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濟(jì)寧單向晶閘管移相調(diào)壓模塊報(bào)價(jià)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-05-28

特點(diǎn):1、芯片與底板電氣絕緣2、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)封裝3,、全壓接結(jié)構(gòu),,優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力4、350A以下模塊皆為強(qiáng)迫風(fēng)冷,,400A以上模塊既可選用風(fēng)冷,,也可選用水冷5、安裝簡(jiǎn)單,,使用維修方便典型應(yīng)用:1,、交直流電機(jī)控制2、各種整流電源3,、工業(yè)加熱控制4,、調(diào)光5、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)6,、電機(jī)軟起動(dòng)7、靜止無(wú)功補(bǔ)償8,、電焊機(jī)9,、變頻器10、UPS電源11,、電池充放電,,淄博正高電氣有限公司有10多年功率半導(dǎo)體元器件制造經(jīng)驗(yàn),是專(zhuān)業(yè)從事功率半導(dǎo)體器件的研發(fā),、封裝,、測(cè)試、銷(xiāo)售,、技術(shù)服務(wù)為一體的****,,多年來(lái)一直從事冶金自動(dòng)化和鐵路電氣化領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)化工作。我公司的電力半導(dǎo)體器件有:全系列功率模塊,,普通整流管(ZP),,快速整流管(ZK),軟恢復(fù)快速整流管(FRD),,旋轉(zhuǎn)整流管(ZX),,大功率組合整流元件,普通晶閘管(KP),,快速晶閘管(KK),,雙向晶閘管(KS),逆導(dǎo)晶閘管(KN),,可關(guān)斷晶閘管(GTO),,電力晶體管(GTR)發(fā)電機(jī)旋轉(zhuǎn)勵(lì)磁整流組件,各種功率單元。這些元件廣泛應(yīng)用于電化學(xué)電源,,充電電源,,電機(jī)調(diào)速,感應(yīng)加熱及熱處理等各種整流,、逆變和變頻領(lǐng)域,。我公司所生產(chǎn)的電力電子器件成功的替代了多種進(jìn)口器件,實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)軋機(jī)原器件的國(guó)產(chǎn)化,。淄博正高電氣迎接挑戰(zhàn),,推陳出新,與廣大客戶(hù)攜手并進(jìn),,共創(chuàng)輝煌,!濟(jì)寧單向晶閘管移相調(diào)壓模塊報(bào)價(jià)

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圖1所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),N+區(qū)稱(chēng)為源區(qū),,附于其上的電極稱(chēng)為源極,。N+區(qū)稱(chēng)為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),,附于其上的電極稱(chēng)為柵極,。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏,、源之間的P型區(qū)(包括P+和P一區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),,稱(chēng)為亞溝道區(qū)(Subchannelregion)。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱(chēng)為漏注入?yún)^(qū)(Draininjector),,它是IGBT特有的功能區(qū),,與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管,起發(fā)射極的作用,,向漏極注入空穴,,進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,以降低器件的通態(tài)電壓,。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱(chēng)為漏極,。IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,,使IGBT導(dǎo)通,。反之,加反向門(mén)極電壓消除溝道,,切斷基極電流,,使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同,,只需控制輸入極N一溝道MOSFET,,所以具有高輸入阻抗特性,。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,從P+基極注入到N一層的空穴(少子),,對(duì)N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,,減小N一層的電阻,使IGBT在高電壓時(shí),,也具有低的通態(tài)電壓,。IGBT和可控硅區(qū)別IGBT與晶閘管1.整流元件(晶閘管)簡(jiǎn)單地說(shuō):整流器是把單相或三相正弦交流電流通過(guò)整流元件變成平穩(wěn)的可調(diào)的單方向的直流電流。其實(shí)現(xiàn)條件主要是依靠整流管,。東營(yíng)單相晶閘管移相調(diào)壓模塊批發(fā)淄博正高電氣永遠(yuǎn)是您身邊的行業(yè)**,!

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可控硅又稱(chēng)晶閘管(晶體閘流管),是一種常用的功率型半導(dǎo)體器件,,其主要的功能是功率控制,。可控硅可分為單向可控硅,、雙向可控硅,、可關(guān)斷可控硅等??煽毓璧奶攸c(diǎn)是具有可控的單向?qū)щ娦?,以小電流控制大電流,以低電壓控制高電壓,??煽毓杩梢杂萌f(wàn)用表進(jìn)行檢測(cè),。一,、檢測(cè)單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結(jié)構(gòu),形成3個(gè)PN結(jié),,具有3個(gè)外電極:陽(yáng)極A,、陰極K、控制極G,。單向可控硅的引腳如下圖所示,。檢測(cè)時(shí),萬(wàn)用表置于“Rx10Ω”檔,,黑表筆(表內(nèi)電池正極)接單向可控硅的控制極G,,紅表筆(表內(nèi)電池負(fù)極)接單向可控硅的陰極K,這時(shí)測(cè)量的是單向可控硅PN結(jié)的正向電阻,,應(yīng)有較小的阻值,。如下圖所示。對(duì)調(diào)兩表筆后,,測(cè)其反向電阻,,應(yīng)比正向電阻明顯大一些,。萬(wàn)用表黑表筆仍接單向可控硅控制極G,紅表筆改接單向可控硅的陽(yáng)極A,,阻值應(yīng)為無(wú)窮大,,如下圖所示。對(duì)調(diào)兩表筆后,,再測(cè),,阻值仍應(yīng)為無(wú)窮大。這是因?yàn)镚,、A間為兩個(gè)PN結(jié)反向串聯(lián),,正常情況下其正、反向阻值均為無(wú)窮大,。二,、檢測(cè)單向晶閘管導(dǎo)通特性萬(wàn)用表置于Rx1Ω檔,黑表筆接單向可控硅陽(yáng)極A,,紅表筆接單向可控硅陰極K,,表針應(yīng)指示為無(wú)窮大。這是用金屬導(dǎo)體將控制極G與陽(yáng)極A短接一下(短接后馬上斷開(kāi)),。

措施:在三相變壓器次級(jí)星形中點(diǎn)與地之間并聯(lián)適當(dāng)電容,,就可以減小這種過(guò)電壓。與整流器并聯(lián)的其它負(fù)載切斷時(shí),,因電源回路電感產(chǎn)生感應(yīng)電勢(shì)的過(guò)電壓,。變壓器空載且電源電壓過(guò)零時(shí),初級(jí)拉閘,,因變壓器激磁電流的突變,,在次級(jí)感生出很高的瞬時(shí)電壓,這種電壓尖峰值可達(dá)工作電壓的6倍以上,。交流電網(wǎng)遭雷擊或電網(wǎng)侵入干擾過(guò)電壓,,即偶發(fā)性浪涌電壓,都必須加阻容吸收路進(jìn)行保護(hù),。3.直流側(cè)過(guò)電壓及保護(hù)當(dāng)負(fù)載斷開(kāi)時(shí)或快熔斷時(shí),,儲(chǔ)存在變壓器中的磁場(chǎng)能量會(huì)產(chǎn)生過(guò)電壓,顯然在交流側(cè)阻容吸收保護(hù)電路可以這種過(guò)電壓,,但由于變壓器過(guò)載時(shí)儲(chǔ)存的能量比空載時(shí)要大,,還不能完全消除。措施:能常采用壓敏吸收進(jìn)行保護(hù),。4.過(guò)電流保護(hù)一般加快速熔斷器進(jìn)行保護(hù),,實(shí)際上它不能保護(hù)可控硅,而是保護(hù)變壓器線(xiàn)圈,。5.電壓,、電流上升率的限制4.均流與晶閘管選擇均流不好,,很容易燒壞元件。為了解決均流問(wèn)題,,過(guò)去加均流電抗器,,噪聲很大,效果也不好,,一只一只進(jìn)行對(duì)比,,擰螺絲松緊,很盲目,,效果差,,噪音大,耗能,。我們采用的辦法是:用計(jì)算機(jī)程序軟件進(jìn)行動(dòng)態(tài)參數(shù)篩選匹配,、編號(hào),裝配時(shí)按其號(hào)碼順序裝配,,很間單,。每一只元件上都刻有字,以便下更換時(shí)參考,。這樣能使均流系數(shù)可達(dá)到,。淄博正高電氣具有一支經(jīng)驗(yàn)豐富、技術(shù)力量過(guò)硬的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人才管理團(tuán)隊(duì),。

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1,、晶閘管智能模塊的應(yīng)用領(lǐng)域該智能模塊廣泛應(yīng)用于控溫、調(diào)光,、勵(lì)磁,、電鍍、電解,、充放電,、電焊機(jī),、等離子拉弧,、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合,如工業(yè),、通訊,、部對(duì)所用等各類(lèi)電氣控制、電源等,,根據(jù)還可通過(guò)模塊的控制端口與多功能控制板連接,,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓,、軟啟動(dòng)等功能,,并可實(shí)現(xiàn)過(guò)流,、過(guò)壓、過(guò)溫,、缺相等保護(hù)功能,。2、晶閘管智能模塊的控制方式通過(guò)輸入模塊控制接口一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào),,通過(guò)調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)模塊的輸出電壓大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié),,實(shí)現(xiàn)模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或全部導(dǎo)通的過(guò)程。電壓或電流信號(hào)可取自各種控制儀表,、計(jì)算機(jī)D/A輸出,,電位器直接從直流電源分壓等各種方法;控制信號(hào)采用0~5V,,0~10V,,4~20mA三種比較常用的控制形式。3,、模塊的控制端口與控制線(xiàn)模塊控制端接口有5腳,、9腳和15腳三種形式,分別對(duì)應(yīng)于5芯,、9芯,、15芯的控制線(xiàn)。采用電壓信號(hào)的產(chǎn)品只用前面五個(gè)腳端口,,其余為空腳,,采用電流信號(hào)的9腳為信號(hào)輸入,控制線(xiàn)的屏蔽層銅線(xiàn)應(yīng)焊接到直流電源地線(xiàn)上,連接時(shí)注意不要同其它的端子短路,以免不能正常工作或可能燒壞模塊,。模塊控制端口插座和控制線(xiàn)插座上都有編號(hào),,請(qǐng)一一對(duì)應(yīng),不要接反,。淄博正高電氣講誠(chéng)信,,重信譽(yù),多面整合市場(chǎng)推廣,。日照大功率晶閘管移相調(diào)壓模塊型號(hào)

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壓接式和焊接式可控硅模塊有哪些區(qū)別?可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式,,擁有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,,這種可控硅模塊的體積非常的小,結(jié)構(gòu)也十分的緊湊,,對(duì)于維修與安裝都有很大的作用,,可控硅模塊的類(lèi)型非常的多,比方說(shuō)壓接式可控硅模塊,、焊接式可控硅模塊等,,很多人不是很清楚兩者之間的差異,,下面詳細(xì)的進(jìn)行區(qū)分一下。①?gòu)碾娏鞣矫鎭?lái)講,,焊接式可控硅模塊可以做到160A電流,,同時(shí)壓接式模塊的電流就能夠達(dá)到1200A,這就是講低于160A的模塊,,不只是有焊接式的,,同時(shí)也有壓接式的??煽毓枘K②從外形方面來(lái)講,,焊接式的可控硅模塊遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒(méi)有壓接式的外形比較好,壓接式的屬于一體成型,,技術(shù)十分的標(biāo)準(zhǔn),,焊接式的局部地區(qū)可能有焊接的痕跡,但是在使用的時(shí)候是沒(méi)有任何的影響的,。③眾所周知,,壓接式可控硅模塊的市場(chǎng)占有率是非常大的,有不少的公司都會(huì)使用壓接式可控硅模塊,,這其中的原因可能使由于其外形十分的美觀(guān),,除此之外從價(jià)格方面來(lái)講,焊接式可控硅模塊的成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)要比壓接式可控硅模塊的成本低,。濟(jì)寧單向晶閘管移相調(diào)壓模塊報(bào)價(jià)

淄博正高電氣有限公司坐落于交通便利,、經(jīng)濟(jì)發(fā)達(dá)、文化底蘊(yùn)深厚的淄博市臨淄區(qū),,是專(zhuān)業(yè)從事電力電子產(chǎn)品,、及其相關(guān)產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)、生產(chǎn),、銷(xiāo)售及服務(wù)為一體的高科技企業(yè),。主要生產(chǎn)各類(lèi)規(guī)格型號(hào)的晶閘管智能模塊、固態(tài)繼電器模塊,、橋臂模塊,、整流橋模塊、各類(lèi)控制柜和配套模塊使用的觸發(fā)板,、控制板等產(chǎn)品,,并可根據(jù)用戶(hù)需求進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)加工,。近年來(lái),,本公司堅(jiān)持以人為本,始終立足于科技的前沿,,狠抓產(chǎn)品質(zhì)量,,產(chǎn)品銷(xiāo)往全國(guó)各地,,深受用戶(hù)的好評(píng)。 淄博正高電氣有限公司伴隨著發(fā)展的腳步,,在社會(huì)各界及客戶(hù)的大力支持下,,生機(jī)勃發(fā),春意盎然,。面向未來(lái),,前程似錦,豪情滿(mǎn)懷,。今后,,我們將進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品品質(zhì),堅(jiān)持科技創(chuàng)新,,一切為用戶(hù)著想,,以前列的服務(wù)為社會(huì)奉獻(xiàn)高、精,、尖的優(yōu)良產(chǎn)品,,不斷改進(jìn)、不斷提高是我們不變的追求,,用戶(hù)滿(mǎn)意是我們追求的方向,。正高電氣全體員工恭候各界朋友前來(lái)我公司參觀(guān)指導(dǎo),恰談業(yè)務(wù),!