數(shù)字集成電路是將元器件和連線集成于同一半導(dǎo)體芯片上而制成的數(shù)字邏輯電路或系統(tǒng),。根據(jù)數(shù)字集成電路中包含的門電路或元器件數(shù)量，可將數(shù)字集成電路分為小規(guī)模集成(SSI)電路,、中規(guī)模集成(MSI)電路、大規(guī)模集成(LSI)電路、超大規(guī)模集成(VLSI)電路和特大規(guī)模集成(ULSI)電路,。小規(guī)模集成電路包含的門電路在10個以內(nèi)，或元器件數(shù)不超過100個,；中規(guī)模集成電路包含的門電路在10-100個之間,，或元器件數(shù)在100-1000個之間；大規(guī)模集成電路包含的門電路在100個以上，或元器件數(shù)在10-10個之間,；超大規(guī)模集成電路包含的門電路在1萬個以上,，或元器件數(shù)在10-10之間；特大規(guī)模集成電路的元器件數(shù)在10-10之間,。它包括：基本邏輯門,、觸發(fā)器、寄存器,、譯碼器,、驅(qū)動器、計數(shù)器,、整形電路,、可編程邏輯器件、微處理器,、單片機,、DSP等。電感器在電子制作中雖然使用得不是很多,，但它們在電路中同樣重要,。奉賢區(qū)電子設(shè)備認(rèn)真負(fù)責(zé)

熔斷電阻器的檢測。在電路中,，當(dāng)熔斷電阻器熔斷開路后,，可根據(jù)經(jīng)驗作出判斷：若發(fā)現(xiàn)熔斷電阻器表面發(fā)黑或燒焦，可斷定是其負(fù)荷過重,，通過它的電流超過額定值很多倍所致,；如果其表面無任何痕跡而開路，則表明流過的電流剛好等于或稍大于其額定熔斷值,。對于表面無任何痕跡的熔斷電阻器好壞的判斷,，可借助萬用表R×1擋來測量，為保證測量準(zhǔn)確,，應(yīng)將熔斷電阻器一端從電路上焊下,。若測得的阻值為無窮大，則說明此熔斷電阻器已失效開路,，若測得的阻值與標(biāo)稱值相差甚遠(yuǎn),，表明電阻變值，也不宜再使用,。在維修實踐中發(fā)現(xiàn),，也有少數(shù)熔斷電阻器在電路中被擊穿短路的現(xiàn)象，檢測時也應(yīng)予以注意,。電位器的檢測,。檢查電位器時,，首先要轉(zhuǎn)動旋柄，看看旋柄轉(zhuǎn)動是否平滑,，開關(guān)是否靈活,，開關(guān)通、斷時“喀噠”聲是否清脆,，并聽一聽電位器內(nèi)部接觸點和電阻體摩擦的聲音,，如有“沙沙”聲，說明質(zhì)量不好,。長寧區(qū)產(chǎn)地電子設(shè)備怎么樣這種點接觸型晶體管在構(gòu)造上存在著接觸點不穩(wěn)定的致命弱點,。

電感器在電子制作中雖然使用得不是很多，但它們在電路中同樣重要,。我們認(rèn)為電感器和電容器一樣,，也是一種儲能元件，它能把電能轉(zhuǎn)變?yōu)榇艌瞿?，并在磁場中儲存能量,。電感器用符號L表示，它的基本單位是亨利（H）,，常用毫亨（mH）為單位,。它經(jīng)常和電容器一起工作，構(gòu)成LC濾波器,、LC振蕩器等,。另外，人們還利用電感的特性,，制造了阻流圈,、變壓器、繼電器等,。集成電路是一種采用特殊工藝,，將晶體管、電阻,、電容等元件集成在硅基片上而形成的具有一定功能的器件,，英文縮寫為IC,，也俗稱芯片,。模擬集成電路是指由電容、電阻,、晶體管等元件集成在一起用來處理模擬信號的模擬集成電路,。有許多的模擬集成電路，如集成運算放大器,、比較器,、對數(shù)和指數(shù)放大器,、模擬乘(除)法器、鎖相環(huán),、電源管理芯片等,。模擬集成電路的主要構(gòu)成電路有：放大器、濾波器,、反饋電路,、基準(zhǔn)源電路、開關(guān)電容電路等,。

在20世紀(jì)出現(xiàn)并得到飛速發(fā)展的電子元器件工業(yè)使整個世界和人們的工作,、生活習(xí)慣發(fā)生了翻天覆地的變化。電子元器件的發(fā)展歷史實際上就是電子工業(yè)的發(fā)展歷史,。1906年美國人德福雷斯特發(fā)明真空三極管,，用來放大電話的聲音電流。此后,，人們強烈地期待著能夠誕生一種固體器件,，用來作為質(zhì)量輕、價廉和壽命長的放大器和電子開關(guān),。1947年,，點接觸型鍺晶體管的誕生，在電子器件的發(fā)展史上翻開了新的一頁,。但是,，這種點接觸型晶體管在構(gòu)造上存在著接觸點不穩(wěn)定的致命弱點。在點接觸型晶體管開發(fā)成功的同時,，結(jié)型晶體管論就已經(jīng)提出,，但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導(dǎo)電類型以后，結(jié)型晶體管材真正得以出現(xiàn),。1950年,，具有使用價值的是早的鍺合金型晶體管誕生。1954年,，結(jié)型硅晶體管誕生,。此后，人們提出了場效應(yīng)晶體管的構(gòu)想,。電子元器件的發(fā)展歷史實際上就是電子工業(yè)的發(fā)展歷史,。

電子元器件發(fā)展史其實就是一部濃縮的電子發(fā)展史。電子技術(shù)是十九世紀(jì)末,、二十世紀(jì)初開始發(fā)展起來的新興技術(shù),，二十世紀(jì)發(fā)展迅速，應(yīng)用,，成為近代科學(xué)技術(shù)發(fā)展的一個重要標(biāo)志,。電子元器件1906年,，美國發(fā)明家德福雷斯特（DeForestLee）發(fā)明了真空三極管（電子管）。代電子產(chǎn)品以電子管為,。四十年代末世界上誕生了只半導(dǎo)體三極管,，它以小巧、輕便,、省電,、壽命長等特點，很快地被各國應(yīng)用起來,，在很大范圍內(nèi)取代了電子管,。五十年代末期，世界上出現(xiàn)了塊集成電路,，它把許多晶體管等電子元件集成在一塊硅芯片上,，使電子產(chǎn)品向更小型化發(fā)展。集成電路從小規(guī)模集成電路迅速發(fā)展到大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路,，從而使電子產(chǎn)品向著高效能低消耗,、高精度、高穩(wěn)定,、智能化的方向發(fā)展,。由于，電子計算機發(fā)展經(jīng)歷的四個階段恰好能夠充分說明電子技術(shù)發(fā)展的四個階段的特性,，所以下面就從電子計算機發(fā)展的四個時代來說明電子技術(shù)發(fā)展的四個階段的特點,。電子元器件逐步從真空管時代進(jìn)入晶體管時代和大規(guī)模。閔行區(qū)什么是電子設(shè)備詢問報價

此后,，人們提出了場效應(yīng)晶體管的構(gòu)想,。奉賢區(qū)電子設(shè)備認(rèn)真負(fù)責(zé)

檢測電位器的活動臂與電阻片的接觸是否良好。用萬用表的歐姆檔測“1”,、“2”(或“2”,、“3”)兩端，將電位器的轉(zhuǎn)軸按逆時針方向旋至接近“關(guān)”的位置,，這時電阻值越小越好,。再順時針慢慢旋轉(zhuǎn)軸柄，電阻值應(yīng)逐漸增大,，表頭中的指針應(yīng)平穩(wěn)移動,。當(dāng)軸柄旋至極端位置“3”時，阻值應(yīng)接近電位器的標(biāo)稱值,。如萬用表的指針在電位器的軸柄轉(zhuǎn)動過程中有跳動現(xiàn)象,，說明活動觸點有接觸不良的故障,。常溫檢測(室內(nèi)溫度接近25℃),；將兩表筆接觸PTC熱敏電阻的兩引腳測出其實際阻值,，并與標(biāo)稱阻值相對比，二者相差在±2Ω內(nèi)即為正常,。實際阻值若與標(biāo)稱阻值相差過大,，則說明其性能不良或已損壞。加溫檢測,；在常溫測試正常的基礎(chǔ)上,，即可進(jìn)行第二步測試—加溫檢測，將一熱源(例如電烙鐵)靠近PTC熱敏電阻對其加熱,，同時用萬用表監(jiān)測其電阻值是否隨溫度的升高而增大,，如是，說明熱敏電阻正常,，若阻值無變化,，說明其性能變劣，不能繼續(xù)使用,。奉賢區(qū)電子設(shè)備認(rèn)真負(fù)責(zé)

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