Polos-BESM在電子器件原型開發(fā)中展現(xiàn)高效性,。例如，其軟件支持GDS文件直接導(dǎo)入,，多層曝光疊加功能簡化了射頻器件（如IDC電容器）的制造流程,。研究團(tuán)隊(duì)利用同類設(shè)備成功制備了高頻電路元件，驗(yàn)證了其在5G通信和物聯(lián)網(wǎng)硬件中的潛力,。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化,，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用,。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下,，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì),。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化,，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用,。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下,，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì),。工業(yè)4.0協(xié)同創(chuàng)新：與弗勞恩霍夫ILT合作優(yōu)化激光能量分布,，提升制造精度,。安徽BEAM-XL光刻機(jī)

針對(duì)植入式醫(yī)療設(shè)備的長期安全性問題，某生物電子實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)在聚乳酸（）基底上制備可降解電極,。其無掩模技術(shù)避免了傳統(tǒng)掩模污染,，使電極的金屬殘留量低于 0.01μg/mm2,，生物相容性測試顯示細(xì)胞存活率達(dá) 99%,。通過自定義螺旋狀天線圖案，開發(fā)出的可降解心率監(jiān)測器,，在體內(nèi)降解周期可控制在 3-12 個(gè)月,，信號(hào)傳輸穩(wěn)定性較同類產(chǎn)品提升 50%，相關(guān)技術(shù)已進(jìn)入臨床前生物相容性評(píng)價(jià)階段,。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng),。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光,。該系統(tǒng)占用空間小,，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體,、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域,。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì),。重慶BEAM-XL光刻機(jī)不需要緩慢且昂貴的光掩?？焖僮詣?dòng)對(duì)焦：閉環(huán)對(duì)焦系統(tǒng)1秒完成，多層半自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)提升實(shí)驗(yàn)效率,。

SPS POLOS μ以桌面化設(shè)計(jì)降低設(shè)備投入成本,，無需掩膜制備費(fèi)用。其光束引擎通過壓電驅(qū)動(dòng)快速掃描,，單次寫入?yún)^(qū)域達(dá)400 μm,，支持光刻膠如AZ5214E的高效曝光。研究案例顯示,，該設(shè)備成功制備了間距3 μm的微圖案陣列和叉指電容器,，助力納米材料與柔性電子器件的快速原型驗(yàn)證。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化,，無需使用速度慢且昂貴的光罩,。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下,，將該技術(shù)帶到了桌面上,，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì),。

某基因treatment團(tuán)隊(duì)采用 Polos 光刻機(jī)開發(fā)了微米級(jí) DNA 遞送載體。通過 STL 模型直接導(dǎo)入,，在生物可降解聚合物表面刻制出 1-5μm 的蜂窩狀微孔結(jié)構(gòu),，載體的 DNA 負(fù)載量達(dá) 200μg/mg，較傳統(tǒng)電穿孔法提升 5 倍,。動(dòng)物實(shí)驗(yàn)顯示,，該載體在肝臟靶向遞送中，基因轉(zhuǎn)染效率達(dá) 65%,，且免疫原性降低 70%,。其無掩模特性支持根據(jù)不同細(xì)胞表面受體定制載體形貌，在 CAR-T 細(xì)胞treatment中,，CAR 基因?qū)胄蕪?30% 提升至 75%,，相關(guān)技術(shù)已申請(qǐng)國際patent。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案,。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng),。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域,。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。光束引擎高速掃描：SPS POLOS μ單次寫入400 μm區(qū)域,，壓電驅(qū)動(dòng)提升掃描速度,。

德國Polos-BESM系列光刻機(jī)采用無掩模激光直寫技術(shù)，突破傳統(tǒng)光刻對(duì)物理掩膜的依賴,，支持用戶通過軟件直接輸入任意圖案進(jìn)行快速曝光,。其亞微米分辨率（most小線寬0.8 μm）和405 nm紫外光源，可在5英寸晶圓上實(shí)現(xiàn)高精度微納結(jié)構(gòu)加工18,。系統(tǒng)體積緊湊,，only占桌面空間，搭配閉環(huán)自動(dòng)對(duì)焦（1秒完成）和半自動(dòng)多層對(duì)準(zhǔn)功能,，大幅提升實(shí)驗(yàn)室原型開發(fā)效率,，適用于微流體芯片設(shè)計(jì)、電子元件制造等領(lǐng)域。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化,，無需使用速度慢且昂貴的光罩,。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下,，將該技術(shù)帶到了桌面上,，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。雙光子聚合擴(kuò)展：結(jié)合Nanoscribe技術(shù)實(shí)現(xiàn)3D微納打印,，拓展微型機(jī)器人制造,。湖北德國BEAM光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸

納 / 微機(jī)械：亞微米級(jí)結(jié)構(gòu)加工，微型齒輪精度達(dá) ±50nm,，推動(dòng)微機(jī)電系統(tǒng)創(chuàng)新,。安徽BEAM-XL光刻機(jī)

Polos系列通過無掩模技術(shù)減少化學(xué)廢料產(chǎn)生，同時(shí)低能耗設(shè)計(jì)（如固態(tài)激光光源）符合綠色實(shí)驗(yàn)室標(biāo)準(zhǔn),。例如，其光源系統(tǒng)較傳統(tǒng)DUV光刻機(jī)能耗降低30%,，助力科研機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)碳中和目標(biāo),。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案,。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光,。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,，并broad應(yīng)用于微流體,、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì),。安徽BEAM-XL光刻機(jī)