可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分,，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA),、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管,、整流管混合模塊(MFC),、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC),、非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機所用模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS),、單相（三相）整流橋模塊（MDQ),、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等。優(yōu)點/可控硅模塊編輯體積小,、重量輕,、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單,、互換性好,、便于維修和安裝；結構重復性好,，裝置的機械設計可以簡化,，價格比分立器件低等諸多優(yōu)點，因而在一誕生就受到了各大電力半導體廠家的熱捧,，并因此得到長足發(fā)展,。淄博正高電氣傾城服務，確保產(chǎn)品質(zhì)量無后顧之憂,。重慶單向晶閘管移相調(diào)壓模塊供應商

一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。我們可以把從陰極向上數(shù)的,、二,、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二,、三,、四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二,、第三層為兩管交迭共用,。可畫出圖1的等效電路圖,。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓E,，又在控制極G和陰極C之間（相當BG2的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號，BG2將產(chǎn)生基極電流Ib2,，經(jīng)放大,，BG2將有一個放大了β2倍的集電極電流IC2。因為BG2集電極與BG1基極相連,，IC2又是BG1的基極電流Ib1,。BG1又把Ib1（Ib2）放大了β1的集電極電流IC1送回BG2的基極放大。如此循環(huán)放大,，直到BG1,、BG2完全導通。事實上這一過程是“一觸即發(fā)”的,，對可控硅來說,，觸發(fā)信號加到控制極，可控硅立即導通,。導通的時間主要決定于可控硅的性能,?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導通后，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG2基極的電流已不只是初始的Ib2,，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib2）,，這一電流遠大于Ib2,，足以保持BG2的持續(xù)導通。此時觸發(fā)信號即使消失,，可控硅仍保持導通狀態(tài),，只有斷開電源E或降低E的輸出電壓，使BG1,、BG2的集電極電流小于維持導通的小值時,，可控硅方可關斷。當然,，如果E極性反接,。天津三相晶閘管移相調(diào)壓模塊組件淄博正高電氣以誠信為根本，以質(zhì)量服務求生存,。

如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動直流電壓,，那么，在電壓過零時,，晶閘管會自行關斷,。可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件,，共有三個PN結，分析原理時,，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,，其等效圖解如圖1所示當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài),。此時,，如果從控制極G輸入一個正向觸發(fā)信號，BG2便有基流ib2流過,，經(jīng)BG2放大,，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連,，所以ib1=ic2,。此時，電流ic2再經(jīng)BG1放大,，于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2,。這個電流又流回到BG2的基極,，表成正反饋，使ib2不斷增大,，如此正向饋循環(huán)的結果,，兩個管子的電流劇增，可控硅使飽和導通,。由于BG1和BG2所構成的正反饋作用,，所以一旦可控硅導通后，即使控制極G的電流消失了,，可控硅仍然能夠維持導通狀態(tài),，由于觸發(fā)信號只起觸發(fā)作用，沒有關斷功能,，所以這種可控硅是不可關斷的,。由于可控硅只有導通和關斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關特性,，這種特性需要一定的條件才能轉化,，此條件見表1三、用萬用表可以區(qū)分晶閘管的三個電極嗎?怎樣測試晶閘管的好壞呢?普通晶閘管的三個電極可以用萬用表歐姆擋R100擋位來測,。

可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式,，擁有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，這種可控硅模塊的體積非常的小,，結構也十分的緊湊,，對于維修與安裝都有很大的作用，可控硅模塊的類型非常的多,，比方說壓接式可控硅模塊,、焊接式可控硅模塊等，很多人不是很清楚兩者之間的差異,，下面詳細的進行區(qū)分一下,。①從電流方面來講，焊接式可控硅模塊可以做到160A電流,，同時壓接式模塊的電流就能夠達到1200A,，這就是講低于160A的模塊，不只是有焊接式的,，同時也有壓接式的,。可控硅模塊②從外形方面來講,，焊接式的可控硅模塊遠遠沒有壓接式的外形比較好,，壓接式的屬于一體成型，技術十分的標準,，焊接式的局部地區(qū)可能有焊接的痕跡,，但是在使用的時候是沒有任何的影響的,。③眾所周知，壓接式可控硅模塊的市場占有率是非常大的,，有不少的公司都會使用壓接式可控硅模塊,，這其中的原因可能使由于其外形十分的美觀，除此之外從價格方面來講,，焊接式可控硅模塊的成本遠遠要比壓接式可控硅模塊的成本低,。淄博正高電氣以精良的產(chǎn)品品質(zhì)和優(yōu)先的售后服務，全過程滿足客戶的優(yōu)良需求,。

鑒別可控硅三個極的方法很簡單,，根據(jù)P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以,。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反,，因此陽極和控制極正反向都不通）,。控制極與陰極之間是一個P-N結,，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過,，因此,，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好,。另外,，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋,，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件陰陽極正反向已短路,，或陽極與控制極短路,，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路,，說明元件已損壞,。可控硅是可控硅整流元件的簡稱,，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件,。實際上,，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路,，實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等,?？煽毓韬推渌雽w器件一樣，其有體積小,、效率高,、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點,。淄博正高電氣建立雙方共贏的伙伴關系是我們孜孜不斷的追求,。四川大功率晶閘管移相調(diào)壓模塊報價

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可控硅從外形上分主要有螺旋式,、平板式和平底式三種）。螺旋式的應用較多,?？煽毓栌腥齻€電極----陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構,，共有三個PN結,。其結構示意圖和符號。從圖表-26中可以看到,，可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同,。可控硅的四層結構和控制極的引用,，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎,。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓,，就能控制很大的陽極電流或電壓,。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,。可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢,？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理,。首先，我們可以把從陰極向上數(shù)的,、二,、三層看面是一只NPN型號晶體管,，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管,。對可控硅來說,，觸發(fā)信號加入控制極，可控硅立即導通,。導通的時間主要決定于可控硅的性能,。可控硅一經(jīng)觸發(fā)導通后,，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過BG1,、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠大于Ib1,，足以保持BG1的持續(xù)導通。重慶單向晶閘管移相調(diào)壓模塊供應商

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