電子元器件發(fā)展史其實(shí)就是一部濃縮的電子發(fā)展史。電子技術(shù)是十九世紀(jì)末,、二十世紀(jì)初開始發(fā)展起來的新興技術(shù),，二十世紀(jì)發(fā)展迅速，應(yīng)用,，成為近代科學(xué)技術(shù)發(fā)展的一個(gè)重要標(biāo)志,。電子元器件1906年，美國發(fā)明家德福雷斯特（DeForestLee）發(fā)明了真空三極管（電子管）,。代電子產(chǎn)品以電子管為。四十年代末世界上誕生了只半導(dǎo)體三極管,，它以小巧,、輕便、省電,、壽命長等特點(diǎn),，很快地被各國應(yīng)用起來，在很大范圍內(nèi)取代了電子管,。五十年代末期,，世界上出現(xiàn)了塊集成電路，它把許多晶體管等電子元件集成在一塊硅芯片上,，使電子產(chǎn)品向更小型化發(fā)展,。集成電路從小規(guī)模集成電路迅速發(fā)展到大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路，從而使電子產(chǎn)品向著高效能低消耗,、高精度,、高穩(wěn)定、智能化的方向發(fā)展,。由于,，電子計(jì)算機(jī)發(fā)展經(jīng)歷的四個(gè)階段恰好能夠充分說明電子技術(shù)發(fā)展的四個(gè)階段的特性，所以下面就從電子計(jì)算機(jī)發(fā)展的四個(gè)時(shí)代來說明電子技術(shù)發(fā)展的四個(gè)階段的特點(diǎn),。在20世紀(jì)出現(xiàn)并得到飛速發(fā)展的電子元器件工業(yè)使整個(gè)世界和人們的工作,、生活習(xí)慣發(fā)生了翻天覆地的變化。上海制作電子設(shè)備認(rèn)真負(fù)責(zé)

隨著無缺陷結(jié)晶和缺陷控制等材料技術(shù),、晶體外誕生長技術(shù)和擴(kuò)散摻雜技術(shù),、耐壓氧化膜的制備技術(shù),、腐蝕和光刻技術(shù)的出現(xiàn)和發(fā)展，各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現(xiàn),，電子元器件逐步從真空管時(shí)代進(jìn)入晶體管時(shí)代和大規(guī)模,、超大規(guī)模集成電路時(shí)代。逐步形成作為高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的半導(dǎo)體工業(yè),。由于社會(huì)發(fā)展的需要,，電子裝置變的越來越復(fù)雜，這就要求了電子裝置必須具有可靠性,、速度快,、消耗功率小以及質(zhì)量輕、小型化,、成本低等特點(diǎn),。自20世紀(jì)50年代提出集成電路的設(shè)想后，由于材料技術(shù),、器件技術(shù)和電路設(shè)計(jì)等綜合技術(shù)的進(jìn)步,，在20世紀(jì)60年代研制成功了代集成電路。在半導(dǎo)體發(fā)展史上,。集成電路的出現(xiàn)具有劃時(shí)代的意義：它的誕生和發(fā)展推動(dòng)了銅芯技術(shù)和計(jì)算機(jī)的進(jìn)步,，使科學(xué)研究的各個(gè)領(lǐng)域以及工業(yè)社會(huì)的結(jié)構(gòu)發(fā)生了歷史性變革。奉賢區(qū)制作電子設(shè)備質(zhì)量服務(wù)具有使用價(jià)值的是早的鍺合金型晶體管誕生,。

檢測電位器的活動(dòng)臂與電阻片的接觸是否良好,。用萬用表的歐姆檔測“1”、“2”(或“2”,、“3”)兩端,，將電位器的轉(zhuǎn)軸按逆時(shí)針方向旋至接近“關(guān)”的位置，這時(shí)電阻值越小越好,。再順時(shí)針慢慢旋轉(zhuǎn)軸柄,，電阻值應(yīng)逐漸增大，表頭中的指針應(yīng)平穩(wěn)移動(dòng),。當(dāng)軸柄旋至極端位置“3”時(shí),，阻值應(yīng)接近電位器的標(biāo)稱值。如萬用表的指針在電位器的軸柄轉(zhuǎn)動(dòng)過程中有跳動(dòng)現(xiàn)象,，說明活動(dòng)觸點(diǎn)有接觸不良的故障,。常溫檢測(室內(nèi)溫度接近25℃)；將兩表筆接觸PTC熱敏電阻的兩引腳測出其實(shí)際阻值,，并與標(biāo)稱阻值相對(duì)比,，二者相差在±2Ω內(nèi)即為正常。實(shí)際阻值若與標(biāo)稱阻值相差過大,，則說明其性能不良或已損壞,。加溫檢測,；在常溫測試正常的基礎(chǔ)上，即可進(jìn)行第二步測試—加溫檢測,，將一熱源(例如電烙鐵)靠近PTC熱敏電阻對(duì)其加熱,，同時(shí)用萬用表監(jiān)測其電阻值是否隨溫度的升高而增大，如是,，說明熱敏電阻正常,，若阻值無變化，說明其性能變劣,，不能繼續(xù)使用,。

場效應(yīng)晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)，因而也被應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,。尤其用場效應(yīng)管做整個(gè)電子設(shè)備的輸入級(jí),，可以獲得一般晶體管很難達(dá)到的性能。場效應(yīng)管與晶體管的比較(1)場效應(yīng)管是電壓控制元件,，而晶體管是電流控制元件,。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管,；而在信號(hào)電壓較低,，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管,。(2)場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件,，而晶體管是即有多數(shù)載流子,，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件,。(3)有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好,。(4)場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了的應(yīng)用,。逐步形成作為高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的半導(dǎo)體工業(yè),。

在20世紀(jì)出現(xiàn)并得到飛速發(fā)展的電子元器件工業(yè)使整個(gè)世界和人們的工作、生活習(xí)慣發(fā)生了翻天覆地的變化,。電子元器件的發(fā)展歷史實(shí)際上就是電子工業(yè)的發(fā)展歷史,。1906年美國人德福雷斯特發(fā)明真空三極管，用來放大電話的聲音電流,。此后,，人們強(qiáng)烈地期待著能夠誕生一種固體器件,，用來作為質(zhì)量輕、價(jià)廉和壽命長的放大器和電子開關(guān),。1947年,，點(diǎn)接觸型鍺晶體管的誕生，在電子器件的發(fā)展史上翻開了新的一頁,。但是,，這種點(diǎn)接觸型晶體管在構(gòu)造上存在著接觸點(diǎn)不穩(wěn)定的致命弱點(diǎn)。在點(diǎn)接觸型晶體管開發(fā)成功的同時(shí),，結(jié)型晶體管論就已經(jīng)提出,，但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導(dǎo)電類型以后，結(jié)型晶體管材真正得以出現(xiàn),。1950年,，具有使用價(jià)值的是早的鍺合金型晶體管誕生。1954年,，結(jié)型硅晶體管誕生,。此后，人們提出了場效應(yīng)晶體管的構(gòu)想,。人們強(qiáng)烈地期待著能夠誕生一種固體器件,，用來作為質(zhì)量輕、價(jià)廉和壽命長的放大器和電子開關(guān),。寶山區(qū)有什么電子設(shè)備認(rèn)真負(fù)責(zé)

這種點(diǎn)接觸型晶體管在構(gòu)造上存在著接觸點(diǎn)不穩(wěn)定的致命弱點(diǎn),。上海制作電子設(shè)備認(rèn)真負(fù)責(zé)

光電子器件組裝的自動(dòng)化技術(shù)將是降低光電子器件成本的關(guān)鍵。手工組裝是限制光電子器件的成本進(jìn)一步下降的主要因素,。自動(dòng)化組裝可以降低人力成本,、提高產(chǎn)量和節(jié)約生產(chǎn)場地，因此光電子器件組裝的自動(dòng)化技術(shù)的研究將是降低光電子器件成本的關(guān)鍵,。由于光電子器件自動(dòng)化組裝的精度在亞微米量級(jí),，自動(dòng)化組裝生產(chǎn)一直被認(rèn)為是很困難的事，但有很大突破,。國外的學(xué)術(shù)期刊已多次報(bào)道在VCSEL,、新型光學(xué)準(zhǔn)直器件和自對(duì)準(zhǔn)等技術(shù)進(jìn)步基礎(chǔ)上，光器件自動(dòng)化組裝實(shí)現(xiàn)的突破,，同時(shí)專門針對(duì)自動(dòng)化組裝的光電子器件設(shè)計(jì)也正在興起,。2002年OFC展覽會(huì)上有十多家自動(dòng)封裝、自動(dòng)熔接設(shè)備廠商參展,，熔接,、對(duì)準(zhǔn)、壓焊等許多認(rèn)為只能由人工操作的工藝都能由機(jī)械手進(jìn)行。據(jù)ElectroniCast預(yù)測,，到2005年自動(dòng)化組裝與測試設(shè)備的銷量將達(dá),，光電子器件產(chǎn)值中的70%~80%將由全自動(dòng)或半自動(dòng)化組裝生產(chǎn),可以說自動(dòng)化生產(chǎn)線的出現(xiàn)是光電子行業(yè)開始走向成熟的標(biāo)志和發(fā)展的必然。上海制作電子設(shè)備認(rèn)真負(fù)責(zé)

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