等等,?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣，其有體積小,、效率高,、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點(diǎn),。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,，成為工業(yè),、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸,、科研以至商業(yè),、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。一,、可控硅的結(jié)構(gòu)和特性■可控硅模塊從外形上分主要有螺旋式,、平板式和平底式三種（見圖表-25）。螺旋式的應(yīng)用較多,?！隹煽毓枘K有三個(gè)電極----陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),，共有三個(gè)PN結(jié),。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)見圖表-26?！鰪膱D表-26中可以看到,，可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用,，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時(shí),，只要在控制極加上很小的電流或電壓,，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件,。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅?！隹煽毓枘K為什么其有“以小控大”的可控性呢,？下面我們用圖表-27來簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理?！鍪紫?，我們可以把從陰極向上數(shù)的、二,、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,。淄博正高電氣傾城服務(wù)，確保產(chǎn)品質(zhì)量無后顧之憂,。寧夏單相晶閘管移相調(diào)壓模塊哪家好

可控硅又稱晶閘管（晶體閘流管）,，是一種常用的功率型半導(dǎo)體器件,，其主要的功能是功率控制?？煽毓杩煞譃閱蜗蚩煽毓?、雙向可控硅、可關(guān)斷可控硅等,?？煽毓璧奶攸c(diǎn)是具有可控的單向?qū)щ娦裕孕‰娏骺刂拼箅娏?，以低電壓控制高電壓,。可控硅可以用萬用表進(jìn)行檢測(cè),。一,、檢測(cè)單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結(jié)構(gòu)，形成3個(gè)PN結(jié),，具有3個(gè)外電極：陽極A,、陰極K、控制極G,。單向可控硅的引腳如下圖所示,。檢測(cè)時(shí)，萬用表置于“Rx10Ω”檔,，黑表筆（表內(nèi)電池正極）接單向可控硅的控制極G,，紅表筆（表內(nèi)電池負(fù)極）接單向可控硅的陰極K，這時(shí)測(cè)量的是單向可控硅PN結(jié)的正向電阻,，應(yīng)有較小的阻值,。如下圖所示。對(duì)調(diào)兩表筆后,，測(cè)其反向電阻,，應(yīng)比正向電阻明顯大一些。萬用表黑表筆仍接單向可控硅控制極G,，紅表筆改接單向可控硅的陽極A,，阻值應(yīng)為無窮大，如下圖所示,。對(duì)調(diào)兩表筆后,，再測(cè)，阻值仍應(yīng)為無窮大,。這是因?yàn)镚、A間為兩個(gè)PN結(jié)反向串聯(lián),，正常情況下其正,、反向阻值均為無窮大,。二、檢測(cè)單向晶閘管導(dǎo)通特性萬用表置于Rx1Ω檔,，黑表筆接單向可控硅陽極A,，紅表筆接單向可控硅陰極K，表針應(yīng)指示為無窮大,。這是用金屬導(dǎo)體將控制極G與陽極A短接一下（短接后馬上斷開）,。黑龍江整流晶閘管移相調(diào)壓模塊功能淄博正高電氣永遠(yuǎn)是您身邊的行業(yè)**！

特點(diǎn)：1,、芯片與底板電氣絕緣2,、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)封裝3、全壓接結(jié)構(gòu),，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力4,、350A以下模塊皆為強(qiáng)迫風(fēng)冷，400A以上模塊既可選用風(fēng)冷,，也可選用水冷5,、安裝簡(jiǎn)單，使用維修方便典型應(yīng)用：1,、交直流電機(jī)控制2,、各種整流電源3、工業(yè)加熱控制4,、調(diào)光5,、無觸點(diǎn)開關(guān)6、電機(jī)軟起動(dòng)7,、靜止無功補(bǔ)償8,、電焊機(jī)9、變頻器10,、UPS電源11,、電池充放電，淄博正高電氣有限公司有10多年功率半導(dǎo)體元器件制造經(jīng)驗(yàn),，是專業(yè)從事功率半導(dǎo)體器件的研發(fā),、封裝、測(cè)試,、銷售,、技術(shù)服務(wù)為一體的****，多年來一直從事冶金自動(dòng)化和鐵路電氣化領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)化工作,。我公司的電力半導(dǎo)體器件有：全系列功率模塊,，普通整流管(ZP)，快速整流管(ZK)，軟恢復(fù)快速整流管(FRD),，旋轉(zhuǎn)整流管(ZX),，大功率組合整流元件，普通晶閘管(KP),，快速晶閘管(KK),，雙向晶閘管(KS)，逆導(dǎo)晶閘管(KN),，可關(guān)斷晶閘管(GTO),，電力晶體管(GTR)發(fā)電機(jī)旋轉(zhuǎn)勵(lì)磁整流組件，各種功率單元,。這些元件廣泛應(yīng)用于電化學(xué)電源,，充電電源，電機(jī)調(diào)速,，感應(yīng)加熱及熱處理等各種整流,、逆變和變頻領(lǐng)域。我公司所生產(chǎn)的電力電子器件成功的替代了多種進(jìn)口器件,，實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)軋機(jī)原器件的國(guó)產(chǎn)化,。

圖2二、晶閘管的主要工作原理及特性為了能夠直觀地認(rèn)識(shí)晶閘管的工作特性,，大家先看這塊示教板(圖3),。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來，通過開關(guān)S接在直流電源上,。注意陽極A是接電源的正極,，陰極K接電源的負(fù)極，控制極G通過按鈕開關(guān)SB接在3V直流電源的正極(這里使用的是KP5型晶閘管,，若采用KP1型,，應(yīng)接在)。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接,，也就是說,，給晶閘管陽極和控制極所加的都是正向電壓。現(xiàn)在我們合上電源開關(guān)S,，小燈泡不亮,，說明晶閘管沒有導(dǎo)通；再按一下按鈕開關(guān)SB,，給控制極輸入一個(gè)觸發(fā)電壓,，小燈泡亮了，說明晶閘管導(dǎo)通了,。這個(gè)演示實(shí)驗(yàn)給了我們什么啟發(fā)呢?圖3這個(gè)實(shí)驗(yàn)告訴我們,，要使晶閘管導(dǎo)通,，一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個(gè)正向觸發(fā)電壓,。晶閘管導(dǎo)通后,，松開按鈕開關(guān),，去掉觸發(fā)電壓,，仍然維持導(dǎo)通狀態(tài)。晶閘管的特點(diǎn)：是“一觸即發(fā)”,。但是,，如果陽極或控制極外加的是反向電壓，晶閘管就不能導(dǎo)通,?？刂茦O的作用是通過外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導(dǎo)通，卻不能使它關(guān)斷,。那么,，用什么方法才能使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷呢?使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷，可以斷開陽極電源(圖3中的開關(guān)S)或使陽極電流小于維持導(dǎo)通的小值,。淄博正高電氣是多層次的模式與管理模式,。

大家知道，晶閘管G,、K之間是一個(gè)PN結(jié)〔圖2(a)〕,，相當(dāng)于一個(gè)二極管，G為正極,、K為負(fù)極,，所以，按照測(cè)試二極管的方法,，找出三個(gè)極中的兩個(gè)極,，測(cè)它的正、反向電阻,，電阻小時(shí),，萬用表黑表筆接的是控制極G，紅表筆接的是陰極K,，剩下的一個(gè)就是陽極A了,。測(cè)試晶閘管的好壞，可以用剛才演示用的示教板電路(圖3),。接通電源開關(guān)S,，按一下按鈕開關(guān)SB，燈泡發(fā)光就是好的,，不發(fā)光就是壞的,。四,、晶閘管在電路中的主要用途是什么?普通晶閘管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成晶閘管,，就可以構(gòu)成可控整流電路。現(xiàn)在我畫一個(gè)簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路〔圖4(a)〕,。在正弦交流電壓U2的正半周期間,，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通,，只有在U2處于正半周,，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí)，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通?，F(xiàn)在,，畫出它的波形圖〔圖4(c)及(d)〕，可以看到,，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí),，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出(波形圖上陰影部分)。Ug到來得早,，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早,；Ug到來得晚，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚,。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時(shí)間,，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中,。淄博正高電氣產(chǎn)品**國(guó)內(nèi),。煙臺(tái)單向晶閘管移相調(diào)壓模塊配件

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可控硅損壞原因判別哪種參數(shù)壞了,？當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時(shí)，可把管芯從冷卻套中取出,，打開芯盒再取出芯片,，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因,。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析,。1、電壓擊穿,。晶閘管因不能承受電壓而損壞,，其芯片中有一個(gè)光潔的小孔，損壞的面積小,，有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見,。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿,。2、電流損壞,。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑,，且粗糙，損壞的面積大,，其位置在遠(yuǎn)離控制極上,。3電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同,，而其位置在控制極附近或就在控制極上,。4,、邊緣損壞,。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)小光潔小孔,。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕,。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導(dǎo)致電壓擊穿,。5,、G-K電壓擊穿。晶閘管G-K間因不能承受反向電壓（）12V）而損壞,，其芯片G-K間有燒焦的通路（短路痕跡）,。寧夏單相晶閘管移相調(diào)壓模塊哪家好

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