TC=℃）------通態(tài)平均電流VTM=V-----------通態(tài)峰值電壓VDRM=V-------------斷態(tài)正向重復(fù)峰值電壓IDRM=mA-------------斷態(tài)重復(fù)峰值電流VRRM=V-------------反向重復(fù)峰值電壓IRRM=mA------------反向重復(fù)峰值電流IGT=mA------------門極觸發(fā)電流VGT=V------------門極觸發(fā)電壓執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：QB-02-091．晶閘管關(guān)斷過電壓（換流過電壓,、空穴積蓄效應(yīng)過電壓）及保護晶閘管從導(dǎo)通到阻斷,，線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量產(chǎn)生過電壓。由于晶閘管在導(dǎo)通期間,，載流子充滿元件內(nèi)部,，在關(guān)斷過程中，管子在反向作用下,，正向電流下降到零時,，元件內(nèi)部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流,，使殘存的載流子迅速消失,，這時反向電流減小即diG/dt極大，產(chǎn)生的感應(yīng)電勢很大,，這個電勢與電源串聯(lián),，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上，可導(dǎo)致晶閘管反向擊穿,。這就是關(guān)斷過電壓（換相過電壓）,。數(shù)值可達工作電壓的5~6倍。保護措施：在晶閘管兩端并接阻容吸收電路,。2．交流側(cè)過電壓及其保護由于交流側(cè)電路在接通或斷開時出現(xiàn)暫態(tài)過程,，會產(chǎn)生操作過電壓。高壓合閘的瞬間,，由于初次級之間存在分布電容,，初級高壓經(jīng)電容耦合到次級，出現(xiàn)瞬時過電壓,。淄博正高電氣交通便利,，地理位置優(yōu)越。浙江單向晶閘管移相調(diào)壓模塊供應(yīng)商

當(dāng)電容C被充足電后,，使三極管V由截止轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài),，將可控硅SCR關(guān)斷,，電燈也就熄滅了。本電路關(guān)燈延時期間,，延時時間由R1、C的取值來確定,，讀者也可根據(jù)各自需要自行確定,。本電路中的可控硅，筆者選用的為單向可控硅,，在關(guān)燈延時期間電燈的亮度約為開燈時亮度的一半,，以適合人們的視覺上的需要，同時又可節(jié)能,。電路制作：圖中單向可控硅SCR選用MCR100－8,，耐壓須為600V以上。燈泡的功率不大于100W為宜,。二極管VD為1N4007,，V為C1815。電阻均為1／8W碳膜電阻,。制作時,，用一小塊電路板將圖中虛線框內(nèi)各元器件焊裝上。好將本電路裝在拉線開關(guān)底部凹槽內(nèi),，用膠水粘牢并將引線接至開關(guān)兩接線端即可,。8：單鍵自鎖開關(guān)單鍵自鎖開關(guān)說明1、上電不動作,。2,、按鈕按下后再釋放，繼電器吸合,。3,、按鈕長按時，繼電器釋放,，松開后繼電器吸合,。4、按鈕點按時：繼電器釋放←→吸合循環(huán)動作,。5,、因為47Ω電阻有壓降，繼電器可以用DC9V的,。9：簡單的停電自鎖開關(guān)電網(wǎng)供電正常時,，它象普通開關(guān)一樣使用。按一下K1,，220V交流電經(jīng)R1和R2分壓給雙向可控硅提供一觸發(fā)電壓,，使雙向可控硅導(dǎo)通,。可控硅導(dǎo)通后,，在電源電壓正半周期間,，少量電流經(jīng)R4、D向C充電,，同時經(jīng)R3,、R2分壓觸發(fā)可控硅。泰安整流晶閘管移相調(diào)壓模塊結(jié)構(gòu)淄博正高電氣以快的速度提供好的產(chǎn)品質(zhì)量和好的價格及完善的售后服務(wù),。

如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動直流電壓,，那么，在電壓過零時,，晶閘管會自行關(guān)斷,。可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,，共有三個PN結(jié),，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,，其等效圖解如圖1所示當(dāng)陽極A加上正向電壓時,，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時,，如果從控制極G輸入一個正向觸發(fā)信號,，BG2便有基流ib2流過，經(jīng)BG2放大,，其集電極電流ic2=β2ib2,。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2,。此時,，電流ic2再經(jīng)BG1放大，于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2,。這個電流又流回到BG2的基極,，表成正反饋，使ib2不斷增大,，如此正向饋循環(huán)的結(jié)果,，兩個管子的電流劇增，可控硅使飽和導(dǎo)通,。由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋作用,，所以一旦可控硅導(dǎo)通后，即使控制極G的電流消失了,，可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài),，由于觸發(fā)信號只起觸發(fā)作用,，沒有關(guān)斷功能，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的,。由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),，所以它具有開關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化,，此條件見表1三,、用萬用表可以區(qū)分晶閘管的三個電極嗎?怎樣測試晶閘管的好壞呢?普通晶閘管的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。

輸出電壓與輸入電壓比值很?。┫螺敵龅碾娏鞣逯岛艽螅娏鞯挠行е岛苄,。ㄖ绷鲀x表一般顯示平均值,，交流儀表顯示非正弦電流時比實際值小）,，但是輸出電流的有效值很大,，半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比，會使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀,。因此,，模塊應(yīng)選擇在大導(dǎo)通角的65％以上工作，及控制電壓應(yīng)在5V以上,。7,、模塊規(guī)格的選取方法考慮到晶閘管產(chǎn)品一般都是非正弦電流，存在導(dǎo)通角的問題并且負載電流有一定的波動性和不穩(wěn)定因素,，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,，在選取模塊電流規(guī)格時必須留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計算：I>K×I負載×U大?MU實際K：安全系數(shù),，阻性負載K=,，感性負載K=2；I負載：負載流過的大電流,；U實際：負載上的小電壓,；U大：模塊能輸出的大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的,，單相整流模塊為輸入電壓的,，其余規(guī)格均為）；I：需要選擇模塊的小電流,模塊標(biāo)稱的電流必須大于該值,。模塊散熱條件的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短時過載能力,，溫度越低模塊的輸出電流越大，所以在使用中必須配備散熱器和風(fēng)機,，建議采用帶有過熱保護功能的產(chǎn)品,，有水冷散熱條件的優(yōu)先選擇水冷散熱,。我們經(jīng)過嚴(yán)格測算。淄博正高電氣擁有先進的產(chǎn)品生產(chǎn)設(shè)備,，雄厚的技術(shù)力量,。

等等?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,，其有體積小、效率高,、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn),，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進入了強電領(lǐng)域,，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè),、交通運輸,、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件,。一,、可控硅的結(jié)構(gòu)和特性■可控硅模塊從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種（見圖表-25）,。螺旋式的應(yīng)用較多,。■可控硅模塊有三個電極----陽極（A）陰極（C）和控制極（G）,。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),，共有三個PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號見圖表-26,?！鰪膱D表-26中可以看到，可控硅和只有一個PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),。在應(yīng)用可控硅時,，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓,。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件,。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,?！隹煽毓枘K為什么其有“以小控大”的可控性呢,？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理?！鍪紫?，我們可以把從陰極向上數(shù)的、二,、三層看面是一只NPN型號晶體管,。淄博正高電氣運用高科技，不斷創(chuàng)新為企業(yè)經(jīng)營發(fā)展的宗旨,。廣東單向晶閘管移相調(diào)壓模塊分類

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圖1所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),，N+區(qū)稱為源區(qū),，附于其上的電極稱為源極。N+區(qū)稱為漏區(qū),。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極,。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成,。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成）,，稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）,。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector）,，它是IGBT特有的功能區(qū),，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管,，起發(fā)射極的作用,，向漏極注入空穴,，進行導(dǎo)電調(diào)制,，以降低器件的通態(tài)電壓,。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極,。IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP晶體管提供基極電流,，使IGBT導(dǎo)通。反之,，加反向門極電壓消除溝道,，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷,。IGBT的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同,，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性,。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,，從P+基極注入到N一層的空穴（少子）,，對N一層進行電導(dǎo)調(diào)制，減小N一層的電阻,，使IGBT在高電壓時,，也具有低的通態(tài)電壓。IGBT和可控硅區(qū)別IGBT與晶閘管1.整流元件（晶閘管）簡單地說：整流器是把單相或三相正弦交流電流通過整流元件變成平穩(wěn)的可調(diào)的單方向的直流電流,。其實現(xiàn)條件主要是依靠整流管,。浙江單向晶閘管移相調(diào)壓模塊供應(yīng)商

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