Polos-BESM支持GDS文件直接導(dǎo)入和多層曝光疊加,，簡化射頻器件（如IDC電容器）制造流程。研究團(tuán)隊(duì)利用類似設(shè)備成功制備高頻電路元件,，驗(yàn)證了其在5G通信和物聯(lián)網(wǎng)硬件中的潛力,。其高重復(fù)性（0.1 μm）確保科研成果的可轉(zhuǎn)化性,，助力國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈突破技術(shù)封鎖56,。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案,。一個新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光,。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,，并broad應(yīng)用于微流體,、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會,。電子學(xué)應(yīng)用：2μm 線寬光刻能力，第三代半導(dǎo)體器件研發(fā)效率提升 3 倍,。河南PSP光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

在科研領(lǐng)域,，設(shè)備的先進(jìn)程度往往決定了研究的深度與廣度。德國的 Polos - BESM,、Polos - BESM XL,、SPS 光刻機(jī) POLOS μ 帶來了革新之光。它們運(yùn)用無掩模激光光刻技術(shù),，摒棄了傳統(tǒng)光刻中昂貴且制作周期長的掩模,，極大降低了成本。這些光刻機(jī)可輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光,，在微流體,、電子學(xué)和納 / 微機(jī)械系統(tǒng)等領(lǐng)域大顯身手。例如在微流體研究中,，能precise制造復(fù)雜的微通道網(wǎng)絡(luò),，助力藥物傳輸、細(xì)胞培養(yǎng)等研究,。在電子學(xué)方面,，可實(shí)現(xiàn)高精度的電路圖案曝光，為芯片研發(fā)提供有力支持,。其占用空間小,，對于空間有限的研究實(shí)驗(yàn)室來說堪稱完美,。憑借出色特性，它們已助力眾多科研團(tuán)隊(duì)取得成果,，成為科研創(chuàng)新的得力助手 ,。河南PSP光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米能源收集：微型壓電收集器效率 35%，低頻振動發(fā)電支持無源物聯(lián)網(wǎng),。

在制備用于柔性顯示的納米壓印模板時,，Polos 光刻機(jī)的亞微米級定位精度（±50nm）確保了圖案的均勻復(fù)制。某光電實(shí)驗(yàn)室使用該設(shè)備,，在石英基底上刻制出周期 100nm 的柱透鏡陣列,，模板的圖案保真度達(dá) 99.8%，邊緣缺陷率低于 0.1%,。基于此模板生產(chǎn)的柔性 OLED 背光模組,，亮度均勻性提升至 98%,，厚度減至 50μm，成功應(yīng)用于下一代折疊屏手機(jī),，相關(guān)技術(shù)已授權(quán)給三家面板制造商,。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案,。一個新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光,。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,，并broad應(yīng)用于微流體,、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會,。

上海有機(jī)化學(xué)研究所通過光刻技術(shù)制備多組分納米纖維，實(shí)現(xiàn)了功能材料的精確組裝,。類似地,，Polos系列設(shè)備可支持此類結(jié)構(gòu)的可控加工，為新能源器件（如柔性電池）和智能材料提供技術(shù)基礎(chǔ)3,。設(shè)備的高重復(fù)性（0.1 μm）確保了科研成果的可轉(zhuǎn)化性,。掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩,。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用,。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下,，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢,。納 / 微機(jī)械：亞微米級結(jié)構(gòu)加工,，微型齒輪精度達(dá) ±50nm，推動微機(jī)電系統(tǒng)創(chuàng)新,。

無掩模激光光刻技術(shù)為研究實(shí)驗(yàn)室提供了一種多功能的納米/微米光刻工具,，可用于創(chuàng)建亞微米級特征，并促進(jìn)電路和器件的快速原型設(shè)計(jì),。經(jīng)濟(jì)高效的桌面配置使研究人員和行業(yè)從業(yè)者無需復(fù)雜的基礎(chǔ)設(shè)施和設(shè)備即可使用光刻技術(shù),。應(yīng)用范圍擴(kuò)展至微機(jī)電系統(tǒng) (MEM)、生物醫(yī)學(xué)設(shè)備和微電子器件的設(shè)計(jì)和制造,，例如以下領(lǐng)域：醫(yī)療（包括微流體）,、半導(dǎo)體、電子,、生物技術(shù)和生命科學(xué),、先進(jìn)材料研究。全球無掩模光刻系統(tǒng)市場規(guī)模預(yù)計(jì)在 2022 年達(dá)到 3.3606 億美元,，預(yù)計(jì)到 2028 年將增長至 5.0143 億美元,，復(fù)合年增長率為 6.90%。由于對 5G,、AIoT,、物聯(lián)網(wǎng)以及半導(dǎo)體電路性能和能耗優(yōu)化的需求不斷增長，預(yù)計(jì)未來幾十年光刻市場將持續(xù)增長,。6英寸晶圓兼容：Polos-BESM XL Mk2支持155×155 mm大尺寸加工,，工業(yè)級重復(fù)精度0.1 μm。POLOSBEAM-XL光刻機(jī)光源波長405微米

無掩模技術(shù)優(yōu)勢：摒棄傳統(tǒng)掩模,，圖案實(shí)時調(diào)整,，研發(fā)成本降低 70%，小批量生產(chǎn)經(jīng)濟(jì)性突出,。河南PSP光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng),。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光,。該系統(tǒng)占用空間小,，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體,、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域,。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。河南PSP光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米