本發(fā)明在另一實(shí)施例中公開(kāi)一種芯片測(cè)試機(jī)的測(cè)試方法。該測(cè)試方法包括以下步驟：將多個(gè)待測(cè)試芯片放置于多個(gè)tray盤(pán)中,，每一個(gè)tray盤(pán)中放置多個(gè)待測(cè)試芯片,，將多個(gè)tray盤(pán)放置于自動(dòng)上料裝置，并在自動(dòng)下料裝置及不良品放置臺(tái)上分別放置一個(gè)空tray盤(pán),；移載裝置從自動(dòng)上料裝置的tray盤(pán)中取出待測(cè)試芯片移載至測(cè)試裝置進(jìn)行測(cè)試,；芯片測(cè)試完成后,，移載裝置將測(cè)試合格的芯片移載至自動(dòng)下料裝置的空tray盤(pán)中，將不良品移載至不良品放置臺(tái)的空tray盤(pán)中,；當(dāng)自動(dòng)上料裝置的一個(gè)tray盤(pán)中的待測(cè)試芯片全部完成測(cè)試,，且自動(dòng)下料裝置的空tray盤(pán)中放滿測(cè)試合格的芯片后，移載裝置將自動(dòng)上料裝置的空tray盤(pán)移載至自動(dòng)下料裝置,。芯片測(cè)試機(jī)是一種用于測(cè)試集成電路的機(jī)器,。河南半導(dǎo)體芯片測(cè)試機(jī)平臺(tái)

從高溫容器中采用旋轉(zhuǎn)拉伸的方式將硅原料取出，此時(shí)一個(gè)圓柱體的硅錠就產(chǎn)生了,。從目前所使用的工藝來(lái)看，硅錠圓形橫截面的直徑為200毫米,。在保留硅錠的各種特性不變的情況下增加橫截面的面積是具有相當(dāng)?shù)碾y度的,，不過(guò)只要企業(yè)肯投入大批資金來(lái)研究，還是可以實(shí)現(xiàn)的,。intel為研制和生產(chǎn)300毫米硅錠建立的工廠耗費(fèi)了大約35億美元,，新技術(shù)的成功使得intel可以制造復(fù)雜程度更高，功能更強(qiáng)大的芯片芯片,，200毫米硅錠的工廠也耗費(fèi)了15億美元,。河南半導(dǎo)體芯片測(cè)試機(jī)平臺(tái)芯片測(cè)試機(jī)為從事集成電路設(shè)計(jì)的工程師提供了便捷的測(cè)試手段。

一般packagetest的設(shè)備也是各個(gè)廠商自己開(kāi)發(fā)或定制的,，通常包含測(cè)試各種電子或光學(xué)參數(shù)的傳感器,，但通常不使用探針探入芯片內(nèi)部（多數(shù)芯片封裝后也無(wú)法探入），而是直接從管腳連線進(jìn)行測(cè)試,。由于packagetest無(wú)法使用探針測(cè)試芯片內(nèi)部,，因此其測(cè)試范圍受到限制，有很多指標(biāo)無(wú)法在這一環(huán)節(jié)進(jìn)行測(cè)試,。但packagetest是Z終產(chǎn)品的測(cè)試,，因此其測(cè)試合格即為Z終合格產(chǎn)品。IC的測(cè)試是一個(gè)相當(dāng)復(fù)雜的系統(tǒng)工程,，無(wú)法簡(jiǎn)單地告訴你怎樣判定是合格還是不合格,。

優(yōu)先選擇地，預(yù)定位裝置100還包括至少兩個(gè)光電傳感器105,，機(jī)架10上固定有預(yù)定位氣缸底座106,，預(yù)定位旋轉(zhuǎn)氣缸101固定于預(yù)定位氣缸底座106上，預(yù)定位氣缸底座106上設(shè)有相對(duì)設(shè)置的四個(gè)定位架107,，預(yù)定位底座102及轉(zhuǎn)向定位底座103位于四個(gè)定位架107支之間,，兩個(gè)光電傳感器105分別固定于兩個(gè)定位架107上。當(dāng)芯片需要進(jìn)行預(yù)定位時(shí),，首先選擇將芯片移載至預(yù)定位槽104內(nèi),，然后由預(yù)定位旋轉(zhuǎn)氣缸101帶動(dòng)轉(zhuǎn)向定位底座103旋轉(zhuǎn),，從而帶動(dòng)芯片正向或反向旋轉(zhuǎn)90度。通過(guò)預(yù)定位裝置100對(duì)芯片的放置方向進(jìn)行調(diào)整,，保障芯片測(cè)試的順利進(jìn)行,。芯片測(cè)試完成后再移動(dòng)至預(yù)定位裝置100進(jìn)行方向調(diào)整，保障測(cè)試完成后的芯片的放置方向與芯片的來(lái)料方向一致,。芯片測(cè)試機(jī)可以提供精確的數(shù)據(jù),，幫助工程師快速理解芯片性能。

如圖13,、圖14所示,，本實(shí)施例的移載裝置20包括y軸移動(dòng)組件21、x軸移動(dòng)組件22,、頭一z軸移動(dòng)組件23,、第二z軸移動(dòng)組件24、真空吸盤(pán)25及真空吸嘴26,。x軸移動(dòng)組件22與y軸移動(dòng)組件21相連,，頭一z軸移動(dòng)組件23、第二z軸移動(dòng)組件24分別與x軸移動(dòng)組件22相連,，真空吸盤(pán)25與頭一z軸移動(dòng)組件23相連,，真空吸嘴26與第二z軸移動(dòng)組件24相連。y軸移動(dòng)組件21固定于機(jī)架10的上頂板上,，y軸移動(dòng)組件21包括y軸移動(dòng)導(dǎo)軌210,、y軸拖鏈211、y軸伺服電缸212及y軸移動(dòng)底板213,，y軸導(dǎo)軌與y軸拖鏈211相對(duì)設(shè)置,，y軸移動(dòng)底板213通過(guò)滑塊分別與y軸移動(dòng)導(dǎo)軌210及y軸伺服電缸212相連。x軸移動(dòng)組件22與y軸移動(dòng)底板213相連,，x軸移動(dòng)組件22還與y軸拖鏈211相連,。由y軸伺服電缸212驅(qū)動(dòng)y軸移動(dòng)底板213在y軸移動(dòng)。芯片測(cè)試機(jī)可以進(jìn)行超時(shí)測(cè)試,，用于測(cè)試芯片在極端條件下的穩(wěn)定性,。北京推拉力芯片測(cè)試機(jī)設(shè)備

芯片測(cè)試機(jī)通常連接到計(jì)算機(jī)上進(jìn)行測(cè)試。河南半導(dǎo)體芯片測(cè)試機(jī)平臺(tái)

動(dòng)態(tài)測(cè)試原理（或者叫功能測(cè)試或叫跑pattern方式）,，使用動(dòng)態(tài)測(cè)試法進(jìn)行開(kāi)短路測(cè)試比之前介紹的靜態(tài)測(cè)試法更快,，成本也更低，適合管腳比較多的芯片,，減少測(cè)試時(shí)間,。使用測(cè)試機(jī)動(dòng)態(tài)電流負(fù)載單元為前端偏置的 VDD 保護(hù)二極管提供電流，通過(guò)輸出比較電平確定PASS區(qū)域（中間態(tài)或“Z”態(tài)）,。兩種測(cè)量方法對(duì)比：利用功能測(cè)試進(jìn)行開(kāi)短路測(cè)試的優(yōu)點(diǎn)是速度相對(duì)比較快,；不利之處在于datalog所能顯示的結(jié)果信息有限,，當(dāng)fail產(chǎn)生，我們無(wú)法直接判斷失效的具體所在和產(chǎn)生原因,。通常在測(cè)試中因?yàn)樾酒_不多,，對(duì)時(shí)間影響不明顯，大部分選擇靜態(tài)（DC測(cè)試）方法.河南半導(dǎo)體芯片測(cè)試機(jī)平臺(tái)