如溫度控制,、燈米調(diào)節(jié)及直流電極調(diào)速和換向電路等,，逆導(dǎo)的。主要用于直流供電國(guó)輛（如無(wú)軌電車）的調(diào)速,?？申P(guān)斷的,。這是一種新型產(chǎn)品,，它利用正的控制極脈沖可觸發(fā)導(dǎo)通，而用負(fù)的控制極脈沖可以關(guān)斷陽(yáng)極電流，恢復(fù)阻斷狀態(tài),。利用這種特性可以做成無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)或用直流調(diào)壓,、電視機(jī)中行掃描電路及高壓脈沖發(fā)生器電路等。在性能上,，可控硅模塊不只具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件，更為可貴的可控性,。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài),。能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過(guò)此頻率,，因元件開關(guān)損耗增加,，允許通過(guò)的平均電流相降低，此時(shí),，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用,。優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍,；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開通,、關(guān)斷,；無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行，無(wú)火花,、無(wú)噪音,；效率高，成本低等等,。它的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差,；容易受干擾而誤導(dǎo)通?？梢詮耐庑紊戏诸愔饕校郝菟ㄐ?、平板形和平底形。以上就是正高的小編為大家?guī)サ年P(guān)于可控硅模塊的了解,，希望會(huì)對(duì)大家?guī)ヒ欢ǖ膸椭?！淄博正高電氣建立雙方共贏的伙伴關(guān)系是我們孜孜不斷的追求。新疆進(jìn)口可控硅調(diào)壓模塊批發(fā)

也可用于控制電熱毯,、小功率電暖器等家用電器,。電路圖溫度控制器電路如圖工作原理220V交流電壓經(jīng)Cl降壓、VD,，和VD,。整流,、C2濾波及VS穩(wěn)壓后，一路作為IC（TL431型三端穩(wěn)壓集成電路）的輸入直流電壓,；另一路經(jīng)RT,、R3和RP分壓后，為IC提供控制電壓,。在被測(cè)溫度低于RP的設(shè)定溫度時(shí),，NTC502型負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器Rr的電阻值較大，IC的控制電壓高于其開啟電壓,，IC導(dǎo)通,，使LED點(diǎn)亮，VS受觸發(fā)而導(dǎo)通,，電熱器EH通電開始加熱,。隨著溫度的不斷上升，Rr的電阻值逐漸減小,，同時(shí)IC的控制電壓也隨之下降,。當(dāng)被測(cè)溫度高于設(shè)定溫度時(shí)，IC截止,，使LED熄滅,，VS關(guān)斷，EH斷電而停止加熱,。隨后溫度又開始緩慢下降,，當(dāng)被測(cè)溫度低于設(shè)定溫度時(shí)，IC又導(dǎo)通,，EH又開始通電加熱,。如此循環(huán)不止，將被測(cè)溫度控制在設(shè)定的范圍內(nèi),?？煽毓枵{(diào)壓器電路圖（四）一般書刊介紹的大功率可控硅觸發(fā)電路都比較復(fù)雜，而且有些元件難以購(gòu)買,。筆者只花幾元錢制作的觸發(fā)電路已成功觸發(fā)100A以上的可控硅模塊,，用于工業(yè)淬火爐上調(diào)節(jié)380V電壓，又裝一套用于大功率鼓風(fēng)機(jī)作無(wú)級(jí)調(diào)速用,，效果非常好,。本電路也可用作調(diào)節(jié)220V交流供電的用電器。將兩只單向可控硅SCRl,、SCR2反向并聯(lián)．再將控制板與本觸發(fā)電路連接,。山西單相可控硅調(diào)壓模塊廠家淄博正高電氣始終堅(jiān)持以人為本，恪守質(zhì)量為金,，同建雄績(jī)偉業(yè),。

可控硅模塊設(shè)備相信大家都已經(jīng)熟悉并了解了,，在您了解的知識(shí)中，您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎,？下面正高電氣來(lái)講解一下,?？煽毓枘K的工作條件：1.當(dāng)可控硅模塊承受反向陽(yáng)極電壓時(shí),，不管門級(jí)承受哪種電壓，可控硅模塊都會(huì)處于斷開狀態(tài),。2.當(dāng)可控硅模塊經(jīng)歷正向陽(yáng)極電壓時(shí),，可控硅只在門級(jí)受到正向電壓時(shí)接通。3.當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí),，只需要有一定的正極電壓,，不管門極電壓怎樣，可控硅模塊都保持導(dǎo)通,，如果可控硅導(dǎo)通后,，門極將失去其功能。4..當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí),，主電路電壓(或電流)減小到接近零時(shí),，可控硅模塊關(guān)斷。您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎,？可控硅模塊導(dǎo)通的條件是陽(yáng)極承受正電壓,，只有當(dāng)正向觸發(fā)電壓時(shí)，可控硅才能導(dǎo)通,。由門級(jí)施加的正向觸發(fā)脈沖的較小寬度應(yīng)使陽(yáng)極電流達(dá)到維持直通狀態(tài)所需的較小的陽(yáng)極電流,，即高于電流IL?？煽毓鑼?dǎo)通后的電壓降很小,。接通可控硅模塊的條件是將流過(guò)可控硅模塊的電流減小到較小的值，即保持電流IH,。有兩種方法：1.將正極電壓降低至數(shù)值,，或添加反向陽(yáng)極電壓。2.增加負(fù)載電路中的電阻,。以上是可控硅模塊的導(dǎo)通狀態(tài),，希望能幫助您。

并不能說(shuō)明控制極特性不好,。因此,，兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路，當(dāng)有足夠的門機(jī)電流Ig流入時(shí),，就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋,，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通,，晶體管飽和導(dǎo)通。對(duì)過(guò)壓保護(hù)可采用兩種措施：在中頻電源的主電路中,，瞬時(shí)反相電壓是靠阻容吸收來(lái)吸收的,。如果吸收電路中電阻、電容開路均會(huì)使瞬時(shí)反相電壓過(guò)高燒壞可控硅,。用萬(wàn)用表電阻檔測(cè)量晶閘管有無(wú)擊穿,。在斷電的情況下用東臺(tái)表測(cè)量吸收電阻阻值、吸收電容容量,，判斷是否阻容吸收回路出現(xiàn)故障,。在設(shè)備運(yùn)行時(shí)如果突然丟失觸發(fā)脈沖，將造成逆變開路,，中頻電源輸出端產(chǎn)生高壓,，燒壞可控硅元件。原因及處理方法：(1)整流觸發(fā)脈沖缺失,。這種故障一般是逆變脈沖形成,、輸出電路故障，可用示波器進(jìn)行檢查,，也可能是逆變脈沖引線接觸不良,，可用手搖晃導(dǎo)線接頭，找出故障位置,。淄博正高電氣產(chǎn)品質(zhì)量好,，收到廣大業(yè)主一致好評(píng)。

兩個(gè)溫度值接近,，說(shuō)明散熱器正常工作,。，器件陶磁環(huán)的溫度高于散熱體表面溫度,，說(shuō)明散熱器的效果不好需進(jìn)行處理,；，散熱體表面溫度高于器件陶磁環(huán)的溫度,，說(shuō)明器件工作正常而系統(tǒng)連接或散熱器的安裝有問(wèn)題需處理,。東臺(tái)臺(tái)基生產(chǎn)的可控硅是耐高溫的可控硅。這是我們的可控硅的優(yōu)勢(shì),。1,、普通的晶閘管可以用于交直流電壓的控制、可控整流,、交流調(diào)壓,、逆變電源、開關(guān)電源保護(hù)電路等應(yīng)用上國(guó)內(nèi)很多公司生產(chǎn)的可控硅,，能承受的溫度是有限的,，一般在45℃左右,，一旦超過(guò)50℃就會(huì)。但是西東臺(tái)臺(tái)基生產(chǎn)的可控硅不是這樣的,。（一）按關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅,、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）,、BTG可控硅,、溫控可控硅和光控可控硅等多種,。在我們技術(shù)部同事的測(cè)試下,，可控硅能承受125℃的高溫所以我們的可控硅不像普通的可控硅那樣?jì)扇酢Ｋ怯泻茴B強(qiáng)的生命力的,。很多公司總是說(shuō),，管子（晶閘管）幾天就燒壞了。這個(gè)是怎么回事呢,？分析起來(lái),，一是可能您購(gòu)買的晶閘管不能承受高溫。二是有可能貴公司的可控硅配錯(cuò)了散熱器,。導(dǎo)致散熱不利造成晶閘管損壞,。以客戶至上為理念，為客戶提供咨詢服務(wù),。山西單相可控硅調(diào)壓模塊廠家

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晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉(zhuǎn)折電壓VBO、正向平均漏電流IFL,、反向漏電流IRL,、斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM、反向重復(fù)峰值電壓VRRM,、正向平均壓降VF,、通態(tài)平均電流IT、門極觸發(fā)電壓VG,、門極觸發(fā)電流IG,、門極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓VBO晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓VBO是指在額定結(jié)溫為100℃且門極(G)開路的條件下,，在其陽(yáng)極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓,、使其由關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時(shí)所對(duì)應(yīng)的峰值電壓。(二)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM,，是指晶閘管在正向阻斷時(shí),，允許加在A,、K(或T1、T2)極間大的峰值電壓,。此電壓約為正向轉(zhuǎn)折電壓減去100V后的電壓值,。(三)晶閘管通態(tài)平均電流IT通態(tài)平均電流IT，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下,，晶閘管正常工作時(shí)A,、K(或T1、T2)極間所允許通過(guò)電流的平均值,。(四)反向擊穿電壓VBR反向擊穿電壓是指在額定結(jié)溫下,，晶閘管陽(yáng)極與陰極之間施加正弦半波反向電壓，當(dāng)其反向漏電電流急劇增加時(shí)反對(duì)應(yīng)的峰值電壓,。(五)晶閘管反向重復(fù)峰值電壓VRRM反向重復(fù)峰值電壓VRRM,，是指晶閘管在門極G斷路時(shí)，允許加在A,、K極間的大反向峰值電壓,。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。,。新疆進(jìn)口可控硅調(diào)壓模塊批發(fā)

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