某智能機(jī)器人實(shí)驗(yàn)室采用 Polos 光刻機(jī)制造了磁控微納機(jī)器人,。其激光直寫技術(shù)在鎳鈦合金薄膜上刻制出 10μm 的螺旋槳結(jié)構(gòu),，機(jī)器人在旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)下的推進(jìn)速度達(dá) 50μm/s，轉(zhuǎn)向精度小于 5°,。通過自定義三維運(yùn)動(dòng)軌跡，該機(jī)器人在微流控芯片中成功實(shí)現(xiàn)了單個(gè)紅細(xì)胞的捕獲與轉(zhuǎn)運(yùn),，操作成功率從傳統(tǒng)方法的 40% 提升至 85%,。其輕量化設(shè)計(jì)（質(zhì)量 < 1μg）還支持在活細(xì)胞表面進(jìn)行納米級(jí)手術(shù)，相關(guān)成果入選《Science Robotics》年度創(chuàng)新技術(shù),。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng),。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光,。該系統(tǒng)占用空間小,，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體,、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域,。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。Polos-BESM 光刻機(jī)：無掩模激光技術(shù),，成本降低 50%,，任意圖案輕松輸入，適配實(shí)驗(yàn)室微納加工,。重慶德國(guó)PSP-POLOS光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米

某半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室采用 Polos 光刻機(jī)開發(fā)氮化鎵（GaN）基高電子遷移率晶體管（HEMT）,。其激光直寫技術(shù)在藍(lán)寶石襯底上實(shí)現(xiàn)了 50nm 柵極長(zhǎng)度的precise曝光，較傳統(tǒng)光刻工藝線寬偏差降低 60%,。通過自定義多晶硅柵極圖案,，器件的電子遷移率達(dá) 2000 cm2/(V?s)，擊穿電壓提升至 1200V,，遠(yuǎn)超商用產(chǎn)品水平,。該技術(shù)還被用于 SiC 基功率器件的臺(tái)面刻蝕，刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%,，助力我國(guó)新能源汽車電控系統(tǒng)core器件的國(guó)產(chǎn)化突破,。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案,。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光,。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,，并broad應(yīng)用于微流體,、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì),。上海POLOSBEAM-XL光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米客戶認(rèn)可：全球 500 + 客戶滿意度達(dá) 98%，復(fù)購率 75%,，技術(shù)支持響應(yīng)時(shí)間 < 2 小時(shí),。

SPS POLOS μ以桌面化設(shè)計(jì)降低設(shè)備投入成本，無需掩膜制備費(fèi)用,。其光束引擎通過壓電驅(qū)動(dòng)快速掃描,，單次寫入?yún)^(qū)域達(dá)400 μm，支持光刻膠如AZ5214E的高效曝光,。研究案例顯示,，該設(shè)備成功制備了間距3 μm的微圖案陣列和叉指電容器，助力納米材料與柔性電子器件的快速原型驗(yàn)證。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化,，無需使用速度慢且昂貴的光罩,。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下,，將該技術(shù)帶到了桌面上,，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。

Polos系列通過無掩模技術(shù)減少化學(xué)廢料產(chǎn)生,，同時(shí)低能耗設(shè)計(jì)（如固態(tài)激光光源）符合綠色實(shí)驗(yàn)室標(biāo)準(zhǔn),。例如，其光源系統(tǒng)較傳統(tǒng)DUV光刻機(jī)能耗降低30%,，助力科研機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)碳中和目標(biāo),。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案,。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光,。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,，并broad應(yīng)用于微流體,、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì),。德國(guó) SPS Polos：深耕微納加工 35 年，專注半導(dǎo)體與生命科學(xué)領(lǐng)域,，全球布局 6 大技術(shù)中心,，服務(wù) 500 + 科研機(jī)構(gòu)。

大尺寸晶圓的高效處理：Polos-BESM XL的優(yōu)勢(shì),！Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設(shè)計(jì),，寫入?yún)^(qū)域達(dá)155×155 mm，平臺(tái)重復(fù)性精度0.1 μm,，滿足工業(yè)級(jí)需求。搭配20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭,，實(shí)時(shí)觀測(cè)與多層對(duì)準(zhǔn)功能使其成為光子晶體和柔性電子器件研究的理想工具,。其BEAM Xplorer軟件簡(jiǎn)化復(fù)雜圖案設(shè)計(jì)，內(nèi)置高性能筆記本實(shí)現(xiàn)快速數(shù)據(jù)處理62,。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng),。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域,。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。微型傳感器量產(chǎn)：80 μm開環(huán)諧振器加工能力,，推動(dòng)工業(yè)級(jí)MEMS傳感器升級(jí),。江蘇桌面無掩模光刻機(jī)讓你隨意進(jìn)行納米圖案化

Polos-BESM XL：大尺寸加工空間，保留緊湊設(shè)計(jì),，科研級(jí)精度實(shí)現(xiàn)復(fù)雜結(jié)構(gòu)一次性成型,。重慶德國(guó)PSP-POLOS光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米

某材料科學(xué)研究中心在探索新型納米復(fù)合材料的性能時(shí)，需要在材料表面構(gòu)建特殊的納米圖案,。德國(guó) Polos 光刻機(jī)成為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的得力工具,。研究人員利用其無掩模激光光刻技術(shù)，在不同的納米材料表面制作出各種周期性和非周期性的圖案結(jié)構(gòu),。經(jīng)過測(cè)試發(fā)現(xiàn),，帶有特定圖案的納米復(fù)合材料，其電學(xué),、光學(xué)和力學(xué)性能發(fā)生了remarkable改變,。例如，一種原本光學(xué)性能普通的納米材料,，在經(jīng)過 Polos 光刻機(jī)處理后,，對(duì)特定波長(zhǎng)光的吸收率提高了 30%，為開發(fā)新型光電器件和光學(xué)傳感器提供了新的材料選擇和設(shè)計(jì)思路 ,。重慶德國(guó)PSP-POLOS光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米