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聊城交流晶閘管移相調(diào)壓模塊組件

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-07-11

改變負(fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,實(shí)現(xiàn)了可控整流,。如何鑒別可控硅模塊的三個(gè)極鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,,根據(jù)P-N結(jié)的原理,只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以,。陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,,陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),而且方向相反,,因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通),。控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),,因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,,反向電阻比正向電阻要大,。可是控制極二極管特性是不太理想的,,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,,可以有比較大的電流通過(guò),因此,,有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小,,并不能說(shuō)明控制極特性不好。另外,,在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí),,萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿,。若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路,或陽(yáng)極與控制極短路,,或控制極與陰極反向短路,,或控制極與陰極斷路,說(shuō)明元件已損壞,??煽毓枘K是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱(chēng),是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。實(shí)際上,,可控硅的功用不僅是整流,它還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷電路,,實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電。淄博正高電氣以更積極的態(tài)度,,更新,、更好的產(chǎn)品,更優(yōu)良的服務(wù),,迎接挑戰(zhàn),。聊城交流晶閘管移相調(diào)壓模塊組件

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可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種),。螺旋式的應(yīng)用較多,。可控硅有三個(gè)電極----陽(yáng)極(A)陰極(C)和控制極(G),。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),,共有三個(gè)PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào),。從圖表-26中可以看到,,可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用,,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),。在應(yīng)用可控硅時(shí),只要在控制極加上很小的電流或電壓,,就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓,。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,。可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢,?下面我們用圖表-27來(lái)簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理,。首先,我們可以把從陰極向上數(shù)的,、二,、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,而二,、三四層組成另一只PNP型晶體管,。對(duì)可控硅來(lái)說(shuō),觸發(fā)信號(hào)加入控制極,,可控硅立即導(dǎo)通,。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能??煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,,由于循環(huán)反饋的原因,流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,,而是經(jīng)過(guò)BG1,、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib1)這一電流遠(yuǎn)大于Ib1,足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通,。聊城交流晶閘管移相調(diào)壓模塊組件淄博正高電氣受行業(yè)客戶(hù)的好評(píng),,值得信賴(lài)。

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以上六個(gè)端口為模塊基本端口,,其它端口為特殊端口,,只在具有多功能產(chǎn)品中使用,普通調(diào)壓產(chǎn)品其余腳為空腳,。導(dǎo)通角與模塊輸出電流的關(guān)系模塊的導(dǎo)通角與模塊能輸出的大電流有直接關(guān)系,,模塊的標(biāo)稱(chēng)電流是大導(dǎo)通角時(shí)能輸出的大電流。在小導(dǎo)通角(輸出電壓與輸入電壓比值很小)下輸出的電流峰值很大,,但電流的有效值很?。ㄖ绷鲀x表一般顯示平均值,交流儀表顯示非正弦電流時(shí)比實(shí)際值?。?,但是輸出電流的有效值很大,半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比,,會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀,。因此,模塊應(yīng)選擇在大導(dǎo)通角的65%以上工作,,及控制電壓應(yīng)在5V以上,。模塊規(guī)格的選取方法考慮到晶閘管產(chǎn)品一般都是非正弦電流,存在導(dǎo)通角的問(wèn)題并且負(fù)載電流有一定的波動(dòng)性和不穩(wěn)定因素,,且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,,在選取模塊電流規(guī)格時(shí)必須留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計(jì)算:I>KI負(fù)載U大MU實(shí)際K:安全系數(shù),,阻性負(fù)載K=,,感性負(fù)載K=2;I負(fù)載:負(fù)載流過(guò)的大電流,;U實(shí)際:負(fù)載上的小電壓;U大:模塊能輸出的大電壓,;(三相整流模塊為輸入電壓的,,單相整流模塊為輸入電壓的,其余規(guī)格均為),;I:需要選擇模塊的小電流,模塊標(biāo)稱(chēng)的電流必須大于該值,。

可控硅模塊是有PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)成的元件,有三個(gè)電極,,陽(yáng)極a,,陰極K和控制機(jī)G所構(gòu)成的??煽毓枘K的應(yīng)用領(lǐng)域模塊應(yīng)用詳細(xì)說(shuō)明介紹:可控硅模塊應(yīng)用于控溫,、調(diào)光、勵(lì)磁,、電鍍,、電解、充放電,、電焊機(jī),、等離子拉弧、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合,如工業(yè),、通訊,、部對(duì)所用等各類(lèi)電氣控制、電源等,,根據(jù)還可通過(guò)可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接,,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓,、軟啟動(dòng)等功能,,并可實(shí)現(xiàn)過(guò)流、過(guò)壓,、過(guò)溫,、缺相等保護(hù)功能??煽毓枘K的控制方式:通過(guò)輸入可控硅模塊控制接口一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào),,通過(guò)調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)可控硅模塊的輸出電壓大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié),實(shí)現(xiàn)可控硅模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或全部導(dǎo)通的過(guò)程,。電壓或電流信號(hào)可取自各種控制儀表,、計(jì)算機(jī)D/A輸出,電位器直接從直流電源分壓等各種方法,;控制信號(hào)采用0~5V,,0~10V,4~20mA三種比較常用的控制形式,。43,、滿(mǎn)足可控硅模塊工作的必要條件:(1)+12V直流電源:可控硅模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。①可控硅模塊輸出電壓要求:+12V電源:12,,紋波電壓小于20mv,。②可控硅模塊輸出電流要求:標(biāo)稱(chēng)電流小于500安培產(chǎn)品:I+12V>。淄博正高電氣用先進(jìn)的生產(chǎn)工藝和規(guī)范的質(zhì)量管理,,打造優(yōu)良的產(chǎn)品,!

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可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種,。螺旋式的應(yīng)用較多,。可控硅有三個(gè)電極----陽(yáng)極(A)陰極(C)和控制極(G),。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),,共有三個(gè)PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào),。從圖表-26中可以看到,,可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用,,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),。在應(yīng)用可控硅時(shí),只要在控制極加上很小的電流或電壓,,就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓,。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,。可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢,?下面我們用來(lái)簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理,。首先,我們可以把從陰極向上數(shù)的,、二,、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,而二,、三四層組成另一只PNP型晶體管,。其中第二、第三層為兩管交迭共用,。這樣就可畫(huà)出圖表-27(C)的等效電路圖來(lái)分析,。當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea,又在控制極G和陰極C之間(相當(dāng)BG1的基一射間)輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào),,BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1,,經(jīng)放大。BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1,。淄博正高電氣通過(guò)專(zhuān)業(yè)的知識(shí)和可靠技術(shù)為客戶(hù)提供服務(wù)。泰安三相晶閘管移相調(diào)壓模塊配件

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當(dāng)電容C被充足電后,使三極管V由截止轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài),,將可控硅SCR關(guān)斷,,電燈也就熄滅了。本電路關(guān)燈延時(shí)期間,,延時(shí)時(shí)間由R1,、C的取值來(lái)確定,讀者也可根據(jù)各自需要自行確定,。本電路中的可控硅,,筆者選用的為單向可控硅,在關(guān)燈延時(shí)期間電燈的亮度約為開(kāi)燈時(shí)亮度的一半,以適合人們的視覺(jué)上的需要,,同時(shí)又可節(jié)能,。電路制作:圖中單向可控硅SCR選用MCR100-8,耐壓須為600V以上,。燈泡的功率不大于100W為宜,。二極管VD為1N4007,V為C1815,。電阻均為1/8W碳膜電阻,。制作時(shí),用一小塊電路板將圖中虛線框內(nèi)各元器件焊裝上,。好將本電路裝在拉線開(kāi)關(guān)底部凹槽內(nèi),,用膠水粘牢并將引線接至開(kāi)關(guān)兩接線端即可。8:?jiǎn)捂I自鎖開(kāi)關(guān)單鍵自鎖開(kāi)關(guān)說(shuō)明1,、上電不動(dòng)作,。2、按鈕按下后再釋放,,繼電器吸合,。3、按鈕長(zhǎng)按時(shí),,繼電器釋放,,松開(kāi)后繼電器吸合。4,、按鈕點(diǎn)按時(shí):繼電器釋放←→吸合循環(huán)動(dòng)作,。5、因?yàn)?7Ω電阻有壓降,,繼電器可以用DC9V的,。9:簡(jiǎn)單的停電自鎖開(kāi)關(guān)電網(wǎng)供電正常時(shí),它象普通開(kāi)關(guān)一樣使用,。按一下K1,,220V交流電經(jīng)R1和R2分壓給雙向可控硅提供一觸發(fā)電壓,使雙向可控硅導(dǎo)通,??煽毓鑼?dǎo)通后,在電源電壓正半周期間,,少量電流經(jīng)R4,、D向C充電,同時(shí)經(jīng)R3,、R2分壓觸發(fā)可控硅,。聊城交流晶閘管移相調(diào)壓模塊組件

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