軟啟動器可控硅降溫的重要性軟啟動器中可控硅模塊是比較重要的一環(huán)，所以保護(hù)好可控硅模塊能夠的延長軟啟動器的使用壽命,?？煽毓枘K與其它功率器件一樣,，工作時(shí)由于自身功耗而發(fā)熱。如果不采取適當(dāng)措施將這種熱量散發(fā)出去,，就會引起模塊管芯PN結(jié)溫度急劇上升,。致使器件特性惡化，直至完全損壞,。晶閘管的功耗主要由導(dǎo)通損耗,、開關(guān)損耗、門極損耗三部分組成,。在工頻或400Hz以下頻率的應(yīng)用中主要的是導(dǎo)通損耗,。散熱器的常用散熱方式有：自然風(fēng)冷、強(qiáng)迫風(fēng)冷,、熱管冷卻、水冷,、油冷等,。正常工作情況的軟啟動器設(shè)備有，主要以熱量的形式散失在環(huán)境當(dāng)中,，所以我們要先解決軟啟動器工作環(huán)境的溫度問題,，若工作環(huán)境的溫度過高則將危害到軟啟動器的工作，導(dǎo)致軟啟動器過熱保護(hù)跳閘,。保證軟起動器具有良好的運(yùn)行環(huán)境,，須對變頻器及運(yùn)行環(huán)境的溫度控制采取相應(yīng)的措施。給軟啟動器預(yù)留一定的空間,，定期給軟啟動器進(jìn)行清灰處理,，都是能夠有效降低可控硅溫度的方式。淄博正高電氣在客戶和行業(yè)中樹立了良好的企業(yè)形象,。恒壓晶閘管調(diào)壓模塊批發(fā)

晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接,，也就是說，給晶閘管陽極和控制極所加的都是正向電壓?，F(xiàn)在我們合上電源開關(guān)S,，小燈泡不亮，說明晶閘管模塊沒有導(dǎo)通,；再按一下按鈕開關(guān)SB,，給控制極輸入一個(gè)觸發(fā)電壓，小燈泡亮了,，說明晶閘管模塊導(dǎo)通了,。這個(gè)演示實(shí)驗(yàn)給了我們什么啟發(fā)呢？這個(gè)實(shí)驗(yàn)告訴我們,，要使晶閘管模塊導(dǎo)通,，一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓,，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個(gè)正向觸發(fā)電壓。晶閘管導(dǎo)通后,，松開按鈕開關(guān),，去掉觸發(fā)電壓，仍然維持導(dǎo)通狀態(tài),。晶閘管模塊的特點(diǎn)：是“一觸即發(fā)”,。但是，如果陽極或控制極外加的是反向電壓,，晶閘管就不能導(dǎo)通,。控制極的作用是通過外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導(dǎo)通,，卻不能使它關(guān)斷,。那么，用什么方法才能使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷呢?使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷,，可以斷開陽極電源或使陽極電流小于維持導(dǎo)通的小值(稱為維持電流),。如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動直流電壓，那么,，在電壓過零時(shí),，晶閘管模塊會自行關(guān)斷。用萬用表可以區(qū)分晶閘管模塊的三個(gè)電極嗎,？怎樣測試晶閘管的好壞呢,？普通晶閘管模塊的三個(gè)電極可以用萬用表歐姆擋Rx100擋位來測。日照整流晶閘管調(diào)壓模塊廠家我公司生產(chǎn)的產(chǎn)品,、設(shè)備用途非常多,。

晶閘管模塊的專業(yè)術(shù)語，您知道幾個(gè),？相信大家對于晶閘管模塊并不陌生了,，但是有很多人對于晶閘管模塊的專業(yè)術(shù)語并不清楚，下面正高來講幾個(gè)晶閘管模塊的專業(yè)術(shù)語,，會對您以后的使用和選購有幫助,。①控制角：在u2的每個(gè)正半周，從晶閘管模塊承受正向電壓到加入門極觸發(fā)電壓,、使晶閘管模塊開始導(dǎo)通之間的電角度叫做控制角,，又稱為觸發(fā)脈沖的移相角，用α表示,。②導(dǎo)通角：在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管模塊導(dǎo)通時(shí)間對應(yīng)圖4-4單相半波可控整流的電角度叫做導(dǎo)通角,，用θ表示。顯然在這里α+θ=π,。③移相范圍：α的變化范圍稱為移相范圍,。很明顯,，α和π都是用來表示晶閘管模塊在承受正向電壓的半個(gè)周期內(nèi)的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?，可以改變觸發(fā)脈沖的出現(xiàn)時(shí)刻,，也就可以改變輸出電壓的大小，實(shí)現(xiàn)了可控整流,。以上就是晶閘管模塊的專業(yè)術(shù)語,，希望對您有所幫助。

晶閘管模塊也是可控硅模塊,，應(yīng)用范圍很大,，多數(shù)應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓,、無觸點(diǎn)電子開關(guān),、逆變及變頻等電子電路中，是一種能夠在高電壓,、大電流條件下工作,，成為一些電路中不可或缺的重要元件。但是在晶閘管模塊是需要注意很多常識,，下面一起來看看,。1,、在選用晶閘管模塊的額定電流時(shí),，就要注意，除了要考慮通過元件的平均電流之外,，還要注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小,、散熱通風(fēng)條件等諸多因素，與此同時(shí),，管殼溫度不得超過相應(yīng)電流下的允許值,。2、使用晶閘管模塊,，要用萬用表檢查晶閘管模塊是否良好,，發(fā)現(xiàn)有短路或者斷路現(xiàn)象時(shí)，就要立即更換,。3,、嚴(yán)禁使用兆歐表來檢查元件的絕緣情況。4,、電力為5A以上的晶閘管模塊要裝散熱器,，并且保證所規(guī)定的冷卻條件，同時(shí),，為了保證散熱器與晶閘管模塊的管心接觸良好,，它們之間也要涂上一層有機(jī)硅油或者是硅脂,，以幫助能夠更加良好的散熱。5,、按照規(guī)定來對主電路中的晶閘管模塊采用過壓及過流保護(hù)裝置,。6、防止控制極的正向過載和反向擊穿,。淄博正高電氣通過專業(yè)的知識和可靠技術(shù)為客戶提供服務(wù),。

正高談智能晶閘管模塊在電氣控制中的應(yīng)用來源，晶閘管模塊出現(xiàn)在1957年,，而后隨著半導(dǎo)體技術(shù)及其應(yīng)用技術(shù)的不斷發(fā)展,，使晶閘管模塊在電氣控制領(lǐng)域中發(fā)揮了很大的作用，但是,，過去人們只能以分立器件的形式把晶閘管用在各種電氣控制裝置中,，由分立器件組成的電路復(fù)雜、體積大,，安裝調(diào)試麻煩,，可靠性也較差。但是淄博正高電氣生產(chǎn)的智能晶閘管模塊從根本上解決了上述問題,，下面一起來看看,。智能晶閘管模塊就是將晶閘管模塊主電路與移相觸發(fā)電路以及具有控制功能的電路封裝在同一外殼內(nèi)的新型模塊。智能晶閘管模塊的移相觸發(fā)電路為全數(shù)字電路,，功能電路由單片機(jī)完成,，并且內(nèi)置有多路電流、電壓,、溫度傳感器,，通過模塊上的接插件可將各種控制線引到鍵盤，進(jìn)行各種功能和電氣參數(shù)設(shè)定,，并可進(jìn)行LED或LCD顯示,。模塊的每支芯片的電流已達(dá)1000A，電壓達(dá)1600～2200V,，智能晶閘管模塊實(shí)際上已是一個(gè)準(zhǔn)電力電子裝置,，不論在體積、容量,、功能,、智能化程度以及可靠性等方面與傳統(tǒng)裝置相比都有很大優(yōu)勢，且安裝,、使用特別方便,。毫無疑問，有了這種模塊,，今后將會使配電系統(tǒng)內(nèi)的各種電氣控制發(fā)生重大變化,。智能晶閘管模塊一般由電力晶閘管,。淄博正高電氣運(yùn)用高科技，不斷創(chuàng)新為企業(yè)經(jīng)營發(fā)展的宗旨,。山東整流晶閘管調(diào)壓模塊批發(fā)

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正高教你區(qū)分可控硅模塊損壞的原因當(dāng)可控硅模塊損壞后，一定要及時(shí)找到損壞的原因,，然后立即進(jìn)行故障處理,，下面正高教你如何區(qū)分可控硅模塊損壞的原因。當(dāng)可控硅模塊損壞后需求查看剖析其緣由時(shí),，可把管芯從冷卻套中取出,，翻開芯盒再取出芯片，調(diào)查其損壞后的痕跡,，以判別是何緣由,。下面介紹幾種常見表象剖析。電流損壞,。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑,，且粗糙，其方位在遠(yuǎn)離操控極上,。電壓擊穿,。可控硅因不能接受電壓而損壞,，其芯片中有一個(gè)光亮的小孔,，有時(shí)需用擴(kuò)展鏡才干看見。其緣由可能是管子自身耐壓降低或被電路斷開時(shí)發(fā)生的高電壓擊穿,。電流上升率損壞,。其痕跡與電流損壞一樣,，而其方位在操控極鄰近或就在操控極上,。邊際損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處,，有細(xì)微光亮小孔,。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。這是制作廠家裝置不小心所形成的,。它致使電壓擊穿,。以上4種緣由都是可控硅模塊的常見損壞緣由，遇到可控硅模塊損壞事情,，應(yīng)剖析,。恒壓晶閘管調(diào)壓模塊批發(fā)

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