在本發(fā)明的描述中,，需要理解的是,，術(shù)語“上”、“下”,、“前”,、“后”,、“左”、“右”,、“豎直”,、“水平”、“中”,、“內(nèi)”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系,，只是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位,、以特定的方位構(gòu)造和操作,，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制,。此外，術(shù)語“頭一”,、“第二”等只用于描述目的,，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此,，限定有“頭一”、“第二”等的特征可以明示或者隱含地包括一個(gè)或者更多個(gè)該特征,。在本發(fā)明的描述中,，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定,，術(shù)語“安裝”,、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解,，例如,，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接,，或一體地連接,；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連,，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通,。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以通過具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義,。芯片測(cè)試機(jī)還可以進(jìn)行閂鎖掃描測(cè)試和邊緣掃描測(cè)試,。河南垂直LED芯片測(cè)試機(jī)怎么樣

盡管每款獨(dú)特的電路設(shè)計(jì)要求的功能測(cè)試條件都不一樣，但很多時(shí)候我們還是能找到他們的相同之處,，比如一些可以通過功能測(cè)試去驗(yàn)證的參數(shù),，我們就可以總結(jié)出一些標(biāo)準(zhǔn)的方法。開短路測(cè)試原理（通俗叫O/S）,，開短路測(cè)試,，是基于產(chǎn)品本身管腳的ESD防靜電保護(hù)二極管的正向?qū)▔航档脑磉M(jìn)行測(cè)試。 進(jìn)行開短路測(cè)試的器件管腳,，對(duì)地或者對(duì)電源端,，或者對(duì)地和對(duì)電源，都有ESD保護(hù)二極管,，利用二極管正向?qū)ǖ脑?，就可以判別該管腳的通斷情況。倒裝LED芯片測(cè)試機(jī)工作原理芯片測(cè)試機(jī)通常集成了多個(gè)測(cè)試模塊,。

CP測(cè)試內(nèi)容和測(cè)試方法：1,、SCAN,，SCAN用于檢測(cè)芯片邏輯功能是否正確。DFT設(shè)計(jì)時(shí),，先使用DesignCompiler插入ScanChain,，再利用ATPG（Automatic Test Pattern Generation）自動(dòng)生成SCAN測(cè)試向量。SCAN測(cè)試時(shí),，先進(jìn)入Scan Shift模式,，ATE將pattern加載到寄存器上，再通過Scan Capture模式,，將結(jié)果捕捉,。再進(jìn)入下次Shift模式時(shí)，將結(jié)果輸出到ATE進(jìn)行比較,。2,、Boundary SCAN，Boundary SCAN用于檢測(cè)芯片管腳功能是否正確,。與SCAN類似,，Boundary SCAN通過在IO管腳間插入邊界寄存器（Boundary Register），使用JTAG接口來控制,，監(jiān)測(cè)管腳的輸入輸入出狀態(tài),。

總體而言，芯片測(cè)試機(jī)在芯片設(shè)計(jì)和生產(chǎn)中扮演著重要角色,。的芯片測(cè)試機(jī)能夠?yàn)樯a(chǎn)提供更高的生產(chǎn)性,、更深入的測(cè)試和更高的測(cè)試效率，從而使整個(gè)芯片生產(chǎn)流程更加高效化,、智能化,。一顆芯片較終做到終端產(chǎn)品上，一般需要經(jīng)過芯片設(shè)計(jì),、晶圓制造,、晶圓測(cè)試、封裝,、成品測(cè)試,、板級(jí)封裝等這些環(huán)節(jié)。在整個(gè)價(jià)值鏈中,，芯片公司需要主導(dǎo)的環(huán)節(jié)主要是芯片設(shè)計(jì)和測(cè)試,，其余的環(huán)節(jié)都可以由相應(yīng)的partner來主導(dǎo)或者完成。所以,，測(cè)試本身就是設(shè)計(jì),，這個(gè)是需要在較初就設(shè)計(jì)好了的，對(duì)于設(shè)計(jì)公司來說，測(cè)試至關(guān)重要,，不亞于電路設(shè)計(jì)本身,。芯片測(cè)試機(jī)提供了可靠的測(cè)試跟蹤，幫助工程師快速定位測(cè)試問題,。

一般說來,，是根據(jù)設(shè)計(jì)要求進(jìn)行測(cè)試，不符合設(shè)計(jì)要求的就是不合格,。而設(shè)計(jì)要求,，因產(chǎn)品不同而各不相同，有的IC需要測(cè)試大量的參數(shù),，有的則只需要測(cè)試很少的參數(shù),。事實(shí)上，一個(gè)具體的IC,，并不一定要經(jīng)歷上面提到的全部測(cè)試，而經(jīng)歷多道測(cè)試工序的IC,，具體在哪個(gè)工序測(cè)試哪些參數(shù),，也是有很多種變化的，這是一個(gè)復(fù)雜的系統(tǒng)工程,。例如對(duì)于芯片面積大,、良率高、封裝成本低的芯片,，通?？梢圆贿M(jìn)行wafertest，而芯片面積小,、良率低,、封裝成本高的芯片，Z好將很多測(cè)試放在wafertest環(huán)節(jié),，及早發(fā)現(xiàn)不良品,，避免不良品混入封裝環(huán)節(jié)，無謂地增加封裝成本,。利用芯片測(cè)試機(jī),，可以減少制造過程中的失敗率。湖北常規(guī)倒裝芯片測(cè)試機(jī)平臺(tái)

芯片測(cè)試機(jī)可以用于進(jìn)行芯片的時(shí)序分析,。河南垂直LED芯片測(cè)試機(jī)怎么樣

優(yōu)先選擇地,，所述機(jī)架上還設(shè)置有加熱裝置，所述加熱裝置至少包括高溫加熱機(jī)構(gòu),，所述高溫加熱機(jī)構(gòu)位于所述測(cè)試裝置的上方,，所述高溫加熱機(jī)構(gòu)包括高溫加熱頭、頭一移動(dòng)機(jī)構(gòu)及下壓機(jī)構(gòu),，所述下壓機(jī)構(gòu)與所述頭一移動(dòng)機(jī)構(gòu)相連,，所述高溫加熱頭與所述下壓機(jī)構(gòu)相連,。優(yōu)先選擇地，所述加熱裝置還包括預(yù)加熱緩存機(jī)構(gòu),，所述預(yù)加熱緩存機(jī)構(gòu)位于所述自動(dòng)上料裝置與所述測(cè)試裝置之間,，所述預(yù)加熱緩存機(jī)構(gòu)包括預(yù)加熱工作臺(tái)，所述預(yù)加熱工作臺(tái)上設(shè)有多個(gè)預(yù)加熱工位,。河南垂直LED芯片測(cè)試機(jī)怎么樣