當(dāng)自動(dòng)上料裝置40的位于較上方的tray盤中的50個(gè)芯片全部完成測(cè)試后,，50個(gè)芯片中出現(xiàn)1個(gè)或2個(gè)不合格品時(shí)，此時(shí)自動(dòng)下料裝置50的tray盤沒有放滿50個(gè)芯片,。則此時(shí)該測(cè)試方法還包括以下步驟：將自動(dòng)上料裝置40的空的tray盤移載至中轉(zhuǎn)裝置60,，然后從自動(dòng)上料裝置40的下一個(gè)tray盤中吸取芯片進(jìn)行測(cè)試，并將測(cè)試合格的芯片放置到自動(dòng)下料裝置50,，直至自動(dòng)下料裝置50的tray盤中放滿測(cè)試合格的芯片,，然后將中轉(zhuǎn)裝置60的空的tray盤移載至自動(dòng)下料裝置50,。通常進(jìn)行兩次漏電流測(cè)試。推拉力芯片測(cè)試機(jī)價(jià)位

自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)52下料時(shí),，首先將一個(gè)空的tray盤放置于第二料倉51的第二移動(dòng)底板47上,，并將該空的tray盤置于第二料倉51的開口部。檢測(cè)合格的芯片放置于該空的tray盤中,。當(dāng)該tray盤中已放滿檢測(cè)后的芯片后,，伺服電機(jī)43帶動(dòng)滾珠絲桿45轉(zhuǎn)動(dòng)，滾珠絲桿45帶動(dòng)tray盤向下移動(dòng)一定距離,，然后移載裝置20將自動(dòng)上料裝置40空的tray盤移載至自動(dòng)下料裝置50放置,，并將空的tray盤放置于自動(dòng)下料裝置50的放滿芯片的tray盤的上方，并上下疊放,。吸嘴基板232上固定有多個(gè)真空發(fā)生器27,，該真空發(fā)生器27與真空吸盤25、真空吸嘴26相連,。本實(shí)施例可通過真空吸盤25和/或真空吸嘴26吸取芯片,。本實(shí)施例的機(jī)架10上還固定有顯示器110，通過顯示器110顯示測(cè)試機(jī)的運(yùn)行,，同時(shí)機(jī)架10上還固定有三色顯示燈120,，通過顯示燈顯示測(cè)試機(jī)的不同的工作狀態(tài)。本測(cè)試機(jī)的工控箱,、測(cè)試機(jī)主機(jī),、電控箱等均固定于機(jī)架10上。本發(fā)明在另一實(shí)施例中公開了一種芯片測(cè)試機(jī)的測(cè)試方法,。山東PD芯片測(cè)試機(jī)DUT-Device Under Test,等待測(cè)試的器件,，我們統(tǒng)稱已經(jīng)放在測(cè)試系統(tǒng)中，等待測(cè)試的器件為DUT,。

本實(shí)施例的測(cè)試裝置30包括測(cè)試負(fù)載板31,、測(cè)試座外套32、測(cè)試座底板33,、測(cè)試座中間板34及測(cè)試座蓋板35,。測(cè)試座外套32固定于測(cè)試負(fù)載板31上表面，測(cè)試座底板33固定于測(cè)試座外套32上,，測(cè)試座中間板34位于測(cè)試座底板33與測(cè)試座蓋板35之間,，測(cè)試座底板33與測(cè)試座蓋板35通過定位銷36連接固定。部分型號(hào)的芯片在進(jìn)行測(cè)試前,，需要進(jìn)行高溫加熱或低溫冷卻,，本實(shí)施例在機(jī)架10上還設(shè)置有加熱裝置。如圖2所示,，該加熱裝置至少包括高溫加熱機(jī)構(gòu)70,，高溫加熱機(jī)構(gòu)70位于測(cè)試裝置30的上方。如圖8所示,，高溫加熱機(jī)構(gòu)70包括高溫加熱頭71,、頭一移動(dòng)機(jī)構(gòu)72及下壓機(jī)構(gòu)73，下壓機(jī)構(gòu)73與頭一移動(dòng)機(jī)構(gòu)72相連,，高溫加熱頭71與下壓機(jī)構(gòu)73相連,。

測(cè)試如何體現(xiàn)在設(shè)計(jì)的過程中，下圖表示的是設(shè)計(jì)公司在進(jìn)行一個(gè)新的項(xiàng)目的時(shí)候的一般流程,，從市場(chǎng)需求出發(fā),，到產(chǎn)品tape out進(jìn)行制造，包含了系統(tǒng)設(shè)計(jì),、邏輯設(shè)計(jì),、電路設(shè)計(jì)、物理設(shè)計(jì),，到然后開始投入制造,。較下面一欄標(biāo)注了各個(gè)設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)中對(duì)于測(cè)試的相關(guān)考慮，從測(cè)試架構(gòu),、測(cè)試邏輯設(shè)計(jì),、測(cè)試模式產(chǎn)生、到各種噪聲/延遲/失效模式綜合,、進(jìn)而產(chǎn)生測(cè)試pattern,，然后在制造完成后進(jìn)行測(cè)試，對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行分析,，從而分析失效模式,，驗(yàn)證研發(fā)。設(shè)計(jì)公司主要目標(biāo)是根據(jù)市場(chǎng)需求來進(jìn)行芯片研發(fā),，在整個(gè)設(shè)計(jì)過程中,，需要一直考慮測(cè)試相關(guān)的問題。

晶圓測(cè)試是效率Z高的測(cè)試,，因?yàn)橐粋€(gè)晶圓上常常有幾百個(gè)到幾千個(gè)甚至上萬個(gè)芯片,，而這所有芯片可以在測(cè)試平臺(tái)上一次性測(cè)試。chiptest是在晶圓經(jīng)過切割,、減薄工序,，成為一片片單獨(dú)的chip之后的測(cè)試。其設(shè)備通常是測(cè)試廠商自行開發(fā)制造或定制的,，一般是將晶圓放在測(cè)試平臺(tái)上,，用探針探到芯片中事先確定的測(cè)試點(diǎn)，探針上可以通過直流電流和交流信號(hào)，可以對(duì)其進(jìn)行各種電氣參數(shù)測(cè)試,。chiptest和wafertest設(shè)備Z主要的區(qū)別是因?yàn)楸粶y(cè)目標(biāo)形狀大小不同因而夾具不同,。芯片參數(shù)測(cè)試規(guī)范及測(cè)試參數(shù)，每個(gè)測(cè)試項(xiàng)的測(cè)試條件及參數(shù)規(guī)格,，這個(gè)主要根據(jù)datasheet中的規(guī)范來確認(rèn),。山東PD芯片測(cè)試機(jī)

FT測(cè)試是芯片出廠前篩選質(zhì)量可靠芯片的重要步驟，是針對(duì)批量封裝芯片按照測(cè)試規(guī)范進(jìn)行全方面的電性能檢測(cè),。推拉力芯片測(cè)試機(jī)價(jià)位

總體而言,，芯片測(cè)試機(jī)在芯片設(shè)計(jì)和生產(chǎn)中扮演著重要角色。的芯片測(cè)試機(jī)能夠?yàn)樯a(chǎn)提供更高的生產(chǎn)性,、更深入的測(cè)試和更高的測(cè)試效率,，從而使整個(gè)芯片生產(chǎn)流程更加高效化、智能化,。一顆芯片較終做到終端產(chǎn)品上,，一般需要經(jīng)過芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造,、晶圓測(cè)試,、封裝、成品測(cè)試,、板級(jí)封裝等這些環(huán)節(jié),。在整個(gè)價(jià)值鏈中，芯片公司需要主導(dǎo)的環(huán)節(jié)主要是芯片設(shè)計(jì)和測(cè)試,，其余的環(huán)節(jié)都可以由相應(yīng)的partner來主導(dǎo)或者完成,。所以，測(cè)試本身就是設(shè)計(jì),，這個(gè)是需要在較初就設(shè)計(jì)好了的,，對(duì)于設(shè)計(jì)公司來說，測(cè)試至關(guān)重要,，不亞于電路設(shè)計(jì)本身,。推拉力芯片測(cè)試機(jī)價(jià)位