫直拉法（CZ法）。如下圖所示,，高純度的多晶硅放在石英坩堝中,。蕪湖SBM370植球機(jī)