電力調(diào)整器采用全數(shù)字電路設(shè)計(jì)，使用方便可靠。由控制板,、散熱單元、電源模塊,、外殼等組成，控制板采用控制板,；散熱系統(tǒng)采用高能散熱器,，在同等體積下散熱效率提高30%；低噪音長(zhǎng)壽命風(fēng)扇,，保證系統(tǒng)的可靠性,。它由三相風(fēng)機(jī)和特殊外殼組成,。主要部分采用控制板和進(jìn)口可控硅整流模塊；散熱系統(tǒng)采用低噪音風(fēng)扇,，整機(jī)具備控制板的所有功能,。相反，通過(guò)應(yīng)用晶閘管及其觸發(fā)控制電路,，使用圓盤(pán)功率調(diào)節(jié)單元來(lái)調(diào)整負(fù)載功率,。目前，越來(lái)越多的晶閘管采用數(shù)字電路觸發(fā)來(lái)實(shí)現(xiàn)電壓和功率的調(diào)節(jié),。它是一種以晶閘管（電力電子功率器件）和智能數(shù)字控制電路為中心的功率控制裝置,。電動(dòng)調(diào)節(jié)器由觸發(fā)板、所用散熱器,、風(fēng)扇,、外殼等組成，主要部分采用控制板和可控硅整流模塊,；散熱系統(tǒng)采用插入式高能散熱器和低噪聲風(fēng)扇,。整個(gè)機(jī)器具有控制板的所有功能。而且效率是非常高的,，而且它是屬于無(wú)機(jī)械噪音的并且它的磨損是比較小的,，響應(yīng)速度也是非常快的,，而且從體積上來(lái)講也是非常小,，體重也是非常輕的，這也是它的優(yōu)點(diǎn),，它比較適用于鹽浴爐以及工頻感應(yīng)爐以及淬火的溫度控制,；還有一些像是熱處理爐的溫度控制以及玻璃的生產(chǎn)過(guò)程中的溫度的控制；還有一些半導(dǎo)體工業(yè)船蒸制的起源,。淄博正高電氣從國(guó)內(nèi)外引進(jìn)了一大批先進(jìn)的設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了工程設(shè)備的現(xiàn)代化,。內(nèi)蒙古雙向可控硅調(diào)壓模塊結(jié)構(gòu)

雙向可控硅MAC97A6的電路應(yīng)用MAC97A6為小功率雙向可控硅（雙向晶閘管）,，多應(yīng)用于電風(fēng)扇速度控制或電燈的亮度控制，市場(chǎng)上流行的“電腦風(fēng)扇”或“電子程控風(fēng)扇”,，不外乎是用集成電路控制器與老式風(fēng)扇相結(jié)合的新一代產(chǎn)品,。這里介紹的電路就是利用一塊市售的所用集成電路RY901及MAC97A6，將普通電扇改裝為具有多功能的電扇,，很適宜無(wú)線(xiàn)電愛(ài)好者制作與改裝,。這種新型IC的主要特點(diǎn)是：（1）集開(kāi)關(guān)、定時(shí),、調(diào)速,、模擬自然風(fēng)為一體,，外面圍元件少、電路簡(jiǎn)單,、易于制作,；（2）省掉了體積較大的機(jī)械定時(shí)器和調(diào)速器，采用輕觸式開(kāi)關(guān)和電腦控制脈沖觸發(fā),，因而無(wú)機(jī)械磨損,，使用壽命長(zhǎng)。（3）各種動(dòng)作電腦程序具備相應(yīng)的發(fā)光管指示,，耗電量少,，體積小，重量輕,，顯示直觀,，便于操作；（4）適合開(kāi)發(fā)或改造成多路家電的定時(shí)控制等,。RY901采用雙列直插式16腳塑封結(jié)構(gòu),，為低功耗CMOS集成電路。其外形,、引出腳排列及各腳功能如圖1所示,。在剛接通電源時(shí)，電腦控制器暫處于復(fù)位（靜止）狀態(tài),，面板上所有發(fā)光二極管VD1－VD8均不亮,，電風(fēng)扇不轉(zhuǎn)。用以控制它的導(dǎo)通與截止,，再經(jīng)電抗器L進(jìn)行阻抗變換,，即可按強(qiáng)風(fēng)、中風(fēng),、弱風(fēng),、強(qiáng)風(fēng)……的順序來(lái)改變其工作狀態(tài)，并且風(fēng)速指示管VD1－VD3,。廣東三相可控硅調(diào)壓模塊廠(chǎng)家淄博正高電氣公司可靠的質(zhì)量保證體系和經(jīng)營(yíng)管理體系,，使產(chǎn)品質(zhì)量日趨穩(wěn)定。

晶閘管陽(yáng)極與陰極之間施加正弦半波反向電壓,，當(dāng)其反向漏電電流急劇增加時(shí)反對(duì)應(yīng)的峰值電壓,。(五)晶閘管反向重復(fù)峰值電壓VRRM反向重復(fù)峰值電壓VRRM，是指晶閘管在門(mén)極G斷路時(shí),，允許加在A,、K極間的大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓,。(六)晶閘管正向平均電壓降VF正向平均電壓降VF也稱(chēng)通態(tài)平均電壓或通態(tài)壓降VT,，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下,，當(dāng)通過(guò)晶閘管的電流為額定電流時(shí)，其陽(yáng)極A與陰極K之間電壓降的平均值,，通常為,。(七)晶閘管門(mén)極觸發(fā)電壓VGT門(mén)極觸發(fā)VGT，是指在規(guī)定的環(huán)境溫度和晶閘管陽(yáng)極與陰極之間為一定值正向電壓的條件下,，使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的小門(mén)極直流電壓,，一般為。(八)晶閘管門(mén)極觸發(fā)電流IGT門(mén)極觸發(fā)電流IGT,，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和晶閘管陽(yáng)極與陰極之間為一定值電壓的條件下,，使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的小門(mén)極直流電流。(九)晶閘管門(mén)極反向電壓門(mén)極反向電壓是指晶閘管門(mén)極上所加的額定電壓,，一般不超過(guò)10V,。(十)晶閘管維持電流IH維持電流IH是指維持晶閘管導(dǎo)通的小電流。當(dāng)正向電流小于IH時(shí),，導(dǎo)通的晶閘管會(huì)自動(dòng)關(guān)斷,。(十一)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電流IDR斷態(tài)重復(fù)峰值電流IDR。

就組成了一個(gè)簡(jiǎn)單實(shí)用的大功率無(wú)級(jí)調(diào)速電路,。這個(gè)電路的獨(dú)特之處在于可控硅控制極不需外加電源,，只要將負(fù)載與本電路串聯(lián)后接通電源，兩個(gè)控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動(dòng)直流電壓產(chǎn)生,，調(diào)節(jié)電位器R2即可改變兩只可控硅的導(dǎo)通角,，增大R2的阻值到一定程度，便可使兩個(gè)主可控硅阻斷,，因此R2還可起開(kāi)關(guān)的作用,。該電路的另一個(gè)特點(diǎn)是兩只主可控硅交替導(dǎo)通，一個(gè)的正向壓降就是另一個(gè)的反向壓降,，因此不存在反向擊穿問(wèn)題,。但當(dāng)外加電壓瞬時(shí)超過(guò)阻斷電壓時(shí)，SCR1,、SCR2會(huì)誤導(dǎo)通,，導(dǎo)通程度由電位器R2決定。SCR3與周?chē)?gòu)成普通移相觸發(fā)電路,，其原理這里從略。SCR1,、SCR2筆者選用的是封裝好的可控硅模塊（110A／1000V）,，SCR3選用BTl36，即600V的雙向可控硅,。本電路如用于感性負(fù)載,，應(yīng)增加R4,，C3阻容吸收電路及壓敏電阻RV作過(guò)壓保護(hù)，防止負(fù)載斷開(kāi)和接通瞬間產(chǎn)生很高的感應(yīng)電壓損壞可控硅,?？煽毓枵{(diào)壓器電路圖（五）一種吸塵器使用可控硅元件構(gòu)成調(diào)速電路可控硅調(diào)壓器電路圖（六）這個(gè)電路的獨(dú)特之處在于可控硅控制極不需外加電源可控硅調(diào)壓器電路圖（七）一種大功率直流電機(jī)調(diào)速電路可控硅調(diào)壓器電路圖（八）使用一個(gè)負(fù)溫度系數(shù)（NTC）的熱敏電阻。淄博正高電氣累積點(diǎn)滴改進(jìn),，邁向優(yōu)良品質(zhì),！

可控硅保護(hù)電路如何設(shè)計(jì)可控硅的保護(hù)電路，大致可以分為兩種情況：一種是在適當(dāng)?shù)牡胤桨惭b保護(hù)器件,，例如,，R-C阻容吸收回路、限流電感,、快速熔斷器,、壓敏電阻或硒堆等。再一種則是采用電子保護(hù)電路,，檢測(cè)設(shè)備的輸出電壓或輸入電流,，當(dāng)輸出電壓或輸入電流超過(guò)允許值時(shí)，借助整流觸發(fā)控制系統(tǒng)使整流橋短時(shí)內(nèi)工作于有源逆變工作狀態(tài),，從而過(guò)電壓或過(guò)電流的數(shù)值,。1.過(guò)流保護(hù)可控硅設(shè)備產(chǎn)生過(guò)電流的原因可以分為兩類(lèi):一類(lèi)是由于整流電路內(nèi)部原因,如整流可控硅損壞,觸發(fā)電路或控制系統(tǒng)有故障等;其中整流橋可控硅損壞類(lèi)較為嚴(yán)重,一般是由于可控硅因過(guò)電壓而擊穿,造成無(wú)正、反向阻斷能力,，它相當(dāng)于整流橋臂發(fā)生長(zhǎng)久性短路,，使在另外兩橋臂可控硅導(dǎo)通時(shí)，無(wú)法正常換流,，因而產(chǎn)生線(xiàn)間短路引起過(guò)電流.另一類(lèi)則是整流橋負(fù)載外電路發(fā)生短路而引起的過(guò)電流,，這類(lèi)情況時(shí)有發(fā)生，因?yàn)檎鳂虻呢?fù)載實(shí)質(zhì)是逆變橋,逆變電路換流失敗,，就相當(dāng)于整流橋負(fù)載短路,。另外，如整流變壓器中心點(diǎn)接地,，當(dāng)逆變負(fù)載回路接觸大地時(shí),，也會(huì)發(fā)生整流橋相對(duì)地短路。2.可控硅的過(guò)壓保護(hù)可控硅設(shè)備在運(yùn)行過(guò)程中,，會(huì)受到由交流供電電網(wǎng)進(jìn)入的操作過(guò)電壓和雷擊過(guò)電壓的侵襲,。淄博正高電氣生產(chǎn)的產(chǎn)品質(zhì)量上乘。內(nèi)蒙古雙向可控硅調(diào)壓模塊結(jié)構(gòu)

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設(shè)備自身運(yùn)行中以及非正常運(yùn)行中也有過(guò)電壓出現(xiàn),。過(guò)電壓保護(hù)的第一種方法是并接R-C阻容吸收回路，以及用壓敏電阻或硒堆等非線(xiàn)性元件加以,。過(guò)電壓保護(hù)的第二種方法是采用電子電路進(jìn)行保護(hù),。3.電流上升率、電壓上升率的保護(hù)（1）電流上升率di/dt的可控硅初開(kāi)通時(shí)電流集中在靠近門(mén)極的陰極表面較小的區(qū)域,，局部電流密度很大,，然后以μs的擴(kuò)展速度將電流擴(kuò)展到整個(gè)陰極面，若可控硅開(kāi)通時(shí)電流上升率di/dt過(guò)大,，會(huì)導(dǎo)致PN結(jié)擊穿,，必須限制可控硅的電流上升率使其在合適的范圍內(nèi)。其有效辦法是在可控硅的陽(yáng)極回路串聯(lián)入電感,。如下圖:（2）.電壓上升率dv/dt的加在可控硅上的正向電壓上升率dv/dt也應(yīng)有所限制,如果dv/dt過(guò)大,，由于晶閘管結(jié)電容的存在而產(chǎn)生較大的位移電流，該電流可以實(shí)際上起到觸發(fā)電流的作用,，使晶閘管正向阻斷能力下降,，嚴(yán)重時(shí)引起晶閘管誤導(dǎo)通。為dv/dt的作用,，可以在晶閘管兩端并聯(lián)R-C阻容吸收回路,。如下圖：4.為什么要在可控硅兩端并聯(lián)阻容網(wǎng)絡(luò)在實(shí)際可控硅電路中，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),，該網(wǎng)絡(luò)常稱(chēng)為RC阻容吸收電路,。可控硅有一個(gè)重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt,。它表明可控硅在額定結(jié)溫和門(mén)極斷路條件下,。內(nèi)蒙古雙向可控硅調(diào)壓模塊結(jié)構(gòu)

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