當(dāng)電容C被充足電后,，使三極管V由截止轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)，將可控硅SCR關(guān)斷，電燈也就熄滅了。本電路關(guān)燈延時(shí)期間，延時(shí)時(shí)間由R1、C的取值來(lái)確定，讀者也可根據(jù)各自需要自行確定,。本電路中的可控硅,，筆者選用的為單向可控硅，在關(guān)燈延時(shí)期間電燈的亮度約為開(kāi)燈時(shí)亮度的一半,，以適合人們的視覺(jué)上的需要,，同時(shí)又可節(jié)能。電路制作：圖中單向可控硅SCR選用MCR100－8,，耐壓須為600V以上,。燈泡的功率不大于100W為宜。二極管VD為1N4007,，V為C1815,。電阻均為1／8W碳膜電阻。制作時(shí),，用一小塊電路板將圖中虛線框內(nèi)各元器件焊裝上,。好將本電路裝在拉線開(kāi)關(guān)底部凹槽內(nèi)，用膠水粘牢并將引線接至開(kāi)關(guān)兩接線端即可,。8：?jiǎn)捂I自鎖開(kāi)關(guān)單鍵自鎖開(kāi)關(guān)說(shuō)明1,、上電不動(dòng)作。2,、按鈕按下后再釋放,，繼電器吸合。3,、按鈕長(zhǎng)按時(shí),，繼電器釋放,，松開(kāi)后繼電器吸合,。4、按鈕點(diǎn)按時(shí)：繼電器釋放←→吸合循環(huán)動(dòng)作,。5,、因?yàn)?7Ω電阻有壓降，繼電器可以用DC9V的,。9：簡(jiǎn)單的停電自鎖開(kāi)關(guān)電網(wǎng)供電正常時(shí),，它象普通開(kāi)關(guān)一樣使用。按一下K1,，220V交流電經(jīng)R1和R2分壓給雙向可控硅提供一觸發(fā)電壓,，使雙向可控硅導(dǎo)通?？煽毓鑼?dǎo)通后,，在電源電壓正半周期間，少量電流經(jīng)R4,、D向C充電,，同時(shí)經(jīng)R3,、R2分壓觸發(fā)可控硅。淄博正高電氣公司在多年積累的客戶(hù)好口碑下,，不但在產(chǎn)品規(guī)格配套方面占據(jù)優(yōu)勢(shì),。寧夏單相晶閘管移相調(diào)壓模塊組件

確定了不同型號(hào)的產(chǎn)品所應(yīng)該配備的散熱器型號(hào)，推薦采用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī),，用戶(hù)自備時(shí)按以下原則選?。?、軸流風(fēng)機(jī)的風(fēng)速應(yīng)大于6m/s,；2,、必須能保證模塊正常工作時(shí)散熱底板溫度不大于80℃；3,、模塊負(fù)載較輕時(shí),，可減小散熱器的大小或采用自然冷卻；4,、采用自然方式冷卻時(shí)散熱器周?chē)目諝饽軐?shí)現(xiàn)對(duì)流并適當(dāng)增大散熱器面積,；5、所有緊固模塊的螺釘必須擰緊,，壓線端子連接牢固,，以減少次生熱量的產(chǎn)生，模塊底板和散熱器之間必須要涂敷一層導(dǎo)熱硅脂或墊上一片底板大小的導(dǎo)熱墊,，以達(dá)到佳散熱效果,。8、模塊的安裝與維護(hù)（1）在模塊導(dǎo)熱底板表面與散熱器表面各均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂,，然后用四個(gè)螺釘把模塊固定于散熱器上,，固定螺釘不要一次擰緊，幾個(gè)螺釘要依次固定,，用力要均勻,，反復(fù)幾次，直至牢固,，使模塊底板與散熱器表面緊密接觸,。（2）把散熱器和風(fēng)機(jī)按要求裝配好后，垂直固定于機(jī)箱合適位置,。（3）用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊,，好浸錫，然后套上絕緣熱縮管,，用熱風(fēng)加熱收縮,。將接線端頭固定于模塊電極上，并保持良好的平面壓力接觸,，嚴(yán)禁將電纜銅線直接壓接在模塊電極上,。（4）為延長(zhǎng)產(chǎn)品使用壽命,，建議每隔3-4個(gè)月維護(hù)一次，更換一次導(dǎo)熱硅脂,，表面灰塵,。德州晶閘管移相調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家淄博正高電氣從國(guó)內(nèi)外引進(jìn)了一大批先進(jìn)的設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了工程設(shè)備的現(xiàn)代化,。

因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連,，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大,。如此循環(huán)放大,，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通,。實(shí)際這一過(guò)程是“一觸即發(fā)”的過(guò)程,，對(duì)可控硅來(lái)說(shuō)，觸發(fā)信號(hào)加入控制極,，可控硅立即導(dǎo)通,。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,，而是經(jīng)過(guò)BG1,、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通,。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失,，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開(kāi)電源Ea或降低Ea，使BG1,、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時(shí),，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,，如果Ea極性反接，BG1,、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài),。這時(shí)，即使輸入觸發(fā)信號(hào),，可控硅也不能工作,。反過(guò)來(lái)，Ea接成正向,，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的,，可控硅也不能導(dǎo)通,。另外，如果不加觸發(fā)信號(hào),，而正向陽(yáng)極電壓大到超過(guò)一定值時(shí),，可控硅也會(huì)導(dǎo)通，但已屬于非正常工作情況了,?？煽毓柽@種通過(guò)觸發(fā)信號(hào)（小的觸發(fā)電流）來(lái)控制導(dǎo)通（可控硅中通過(guò)大電流）的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征,。

一,、可控硅模塊的分類(lèi)：可控硅模塊通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊。引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,，是采用模塊封裝形式,，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件?？煽毓枘K因其體積小,、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊,、可靠性高,、外接線簡(jiǎn)單、互換性好,、便于維修和安裝的優(yōu)點(diǎn),，一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧，并因此得到長(zhǎng)足發(fā)展,?？煽毓杈湍K類(lèi)型的按封裝工藝來(lái)分可以分為焊接式和壓接式。從具體的用途上區(qū)分,，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX）,；普通整流管模塊（MDC）；普通晶閘管,、整流管混合模塊（MFC）,；快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）,；非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)所用模塊MTG\MDG）；三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）,；單相（三相）整流橋模塊（MDQ）,；單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）以及肖特基模塊等。二、可控硅模塊的選擇方法可控硅模塊一般都對(duì)錯(cuò)正弦電流,，存在導(dǎo)通角的疑問(wèn)而且負(fù)載電流有必定的波動(dòng)性和不穩(wěn)定要素,，且可控硅芯片抗電流沖擊才華較差，在挑選模塊電流標(biāo)準(zhǔn)時(shí)有必要留出必定余量,。模塊散熱條件的好壞直接關(guān)系到商品的運(yùn)用壽數(shù)和短時(shí)過(guò)載才華,，溫度越低模塊的輸出電流越大。淄博正高電氣產(chǎn)品**國(guó)內(nèi),。

其閘流特性表現(xiàn)為當(dāng)可控硅加上正向陽(yáng)極電壓的同時(shí)又加上適當(dāng)?shù)恼蚩刂齐妷簳r(shí),，可控硅就導(dǎo)通；這一導(dǎo)通即使在撤去門(mén)極控制電壓后仍將維持,，一直到加上反向陽(yáng)極電壓或陽(yáng)極電流小于可控硅自身的維持電流后才關(guān)斷,。普通的可控硅調(diào)光器就是利用可控硅的這一特性實(shí)現(xiàn)前沿觸發(fā)相控調(diào)壓的。在正弦波交流電過(guò)零后的某一時(shí)刻t1（或某一相位角wt1）,，在可控硅控制極上加一觸發(fā)脈沖,，使可控硅導(dǎo)通，根據(jù)前面介紹過(guò)的可控硅開(kāi)關(guān)特性,，這一導(dǎo)通將維持到正弦波正半周結(jié)束,。因此在正弦波的正半周（即0~p區(qū)間）中，0~wt1范圍可控硅不導(dǎo)通,，這一范圍稱(chēng)為控制角,，常用a表示；而在wt1~p間可控硅導(dǎo)通,，這一范圍稱(chēng)為導(dǎo)通角,，常用j表示。同理在正弦波交流電的負(fù)半周,，對(duì)處于反向聯(lián)接的另一個(gè)可控硅（對(duì)兩個(gè)單向可控硅反并聯(lián)或雙向可控硅而言）在t2時(shí)刻（即相位角wt2）施加觸發(fā)脈沖,，使其導(dǎo)通。如此周而復(fù)始,，對(duì)正弦波每半個(gè)周期控制其導(dǎo)通,，獲得相同的導(dǎo)通角。如改變觸發(fā)脈沖的施加時(shí)間（或相位）,，即改變了導(dǎo)通角j（或控制角a）的大小,。導(dǎo)通角越大調(diào)光器輸出的電壓越高，燈就越亮,。從上述可控硅調(diào)光原理可知,，調(diào)光器輸出的電壓波形已經(jīng)不再是正弦波了，除非調(diào)光器處在全導(dǎo)通狀態(tài),。淄博正高電氣公司可靠的質(zhì)量保證體系和經(jīng)營(yíng)管理體系，使產(chǎn)品質(zhì)量日趨穩(wěn)定。河北單向晶閘管移相調(diào)壓模塊型號(hào)

淄博正高電氣多方位滿(mǎn)足不同層次的消費(fèi)需求,。寧夏單相晶閘管移相調(diào)壓模塊組件

措施：在三相變壓器次級(jí)星形中點(diǎn)與地之間并聯(lián)適當(dāng)電容,，就可以減小這種過(guò)電壓。與整流器并聯(lián)的其它負(fù)載切斷時(shí),，因電源回路電感產(chǎn)生感應(yīng)電勢(shì)的過(guò)電壓,。變壓器空載且電源電壓過(guò)零時(shí)，初級(jí)拉閘,，因變壓器激磁電流的突變,，在次級(jí)感生出很高的瞬時(shí)電壓，這種電壓尖峰值可達(dá)工作電壓的6倍以上,。交流電網(wǎng)遭雷擊或電網(wǎng)侵入干擾過(guò)電壓,，即偶發(fā)性浪涌電壓，都必須加阻容吸收路進(jìn)行保護(hù),。3．直流側(cè)過(guò)電壓及保護(hù)當(dāng)負(fù)載斷開(kāi)時(shí)或快熔斷時(shí),，儲(chǔ)存在變壓器中的磁場(chǎng)能量會(huì)產(chǎn)生過(guò)電壓，顯然在交流側(cè)阻容吸收保護(hù)電路可以這種過(guò)電壓,，但由于變壓器過(guò)載時(shí)儲(chǔ)存的能量比空載時(shí)要大,，還不能完全消除。措施：能常采用壓敏吸收進(jìn)行保護(hù),。4．過(guò)電流保護(hù)一般加快速熔斷器進(jìn)行保護(hù),，實(shí)際上它不能保護(hù)可控硅，而是保護(hù)變壓器線圈,。5．電壓,、電流上升率的限制4.均流與晶閘管選擇均流不好，很容易燒壞元件,。為了解決均流問(wèn)題,，過(guò)去加均流電抗器，噪聲很大,，效果也不好,，一只一只進(jìn)行對(duì)比，擰螺絲松緊,，很盲目,，效果差，噪音大,，耗能,。我們采用的辦法是：用計(jì)算機(jī)程序軟件進(jìn)行動(dòng)態(tài)參數(shù)篩選匹配、編號(hào),，裝配時(shí)按其號(hào)碼順序裝配,，很間單,。每一只元件上都刻有字，以便下更換時(shí)參考,。這樣能使均流系數(shù)可達(dá)到,。寧夏單相晶閘管移相調(diào)壓模塊組件

淄博正高電氣有限公司坐落于交通便利、經(jīng)濟(jì)發(fā)達(dá),、文化底蘊(yùn)深厚的淄博市臨淄區(qū),，是專(zhuān)業(yè)從事電力電子產(chǎn)品、及其相關(guān)產(chǎn)品的開(kāi)發(fā),、生產(chǎn),、銷(xiāo)售及服務(wù)為一體的高科技企業(yè)。主要生產(chǎn)各類(lèi)規(guī)格型號(hào)的晶閘管智能模塊,、固態(tài)繼電器模塊,、橋臂模塊、整流橋模塊,、各類(lèi)控制柜和配套模塊使用的觸發(fā)板,、控制板等產(chǎn)品，并可根據(jù)用戶(hù)需求進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)加工,。近年來(lái),，本公司堅(jiān)持以人為本，始終立足于科技的前沿,，狠抓產(chǎn)品質(zhì)量,，產(chǎn)品銷(xiāo)往全國(guó)各地，深受用戶(hù)的好評(píng),。 淄博正高電氣有限公司伴隨著發(fā)展的腳步,，在社會(huì)各界及客戶(hù)的大力支持下，生機(jī)勃發(fā),，春意盎然,。面向未來(lái)，前程似錦,，豪情滿(mǎn)懷,。今后，我們將進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品品質(zhì),，堅(jiān)持科技創(chuàng)新,，一切為用戶(hù)著想，以前列的服務(wù)為社會(huì)奉獻(xiàn)高,、精,、尖的優(yōu)良產(chǎn)品，不斷改進(jìn),、不斷提高是我們不變的追求,，用戶(hù)滿(mǎn)意是我們追求的方向,。正高電氣全體員工恭候各界朋友前來(lái)我公司參觀指導(dǎo)，恰談業(yè)務(wù),！