晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形,，故稱為晶圓,；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),，而成為有特定電性功能的集成電路產(chǎn)品,。晶圓的原始材料是硅,，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅,。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，化,，并經(jīng)蒸餾后,，制成了高純度的多晶硅晶圓是制造半導(dǎo)體芯片的基本材料，半導(dǎo)體集成電路主要的原料是硅,，因此對應(yīng)的就是硅晶圓,。硅在自然界中以硅酸鹽或二氧化硅的形式存在于巖石、砂礫中,，硅晶圓的制造可以歸納為三個基本步驟：硅提煉及提純,、單晶硅生長、晶圓成型,。首先是硅提純,，將沙石原料放入一個溫度約為2000℃，并且有碳源存在的電弧熔爐中,，在高溫下,，碳和沙石中的二氧化硅進行化學(xué)反應(yīng)（碳與氧結(jié)合，剩下硅）,，得到純度約為98%的純硅,，又稱作冶金級硅，這對微電子器件來說不夠純,，因為半導(dǎo)體材料的電學(xué)特性對雜質(zhì)的濃度非常敏感,，因此對冶金級硅進行進一步提純：將粉碎的冶金級硅與氣態(tài)的氯化氫進行氯化反應(yīng)，生成液態(tài)的硅烷,，然后通過蒸餾和化學(xué)還原工藝,，得到了高純度的多晶硅，其純度高達99%,，成為電子級硅,。接下來是單晶硅生長，常用的方法叫直拉法（CZ法）,。如下圖所示,，高純度的多晶硅放在石英坩堝中,。全自動BGA植球機在開始抓球的時候會可以能過真空抽吸強力檔把大面積的錫球吸起找泰克光電。重慶bga植球機參考價

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    易造成刀片中的金剛石顆粒碳化及熱破裂,，使刀具磨損嚴重,，嚴重影響劃切質(zhì)量[1]。晶圓制造工藝編輯晶圓表面清洗晶圓表面附著大約2μm的Al2O3和甘油混合液保護層,在制作前必須進行化學(xué)刻蝕和表面清洗,。晶圓初次氧化由熱氧化法生成SiO2緩沖層,，用來減小后續(xù)中Si3N4對晶圓的應(yīng)力氧化技術(shù)：干法氧化Si(固)+O2àSiO2(固)和濕法氧化Si(固)+2H2OàSiO2(固)+2H2。干法氧化通常用來形成,，柵極二氧化硅膜,，要求薄，界面能級和固定晶圓電荷密度低的薄膜,。干法氧化成膜速度慢于濕法,。濕法氧化通常用來形成作為器件隔離用的比較厚的二氧化硅膜,。當(dāng)SiO2膜較薄時，膜厚與時間成正比,。SiO2膜變厚時,，膜厚與時間的平方根成正比。因而,，要形成較厚SiO2膜,，需要較長的氧化時間。SiO2膜形成的速度取決于經(jīng)擴散穿過SiO2膜到達硅表面的O2及OH基等氧化劑的數(shù)量的多少,。濕法氧化時，因在于OH基SiO2膜中的擴散系數(shù)比O2的大,。氧化反應(yīng),，Si表面向深層移動，距離為SiO2膜厚的,。因此,，不同厚度的SiO2膜，去除后的Si表面的深度也不同,。SiO2膜為透明,，通過光干涉來估計膜的厚度。這種干涉色的周期約為200nm,，如果預(yù)告知道是幾次干涉,，就能正確估計。對其他的透明薄膜,，如知道其折射率,，也可用公式計算出。全自動晶元植球機作為關(guān)鍵的制造設(shè)備,，在電子元件的生產(chǎn)中發(fā)揮著重要的作用,。

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