隨著無(wú)缺陷結(jié)晶和缺陷控制等材料技術(shù)、晶體外誕生長(zhǎng)技術(shù)和擴(kuò)散摻雜技術(shù),、耐壓氧化膜的制備技術(shù)、腐蝕和光刻技術(shù)的出現(xiàn)和發(fā)展,，各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現(xiàn),，電子元器件逐步從真空管時(shí)代進(jìn)入晶體管時(shí)代和大規(guī)模,、超大規(guī)模集成電路時(shí)代。逐步形成作為高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的半導(dǎo)體工業(yè),。由于社會(huì)發(fā)展的需要，電子裝置變的越來(lái)越復(fù)雜,，這就要求了電子裝置必須具有可靠性,、速度快、消耗功率小以及質(zhì)量輕,、小型化,、成本低等特點(diǎn),。自20世紀(jì)50年代提出集成電路的設(shè)想后，由于材料技術(shù),、器件技術(shù)和電路設(shè)計(jì)等綜合技術(shù)的進(jìn)步,，在20世紀(jì)60年代研制成功了代集成電路。在半導(dǎo)體發(fā)展史上,。集成電路的出現(xiàn)具有劃時(shí)代的意義：它的誕生和發(fā)展推動(dòng)了銅芯技術(shù)和計(jì)算機(jī)的進(jìn)步,，使科學(xué)研究的各個(gè)領(lǐng)域以及工業(yè)社會(huì)的結(jié)構(gòu)發(fā)生了歷史性變革,。具有使用價(jià)值的是早的鍺合金型晶體管誕生。虹口區(qū)高產(chǎn)電子元器件電話

數(shù)字集成電路是將元器件和連線集成于同一半導(dǎo)體芯片上而制成的數(shù)字邏輯電路或系統(tǒng),。根據(jù)數(shù)字集成電路中包含的門電路或元器件數(shù)量,，可將數(shù)字集成電路分為小規(guī)模集成(SSI)電路、中規(guī)模集成(MSI)電路,、大規(guī)模集成(LSI)電路、超大規(guī)模集成(VLSI)電路和特大規(guī)模集成(ULSI)電路,。小規(guī)模集成電路包含的門電路在10個(gè)以內(nèi),，或元器件數(shù)不超過(guò)100個(gè)；中規(guī)模集成電路包含的門電路在10-100個(gè)之間,，或元器件數(shù)在100-1000個(gè)之間,；大規(guī)模集成電路包含的門電路在100個(gè)以上,，或元器件數(shù)在10-10個(gè)之間,；超大規(guī)模集成電路包含的門電路在1萬(wàn)個(gè)以上,，或元器件數(shù)在10-10之間；特大規(guī)模集成電路的元器件數(shù)在10-10之間。它包括：基本邏輯門,、觸發(fā)器,、寄存器,、譯碼器、驅(qū)動(dòng)器,、計(jì)數(shù)器,、整形電路、可編程邏輯器件,、微處理器、單片機(jī),、DSP等,。奉賢區(qū)國(guó)內(nèi)電子元器件詢問(wèn)報(bào)價(jià)電子元器件的檢測(cè)是家電維修的一項(xiàng)基本功。

測(cè)量標(biāo)稱電阻值Rt用萬(wàn)用表測(cè)量NTC熱敏電阻的方法與測(cè)量普通固定電阻的方法相同,，即根據(jù)NTC熱敏電阻的標(biāo)稱阻值選擇合適的電阻擋可直接測(cè)出Rt的實(shí)際值,。但因NTC熱敏電阻對(duì)溫度很敏感，故測(cè)試時(shí)應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：ARt是生產(chǎn)廠家在環(huán)境溫度為25℃時(shí)所測(cè)得的,，所以用萬(wàn)用表測(cè)量Rt時(shí)，亦應(yīng)在環(huán)境溫度接近25℃時(shí)進(jìn)行,，以保證測(cè)試的可信度,。B測(cè)量功率不得超過(guò)規(guī)定值，以免電流熱效應(yīng)引起測(cè)量誤差,。C注意正確操作。測(cè)試時(shí),，不要用手捏住熱敏電阻體,，以防止人體溫度對(duì)測(cè)試產(chǎn)生影響。估測(cè)溫度系數(shù)αt先在室溫t1下測(cè)得電阻值Rt1,，再用電烙鐵作熱源，靠近熱敏電阻Rt,，測(cè)出電阻值RT2,，同時(shí)用溫度計(jì)測(cè)出此時(shí)熱敏電阻RT表面的平均溫度t2再進(jìn)行計(jì)算。壓敏電阻的檢測(cè),。用萬(wàn)用表的R×1k擋測(cè)量壓敏電阻兩引腳之間的正,、反向絕緣電阻，均為無(wú)窮大,，否則,，說(shuō)明漏電流大。若所測(cè)電阻很小,，說(shuō)明壓敏電阻已損壞,，不能使用,。

變?nèi)荻O管是根據(jù)普通二極管內(nèi)部“PN結(jié)”的結(jié)電容能隨外加反向電壓的變化而變化這一原理專門設(shè)計(jì)出來(lái)的一種特殊二極管。變?nèi)荻O管在無(wú)繩電話機(jī)中主要用在手機(jī)或座機(jī)的高頻調(diào)制電路上,，實(shí)現(xiàn)低頻信號(hào)調(diào)制到高頻信號(hào)上,，并發(fā)射出去。在工作狀態(tài),，變?nèi)荻O管調(diào)制電壓一般加到負(fù)極上,，使變?nèi)荻O管的內(nèi)部結(jié)電容容量隨調(diào)制電壓的變化而變化。發(fā)生漏電現(xiàn)象時(shí),，高頻調(diào)制電路將不工作或調(diào)制性能變差,。變?nèi)菪阅茏儾顣r(shí),，高頻調(diào)制電路的工作不穩(wěn)定，使調(diào)制后的高頻信號(hào)發(fā)送到對(duì)方被對(duì)方接收后產(chǎn)生失真,。出現(xiàn)上述情況之一時(shí),，就應(yīng)該更換同型號(hào)的變?nèi)荻O管。在電路中常用“Q”加數(shù)字表示,，如：Q17表示編號(hào)為17的三極管,。晶體三極管主要用于放大電路中起放大作用，在常見電路中有三種接法,。為了便于比較，將晶體管三種接法電路所具有的特點(diǎn)列于下,，名稱共發(fā)射極電路共集電極電路(射極輸出器)共基極電路,。這種點(diǎn)接觸型晶體管在構(gòu)造上存在著接觸點(diǎn)不穩(wěn)定的致命弱點(diǎn)。

在20世紀(jì)出現(xiàn)并得到飛速發(fā)展的電子元器件工業(yè)使整個(gè)世界和人們的工作,、生活習(xí)慣發(fā)生了翻天覆地的變化,。電子元器件的發(fā)展歷史實(shí)際上就是電子工業(yè)的發(fā)展歷史,。1906年美國(guó)人德福雷斯特發(fā)明真空三極管,，用來(lái)放大電話的聲音電流。此后,，人們強(qiáng)烈地期待著能夠誕生一種固體器件，用來(lái)作為質(zhì)量輕,、價(jià)廉和壽命長(zhǎng)的放大器和電子開關(guān),。1947年，點(diǎn)接觸型鍺晶體管的誕生,，在電子器件的發(fā)展史上翻開了新的一頁(yè)。但是,，這種點(diǎn)接觸型晶體管在構(gòu)造上存在著接觸點(diǎn)不穩(wěn)定的致命弱點(diǎn),。在點(diǎn)接觸型晶體管開發(fā)成功的同時(shí)，結(jié)型晶體管論就已經(jīng)提出,，但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導(dǎo)電類型以后,，結(jié)型晶體管材真正得以出現(xiàn),。1950年，具有使用價(jià)值的是早的鍺合金型晶體管誕生,。1954年,，結(jié)型硅晶體管誕生。此后,，人們提出了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的構(gòu)想,。在20世紀(jì)出現(xiàn)并得到飛速發(fā)展的電子元器件工業(yè)使整個(gè)世界和人們的工作、生活習(xí)慣發(fā)生了翻天覆地的變化,。普陀區(qū)什么是電子元器件誠(chéng)信互利

逐步形成作為高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的半導(dǎo)體工業(yè)。虹口區(qū)高產(chǎn)電子元器件電話

場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn),，因而也被應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,。尤其用場(chǎng)效應(yīng)管做整個(gè)電子設(shè)備的輸入級(jí)，可以獲得一般晶體管很難達(dá)到的性能,。場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較(1)場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件,。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下,，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低,，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,，應(yīng)選用晶體管,。(2)場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子,，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,。被稱之為雙極型器件。(3)有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,，柵壓也可正可負(fù),，靈活性比晶體管好。(4)場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了的應(yīng)用,。虹口區(qū)高產(chǎn)電子元器件電話

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