加在控制極G上的觸發(fā)脈沖的大小或時(shí)間改變時(shí)，就能改變其導(dǎo)通電流的大小,。雙向可控硅模塊與單向可控硅模塊的區(qū)別是,，雙向可控硅G極上觸發(fā)脈沖的極性改變時(shí)，其導(dǎo)通方向就隨著極性的變化而改變,，從而能夠控制交流電負(fù)載,。而單向可控硅經(jīng)觸發(fā)后只能從陽極向陰極單方向?qū)ǎ钥煽毓栌袉坞p向之分,。雙向可控硅模塊按象限來分,，又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅,；按封裝分,，分為一般半塑封裝、外絕緣式全塑封裝,；按觸發(fā)電流來分,，分為微觸型、高靈敏度型,、標(biāo)準(zhǔn)觸發(fā)型,；按電壓分，常規(guī)電壓品種,、高壓品種,。可控硅模塊由于它在電路應(yīng)用中的效率高,、控制特性好,、壽命長(zhǎng)、體積小,、功能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),，自上個(gè)世紀(jì)六十長(zhǎng)代以來，獲得了迅猛發(fā)展,，并已形成了一門單獨(dú)的學(xué)科,。可控硅模塊發(fā)展到現(xiàn)在，在工藝上已經(jīng)非常成熟,，品質(zhì)更好,，成品率大幅提高，并向高壓大電流發(fā)展,?？煽毓枘K在應(yīng)用電路中的作用體現(xiàn)在：可控整流：如同二極管整流一樣，將交流整流為直流,，并且在交流電壓不變的情況下,，有效地控制直流輸出電壓的大小即可控整流，實(shí)現(xiàn)交流→可變直流之轉(zhuǎn)變,；無觸點(diǎn)功率靜態(tài)開關(guān)（固態(tài)開關(guān)）：作為功率開關(guān)元件,，可控硅模塊可以代替接觸器、繼電器用于開關(guān)頻率很高的場(chǎng)合,。淄博正高電氣公司在多年積累的客戶好口碑下,，不但在產(chǎn)品規(guī)格配套方面占據(jù)優(yōu)勢(shì)。浙江三相晶閘管調(diào)壓模塊哪家好

所以脈沖寬度下應(yīng)小于300μs,，通常取1ms,，相當(dāng)廣50Hz正弦波的18電角度。二,、觸發(fā)脈沖的型式要有助于可控硅觸模塊發(fā)電路導(dǎo)通時(shí)間的一致性對(duì)于可控硅串并聯(lián)電路,，要求并聯(lián)或者串聯(lián)的元件要同一時(shí)刻導(dǎo)通，使兩個(gè)管子中流過的電流及或承受的電壓及相同,。否則,，由于元件特性的分散性,，在并聯(lián)電路中使導(dǎo)通較早的元件超出允許范圍,，在串聯(lián)電路中使導(dǎo)通較晚的元件超出允許范圍而被損壞,，所以,，針對(duì)上述問題，通常采取強(qiáng)觸發(fā)措施,，使并聯(lián)或者串聯(lián)的可控硅盡量在同一時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通,。三,、觸發(fā)電路的觸發(fā)脈沖要有足夠的移相范圍并且要與主回路電源同步為了保證可控硅變流裝置能在給定的控制范圍內(nèi)工作,，必須使觸發(fā)脈沖能在相應(yīng)的范圍內(nèi)進(jìn)行移相,。同時(shí)，無論是在可控整流,、有源逆變還是在交流調(diào)壓的觸發(fā)電路中,，為了使每—周波重復(fù)在相同位置上觸發(fā)可控硅，觸發(fā)信號(hào)必須與電源同步,，即觸發(fā)信號(hào)要與主回路電源保持固定的相位關(guān)系,。否則,，觸發(fā)電路就不能對(duì)主回路的輸出電壓Ud進(jìn)行準(zhǔn)確的控制。逆變運(yùn)行時(shí)甚至?xí)斐啥搪?，而同步是由相主回路接在同一個(gè)電源上的同步變壓器輸出的同步信號(hào)來實(shí)現(xiàn)的,。以上就是可控硅模塊觸發(fā)電路時(shí)必須滿足的三個(gè)必定條件，希望對(duì)您有所幫助,。陜西交流晶閘管調(diào)壓模塊報(bào)價(jià)誠摯的歡迎業(yè)界新朋老友走進(jìn)淄博正高電氣,！

隨著電氣行業(yè)的不斷發(fā)展，可控硅模塊在調(diào)速,、調(diào)光、調(diào)壓,、調(diào)溫以及其他各種控制電路中都有它的身影,。能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點(diǎn)控制，以小電流控制大電流,，并且不像繼電器那樣控制時(shí)有火花產(chǎn)生,，而且動(dòng)作快、壽命長(zhǎng),、可靠性好,。可控硅模塊又分為單向可控硅模塊和雙向可控硅模塊,，它們有什么區(qū)別呢,，下面可控硅模塊廠家為你講解?？煽毓枘K分為單向的和雙向的,，符號(hào)也不同。單向可控硅有三個(gè)pn結(jié),，由外層的p極和n極引出兩個(gè)電極,，分別稱為陽極和陰極，由中間的p極引出一個(gè)控制極,。然而單項(xiàng)的可控硅模塊具有其獨(dú)特的特性：當(dāng)陽極接反向電壓,，或者陽極接正向電壓但控制極不加電壓時(shí)，它都不導(dǎo)通,，而陽極和控制極同時(shí)接正向電壓時(shí),，它就會(huì)變成導(dǎo)通狀態(tài)。一旦導(dǎo)通,，控制電壓便失去了對(duì)它的控制作用,，不論有沒有控制電壓，也不論控制電壓的極性如何,，將一直處于導(dǎo)通狀態(tài),。要想關(guān)斷,，只有把陽極電壓降低到某一臨界值或者反向。雙向的可控硅模塊的引腳多數(shù)是按t1,、t2,、g的順序從左至右排列（電極引腳向下，面對(duì)有字符的一面時(shí)）,。加在控制極g上的觸發(fā)脈沖的大小或時(shí)間改變時(shí),，就能改變其導(dǎo)通電流的大小。與單向的區(qū)別是,，它的g極上觸發(fā)脈沖的極性改變時(shí),。

選購可控硅模塊，質(zhì)量重要還是品牌重要,您在購買東西的時(shí)候是比較注重質(zhì)量呢還是品牌呢,？如果是在購買服裝類物品可以注重品牌,，但是可控硅模塊類產(chǎn)品的質(zhì)量問題是不容小視的，輕則損壞設(shè)備,，重則會(huì)產(chǎn)生安全隱患,。可控硅模塊類的產(chǎn)品質(zhì)量問題比品牌重要的多,?？煽毓枘K從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；具有體積小,、重量輕,、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高,、外接線簡(jiǎn)單,、互換性好、便于維修和安裝,；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化，價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn),，因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧,，并因此得到長(zhǎng)足發(fā)展?？煽毓枘K的重點(diǎn)不在于它是什么牌子,，而是工藝、芯片直流,，和壓降大小,。所以品質(zhì)比牌子更重要?？煽毓枘K采用德國設(shè)備工藝中國制造,、體積小,、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊,、重復(fù)性好,、外接線簡(jiǎn)單、反應(yīng)極快,，在微秒級(jí)內(nèi)開通,、關(guān)斷、無觸點(diǎn)開關(guān),、無火花,、無噪音、芯片與底板絕緣,、真空焊接結(jié)構(gòu),、正向壓降小。選擇淄博正高電氣,，就是選擇質(zhì)量、真誠和未來,。

軟啟動(dòng)器可控硅降溫的重要性軟啟動(dòng)器中可控硅模塊是比較重要的一環(huán),，所以保護(hù)好可控硅模塊能夠的延長(zhǎng)軟啟動(dòng)器的使用壽命?？煽毓枘K與其它功率器件一樣,，工作時(shí)由于自身功耗而發(fā)熱。如果不采取適當(dāng)措施將這種熱量散發(fā)出去,，就會(huì)引起模塊管芯PN結(jié)溫度急劇上升,。致使器件特性惡化，直至完全損壞,。晶閘管的功耗主要由導(dǎo)通損耗,、開關(guān)損耗、門極損耗三部分組成,。在工頻或400Hz以下頻率的應(yīng)用中主要的是導(dǎo)通損耗,。散熱器的常用散熱方式有：自然風(fēng)冷、強(qiáng)迫風(fēng)冷,、熱管冷卻,、水冷、油冷等,。正常工作情況的軟啟動(dòng)器設(shè)備有,，主要以熱量的形式散失在環(huán)境當(dāng)中，所以我們要先解決軟啟動(dòng)器工作環(huán)境的溫度問題,，若工作環(huán)境的溫度過高則將危害到軟啟動(dòng)器的工作,，導(dǎo)致軟啟動(dòng)器過熱保護(hù)跳閘,。保證軟起動(dòng)器具有良好的運(yùn)行環(huán)境，須對(duì)變頻器及運(yùn)行環(huán)境的溫度控制采取相應(yīng)的措施,。給軟啟動(dòng)器預(yù)留一定的空間,，定期給軟啟動(dòng)器進(jìn)行清灰處理，都是能夠有效降低可控硅溫度的方式,。淄博正高電氣我們完善的售后服務(wù),，讓客戶買的放心，用的安心,。臨沂雙向晶閘管調(diào)壓模塊批發(fā)

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怎么區(qū)分可控硅模塊的損壞緣由當(dāng)可控硅模塊損壞后需求查看剖析其緣由時(shí),，可把管芯從冷卻套中取出,，翻開芯盒再取出芯片，調(diào)查其損壞后的痕跡,，以判別是何緣由,。下面介紹幾種常見表象剖析。電流損壞,。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑,，且粗糙，其方位在遠(yuǎn)離操控極上,。電壓擊穿,。可控硅因不能接受電壓而損壞,，其芯片中有一個(gè)光亮的小孔,，有時(shí)需用擴(kuò)展鏡才干看見。其緣由可能是管子自身耐壓降低或被電路斷開時(shí)發(fā)生的高電壓擊穿,。電流上升率損壞,。其痕跡與電流損壞一樣，而其方位在操控極鄰近或就在操控極上,。邊際損壞,。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)微光亮小孔,。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕,。這是制作廠家裝置不小心所形成的。它致使電壓擊穿,。浙江三相晶閘管調(diào)壓模塊哪家好

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