雙向可控硅MAC97A6的電路應用MAC97A6為小功率雙向可控硅（雙向晶閘管）,，多應用于電風扇速度控制或電燈的亮度控制，市場上流行的“電腦風扇”或“電子程控風扇”,，不外乎是用集成電路控制器與老式風扇相結(jié)合的新一代產(chǎn)品,。這里介紹的電路就是利用一塊市售的所用集成電路RY901及MAC97A6，將普通電扇改裝為具有多功能的電扇,，很適宜無線電愛好者制作與改裝,。這種新型IC的主要特點是：（1）集開關(guān)、定時,、調(diào)速,、模擬自然風為一體，外部元件少,、電路簡單,、易于制作；（2）省掉了體積較大的機械定時器和調(diào)速器,，采用輕觸式開關(guān)和電腦控制脈沖觸發(fā),，因而無機械磨損，使用壽命長,。（3）各種動作電腦程序具備相應的發(fā)光管指示,，耗電量少，體積小,，重量輕,，顯示直觀，便于操作,；（4）適合開發(fā)或改造成多路家電的定時控制等,。RY901采用雙列直插式16腳塑封結(jié)構(gòu)，為低功耗CMOS集成電路,。其外形,、引出腳排列及各腳功能如圖1所示。工作原理典型應用電路如圖2所示（[url=/ad/ykkz/]點擊下載原理圖[/url]）。市電220V由C1,、R1降壓VD9穩(wěn)壓，經(jīng)VD10,、C2整流濾波后,提供5V－6V左右的直流電源作為RY901IC組成的控制器電壓,。在剛接通電源時，電腦控制器暫處于復位（靜止）狀態(tài),。淄博正高電氣竭誠為您服務(wù),，期待與您的合作，歡迎大家前來,！臨沂大功率晶閘管移相調(diào)壓模塊報價

當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea,，又在控制極G和陰極C之間（相當BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1,，經(jīng)放大,，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1。因為BG1集電極與BG2基極相連,，IC1又是BG2的基極電流Ib2,。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大,，直到BG1,、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程,，對可控硅來說,，觸發(fā)信號加入控制極，可控硅立即導通,。導通的時間主要決定于可控硅的性能,。■可控硅模塊一經(jīng)觸發(fā)導通后,，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過BG1,、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠大于Ib1,，足以保持BG1的持續(xù)導通。此時觸發(fā)信號即使消失,，可控硅仍保持導通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea,，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導通的小值時,，可控硅方可關(guān)斷,。當然，如果Ea極性反接，BG1,、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止狀態(tài),。這時，即使輸入觸發(fā)信號,，可控硅也不能工作,。反過來，Ea接成正向,，而觸動發(fā)信號是負的,。西藏進口晶閘管移相調(diào)壓模塊廠家淄博正高電氣講誠信，重信譽,，多面整合市場推廣,。

增加電力網(wǎng)的穩(wěn)定，然后由逆變器將直流高壓逆變?yōu)?0HZ三相交流,。直流——交流中頻加熱和交流電動機的變頻調(diào)速,、串激調(diào)速等變頻，交流——頻率可變交流四,、斬波調(diào)壓（脈沖調(diào)壓）斬波調(diào)壓是直流——可變直流之間的變換,，用在城市電車、電氣機車,、電瓶搬運車,、鏟車（叉車）、電氣汽車等,，高頻電源用于電火花加工,。五、無觸點功率靜態(tài)開關(guān)（固態(tài)開關(guān)）作為功率開關(guān)元件,，代替接觸器,、繼電器用于開關(guān)頻率很高的場合晶閘管導通條件：晶閘管加上正向陽極電壓后，門極加上適當正向門極電壓,，使晶閘管導通過程稱為觸發(fā),。晶閘管一旦觸發(fā)導通后，門極就對它失去控制作用,，通常在門極上只要加上一個正向脈沖電壓即可,，稱為觸發(fā)電壓。門極在一定條件下可以觸發(fā)晶閘管導通,，但無法使其關(guān)斷,。要使導通的晶閘管恢復阻斷，可降低陽極電壓,，或增大負載電阻,，使流過晶閘管的陽極電流減小至維持電流（IH）（當門極斷開時,，晶閘管從較大的通態(tài)電流降至剛好能保持晶閘管導通所需的小陽極電流叫維持電流），電流會突然降到零,，之后再提高電壓或減小負載電阻,，電流不會再增大，說明晶閘管已恢復阻斷,。根據(jù)晶閘管陽極伏安特性,，可以總結(jié)出：1．門極斷開時。

VT2截止,，NE555第①腳接地端開路而不工作，此時,，電路的耗電只為VT1,、VT2的穿透電流，約3～5μA,，四節(jié)電池能使用一年半以上,。按下K1后，VT1飽和導通,，R3兩端電壓接近電源電壓,，VT2飽和導通，NE555工作,，此時,，NE555第②腳由高電平變?yōu)榈碗娖剑业陀?/3的電源電壓,，NE555翻轉(zhuǎn),，第③腳輸出高電平，其一路能過R7驅(qū)動光電耦合器4N25,，使雙向可控硅VS導通,，床頭燈H點亮；另一路通過二極管VD1,、電阻R6向VT2提供足夠大的偏流,，維持VT2飽和導通，此時,，即使K1斷開,，VT2的工作狀態(tài)也不變，即NE555的暫穩(wěn)狀態(tài)不變,。在此期間,，電源經(jīng)R5為C1充電，使C1兩端電壓不斷升高,，當C1兩端電壓大于2/3電源電壓時,，通過NE555的放電端第⑦腳放電,，NE555的暫穩(wěn)態(tài)結(jié)束，第三③腳由高電平變?yōu)榈碗娖?，VT2截止,，進入另一個穩(wěn)定狀態(tài)，只有在K1再次接通時,，NE555才再次進入暫穩(wěn)態(tài),，床頭燈再次點亮。該床頭燈所用元件型號及數(shù)據(jù)如附圖所示,，無特殊要求,。整個床頭燈安裝容易，調(diào)試簡單,，只要安裝無誤,，就能正常使用。若延時時間太短,，可加大R5的阻值或C1的容量,，反之亦然。安裝時將按鍵部分外置,，其余元件裝入塑料盒內(nèi),，以確保使用安全。淄博正高電氣以快的速度提供好的產(chǎn)品質(zhì)量和好的價格及完善的售后服務(wù),。

圖1所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極,。N+區(qū)稱為漏區(qū),。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極,。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成,。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成）,，稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）,。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector），它是IGBT特有的功能區(qū),，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管,，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴,，進行導電調(diào)制,，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極,。IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP晶體管提供基極電流,，使IGBT導通。反之,，加反向門極電壓消除溝道,，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷,。IGBT的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同,，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性,。當MOSFET的溝道形成后,，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對N一層進行電導調(diào)制,，減小N一層的電阻,，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓,。IGBT和可控硅區(qū)別IGBT與晶閘管1.整流元件（晶閘管）簡單地說：整流器是把單相或三相正弦交流電流通過整流元件變成平穩(wěn)的可調(diào)的單方向的直流電流,。其實現(xiàn)條件主要是依靠整流管,。淄博正高電氣以精良的產(chǎn)品品質(zhì)和優(yōu)先的售后服務(wù),，全過程滿足客戶的優(yōu)良需求。濱州晶閘管移相調(diào)壓模塊分類

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可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式，擁有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件,，這種可控硅模塊的體積非常的小,，結(jié)構(gòu)也十分的緊湊，對于維修與安裝都有很大的作用,，可控硅模塊的類型非常的多,，比方說壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等,，很多人不是很清楚兩者之間的差異,，下面詳細的進行區(qū)分一下。①從電流方面來講,，焊接式模塊可以做到160A電流,，同時壓接式模塊的電流就能夠達到1200A，這就是講低于160A的模塊,，不只是有焊接式的,，同時也有壓接式的。②從外形方面來講,，焊接式的模塊遠遠沒有壓接式的外形比較好,，壓接式的屬于一體成型,，技術(shù)十分的標準，焊接式的局部地區(qū)可能有焊接的痕跡,，但是在使用的時候是沒有任何的影響的,。③眾所周知，壓接式可控硅模塊的市場占有率是非常大的,，有不少的公司都會使用壓接式可控硅模塊,，這其中的原因可能使由于其外形十分的美觀，除此之外從價格方面來講,，焊接式可控硅模塊的成本遠遠要比壓接式可控硅模塊的成本低,。臨沂大功率晶閘管移相調(diào)壓模塊報價

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