可控硅可控硅簡(jiǎn)稱(chēng)SCR,，是一種大功率電器元件，也稱(chēng)晶閘管。它具有體積小,、效率高,、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備,。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng),、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了的應(yīng)用?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種,。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡(jiǎn)稱(chēng)TRIAC,。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋Ｆ渫〝酄顟B(tài)由控制極G決定,。在控制極G上加正脈沖（或負(fù)脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通,。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單，沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴},，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用,。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管,，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn),。GTR飽和壓降低,，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大,；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大,，載流密度小,。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低,。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器,、開(kāi)關(guān)電源,、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域,。淄博正高電氣用先進(jìn)的生產(chǎn)工藝和規(guī)范的質(zhì)量管理,，打造優(yōu)良的產(chǎn)品！河北雙向晶閘管移相調(diào)壓模塊供應(yīng)商

1,、晶閘管智能模塊的應(yīng)用領(lǐng)域該智能模塊廣泛應(yīng)用于控溫,、調(diào)光、勵(lì)磁,、電鍍,、電解、充放電,、電焊機(jī),、等離子拉弧、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合,，如工業(yè),、通訊、部對(duì)所用等各類(lèi)電氣控制,、電源等,，根據(jù)還可通過(guò)模塊的控制端口與多功能控制板連接，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流,、穩(wěn)壓,、軟啟動(dòng)等功能，并可實(shí)現(xiàn)過(guò)流,、過(guò)壓,、過(guò)溫,、缺相等保護(hù)功能。2,、晶閘管智能模塊的控制方式通過(guò)輸入模塊控制接口一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào),，通過(guò)調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)模塊的輸出電壓大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或全部導(dǎo)通的過(guò)程,。電壓或電流信號(hào)可取自各種控制儀表,、計(jì)算機(jī)D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種方法,；控制信號(hào)采用0～5V,，0～10V，4～20mA三種比較常用的控制形式,。3,、模塊的控制端口與控制線模塊控制端接口有5腳、9腳和15腳三種形式,，分別對(duì)應(yīng)于5芯,、9芯、15芯的控制線,。采用電壓信號(hào)的產(chǎn)品只用前面五個(gè)腳端口,，其余為空腳，采用電流信號(hào)的9腳為信號(hào)輸入,，控制線的屏蔽層銅線應(yīng)焊接到直流電源地線上,連接時(shí)注意不要同其它的端子短路,以免不能正常工作或可能燒壞模塊,。模塊控制端口插座和控制線插座上都有編號(hào)，請(qǐng)一一對(duì)應(yīng),，不要接反,。天津大功率晶閘管移相調(diào)壓模塊價(jià)格淄博正高電氣公司狠抓產(chǎn)品質(zhì)量的提高，逐年立項(xiàng)對(duì)制造,、檢測(cè),、試驗(yàn)裝置進(jìn)行技術(shù)改造。

其閘流特性表現(xiàn)為當(dāng)可控硅加上正向陽(yáng)極電壓的同時(shí)又加上適當(dāng)?shù)恼蚩刂齐妷簳r(shí),，可控硅就導(dǎo)通,；這一導(dǎo)通即使在撤去門(mén)極控制電壓后仍將維持，一直到加上反向陽(yáng)極電壓或陽(yáng)極電流小于可控硅自身的維持電流后才關(guān)斷,。普通的可控硅調(diào)光器就是利用可控硅的這一特性實(shí)現(xiàn)前沿觸發(fā)相控調(diào)壓的,。在正弦波交流電過(guò)零后的某一時(shí)刻t1（或某一相位角wt1），在可控硅控制極上加一觸發(fā)脈沖,，使可控硅導(dǎo)通,，根據(jù)前面介紹過(guò)的可控硅開(kāi)關(guān)特性，這一導(dǎo)通將維持到正弦波正半周結(jié)束,。因此在正弦波的正半周（即0~p區(qū)間）中,，0~wt1范圍可控硅不導(dǎo)通,，這一范圍稱(chēng)為控制角，常用a表示,；而在wt1~p間可控硅導(dǎo)通,，這一范圍稱(chēng)為導(dǎo)通角，常用j表示,。同理在正弦波交流電的負(fù)半周,，對(duì)處于反向聯(lián)接的另一個(gè)可控硅（對(duì)兩個(gè)單向可控硅反并聯(lián)或雙向可控硅而言）在t2時(shí)刻（即相位角wt2）施加觸發(fā)脈沖，使其導(dǎo)通,。如此周而復(fù)始,，對(duì)正弦波每半個(gè)周期控制其導(dǎo)通，獲得相同的導(dǎo)通角,。如改變觸發(fā)脈沖的施加時(shí)間（或相位）,，即改變了導(dǎo)通角j（或控制角a）的大小。導(dǎo)通角越大調(diào)光器輸出的電壓越高,，燈就越亮,。從上述可控硅調(diào)光原理可知，調(diào)光器輸出的電壓波形已經(jīng)不再是正弦波了,，除非調(diào)光器處在全導(dǎo)通狀態(tài)。

輸出電壓與輸入電壓比值很?。┫螺敵龅碾娏鞣逯岛艽?，但電流的有效值很小（直流儀表一般顯示平均值,，交流儀表顯示非正弦電流時(shí)比實(shí)際值?。禽敵鲭娏鞯挠行е岛艽?，半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比,，會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。因此,，模塊應(yīng)選擇在大導(dǎo)通角的65％以上工作,，及控制電壓應(yīng)在5V以上。7,、模塊規(guī)格的選取方法考慮到晶閘管產(chǎn)品一般都是非正弦電流,，存在導(dǎo)通角的問(wèn)題并且負(fù)載電流有一定的波動(dòng)性和不穩(wěn)定因素，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,，在選取模塊電流規(guī)格時(shí)必須留出一定余量,。推薦選擇方法可按照以下公式計(jì)算：I>K×I負(fù)載×U大?MU實(shí)際K：安全系數(shù)，阻性負(fù)載K=,，感性負(fù)載K=2,；I負(fù)載：負(fù)載流過(guò)的大電流,；U實(shí)際：負(fù)載上的小電壓；U大：模塊能輸出的大電壓,；（三相整流模塊為輸入電壓的,，單相整流模塊為輸入電壓的，其余規(guī)格均為）,；I：需要選擇模塊的小電流,模塊標(biāo)稱(chēng)的電流必須大于該值,。模塊散熱條件的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短時(shí)過(guò)載能力，溫度越低模塊的輸出電流越大,，所以在使用中必須配備散熱器和風(fēng)機(jī),，建議采用帶有過(guò)熱保護(hù)功能的產(chǎn)品，有水冷散熱條件的優(yōu)先選擇水冷散熱,。我們經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)算,。淄博正高電氣我們完善的售后服務(wù)，讓客戶(hù)買(mǎi)的放心,，用的安心,。

可控硅模塊的作用主要體驗(yàn)在電路中，在電路中經(jīng)常會(huì)見(jiàn)到可控硅模塊的身影,，由此可見(jiàn)它的應(yīng)用是多么的強(qiáng)大,，可控硅模塊的其中一個(gè)作用就是觸發(fā)電路，但是觸發(fā)電路時(shí)需要滿足三個(gè)必定條件,，下面正高電氣帶您來(lái)看看這三個(gè)條件是什么,？一、可控硅模塊觸發(fā)電路的觸發(fā)脈沖信號(hào)應(yīng)有足夠的功率和寬度為了使全部的元件在各種可能的工作條件下均能可靠的觸發(fā),，可控硅模塊觸發(fā)電路所送出的觸發(fā)電壓和電流,，必須大于元件門(mén)極規(guī)定的觸發(fā)電壓UGT與觸發(fā)電流IGT的較大值，并且留有足夠的余量,。另外,，由于可控硅的觸發(fā)是有一個(gè)過(guò)程的，也就是可控硅觸發(fā)電路的導(dǎo)通需要一定的時(shí)間,，不是一觸即通,，只有當(dāng)可控硅的陽(yáng)極電流即主回路電流上升到可控硅的擎住電流IL以上時(shí)，管子才能導(dǎo)通,，所以觸發(fā)脈沖信號(hào)應(yīng)有一定的寬度才能保證被觸發(fā)的可控硅可靠導(dǎo)通,。例如：一般可控硅的導(dǎo)通時(shí)間在6μs左右，故觸發(fā)脈沖的寬度至少在6μs以上,，一般取20～50μs,，對(duì)于大電感負(fù)載，由于電流上升較慢，觸發(fā)脈沖寬度還應(yīng)加大,，否則脈沖終止時(shí)主回路電流還未上升到可控硅的擎任電流以上,，則可控硅又重新關(guān)斷，所以脈沖寬度下應(yīng)小于300μs,，通常取1ms,，相當(dāng)廣50Hz正弦波的18°電角度。淄博正高電氣以質(zhì)量為生命”保障產(chǎn)品品質(zhì),。福建單向晶閘管移相調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家

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T1管由截止變?yōu)閷?dǎo)通，于是電容C通過(guò)T1管的e,、b1結(jié)和R2迅速放電,，結(jié)果在R2上獲得一個(gè)尖脈沖。這個(gè)脈沖作為控制信號(hào)送到可控硅SCR的控制極,，使可控硅導(dǎo)通,。可控硅導(dǎo)通后的管壓降很低,，一般小于1V,，所以張弛振蕩器停止工作,。當(dāng)交流電通過(guò)零點(diǎn)時(shí),，可控硅自關(guān)斷,。當(dāng)交流電在負(fù)半周時(shí),，電容C又從新充電……如此周而復(fù)始,，便可調(diào)整負(fù)載RL上的功率了。2：元器件選擇調(diào)壓器的調(diào)節(jié)電位器選用阻值為470KΩ的WH114-1型合成碳膜電位器,，這種電位器可以直接焊在電路板上，電阻除R1要用功率為1W的金屬膜電阻外,，其佘的都用功率為1/8W的碳膜電阻,。D1—D4選用反向擊穿電壓大于300V、大整流電流大于,，如2CZ21B,、2CZ83E、2DP3B等,。SCR選用正向與反向電壓大于300V,、額定平均電流大于1A的可控硅整流器件，如國(guó)產(chǎn)3CT12：電熱毯溫控器市售電熱毯一般有高、低兩個(gè)溫度檔,。使用時(shí),，撥在高溫檔，入睡后總被熱醒,；撥在低溫檔，有時(shí)醒來(lái)會(huì)覺(jué)得熱度不夠,。為此,，筆者制作了這種電熱毯溫控器，它可以把電熱毯的溫度控制在一個(gè)適宜的范圍內(nèi),。工作原理：電路如下圖所示。圖中IC為NE555時(shí)基電路,；RP3為溫度調(diào)節(jié)電位器,，其滑動(dòng)臂電位決定IC的觸發(fā)電位V2和閾電位Vf，且V5=Vf=2Vz,。220V交流電壓經(jīng)C1,、R1限流降壓,。河北雙向晶閘管移相調(diào)壓模塊供應(yīng)商

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