可控硅模塊在電路中的主要用途普通可控硅模塊基本的用途就是可控整流,。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成晶閘管,，就可以構(gòu)成可控整流電路,、逆變,、電機調(diào)速,、電機勵磁,、無觸點開關(guān)及自動控制等方面?，F(xiàn)在我畫一個簡單的單相半波可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周期間,，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周,，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通?，F(xiàn)在,，畫出它的波形圖，可以看到,，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出(波形圖上陰影部分)。Ug到來得早,，晶閘管導(dǎo)通的時間就早,；Ug到來得晚，晶閘管導(dǎo)通的時間就晚,。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間,，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中,，常把交流電的半個周期定為180,，稱為電角度。這樣,，在U2的每個正半周,，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ,。很明顯,，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?。淄博正高電氣公司可靠的質(zhì)量保證體系和經(jīng)營管理體系,，使產(chǎn)品質(zhì)量日趨穩(wěn)定。福建三相晶閘管移相調(diào)壓模塊批發(fā)

如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動直流電壓,，那么,，在電壓過零時，晶閘管會自行關(guān)斷,?？煽毓枋荘1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個PN結(jié)，分析原理時,，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,，其等效圖解如圖1所示當(dāng)陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài),。此時,，如果從控制極G輸入一個正向觸發(fā)信號，BG2便有基流ib2流過,，經(jīng)BG2放大,，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連,，所以ib1=ic2,。此時，電流ic2再經(jīng)BG1放大,，于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2,。這個電流又流回到BG2的基極，表成正反饋,，使ib2不斷增大,，如此正向饋循環(huán)的結(jié)果，兩個管子的電流劇增,，可控硅使飽和導(dǎo)通,。由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋作用，所以一旦可控硅導(dǎo)通后,，即使控制極G的電流消失了,，可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號只起觸發(fā)作用,，沒有關(guān)斷功能,，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),，所以它具有開關(guān)特性,，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化，此條件見表1三,、用萬用表可以區(qū)分晶閘管的三個電極嗎?怎樣測試晶閘管的好壞呢?普通晶閘管的三個電極可以用萬用表歐姆擋R100擋位來測,。濱州三相晶閘管移相調(diào)壓模塊型號淄博正高電氣公司自成立以來，一直專注于對產(chǎn)品的精耕細(xì)作,。

雙向可控硅MAC97A6的電路應(yīng)用MAC97A6為小功率雙向可控硅（雙向晶閘管）,，多應(yīng)用于電風(fēng)扇速度控制或電燈的亮度控制，市場上流行的“電腦風(fēng)扇”或“電子程控風(fēng)扇”,，不外乎是用集成電路控制器與老式風(fēng)扇相結(jié)合的新一代產(chǎn)品,。這里介紹的電路就是利用一塊市售的所用集成電路RY901及MAC97A6,，將普通電扇改裝為具有多功能的電扇，很適宜無線電愛好者制作與改裝,。這種新型IC的主要特點是：（1）集開關(guān),、定時、調(diào)速,、模擬自然風(fēng)為一體,，外部元件少、電路簡單,、易于制作,；（2）省掉了體積較大的機械定時器和調(diào)速器，采用輕觸式開關(guān)和電腦控制脈沖觸發(fā),，因而無機械磨損,，使用壽命長。（3）各種動作電腦程序具備相應(yīng)的發(fā)光管指示,，耗電量少,，體積小,，重量輕,，顯示直觀，便于操作,；（4）適合開發(fā)或改造成多路家電的定時控制等,。RY901采用雙列直插式16腳塑封結(jié)構(gòu)，為低功耗CMOS集成電路,。其外形,、引出腳排列及各腳功能如圖1所示。工作原理典型應(yīng)用電路如圖2所示（[url=/ad/ykkz/]點擊下載原理圖[/url]）,。市電220V由C1,、R1降壓VD9穩(wěn)壓，經(jīng)VD10,、C2整流濾波后,提供5V－6V左右的直流電源作為RY901IC組成的控制器電壓,。在剛接通電源時，電腦控制器暫處于復(fù)位（靜止）狀態(tài),。

一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。我們可以把從陰極向上數(shù)的,、二,、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二,、三,、四層組成另一只PNP型晶體管,。其中第二、第三層為兩管交迭共用,?？僧嫵鰣D1的等效電路圖。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個正向電壓E,，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG2的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號,，BG2將產(chǎn)生基極電流Ib2，經(jīng)放大,，BG2將有一個放大了β2倍的集電極電流IC2,。因為BG2集電極與BG1基極相連，IC2又是BG1的基極電流Ib1,。BG1又把Ib1（Ib2）放大了β1的集電極電流IC1送回BG2的基極放大,。如此循環(huán)放大，直到BG1,、BG2完全導(dǎo)通,。事實上這一過程是“一觸即發(fā)”的，對可控硅來說,，觸發(fā)信號加到控制極,，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時間主要決定于可控硅的性能,?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG2基極的電流已不只是初始的Ib2,，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib2）,，這一電流遠(yuǎn)大于Ib2,，足以保持BG2的持續(xù)導(dǎo)通。此時觸發(fā)信號即使消失,，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài),，只有斷開電源E或降低E的輸出電壓，使BG1,、BG2的集電極電流小于維持導(dǎo)通的小值時,，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,，如果E極性反接,。淄博正高電氣公司狠抓產(chǎn)品質(zhì)量的提高，逐年立項對制造,、檢測,、試驗裝置進(jìn)行技術(shù)改造,。

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊（semiconductormodule）。早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,，是采用模塊封裝形式,，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件?？煽毓枘K從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA）,、普通整流管模塊（MDC）,、普通晶閘管、整流管混合模塊（MFC）,、快速晶閘管,、整流管及混合模塊（MKC\MZC）、非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機所用模塊MTG\MDG）,、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）、單相（三相）整流橋模塊（MDQ）,、單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）以及肖特基模塊等,。下面是一個壞了換下來的電阻焊控制器一般這個東西都是可控硅壞了一般他們都是換總成所以這個就報廢了這種有3個整體結(jié)構(gòu)也就這幾個部分一個控制板一個可控硅控制板下面有一個變壓器還有一些電阻控制板特寫可控硅模塊拆下來后我發(fā)現(xiàn)分量挺重的拆開研究研究可控硅的結(jié)構(gòu)下方的兩個管道是循環(huán)冷卻水。淄博正高電氣迎接挑戰(zhàn),，推陳出新,，與廣大客戶攜手并進(jìn),，共創(chuàng)輝煌,！新疆晶閘管移相調(diào)壓模塊

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可控硅損壞原因判別哪種參數(shù)壞了,？當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出,，打開芯盒再取出芯片,，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因,。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析,。1、電壓擊穿,。晶閘管因不能承受電壓而損壞,，其芯片中有一個光潔的小孔，損壞的面積小,，有時需用擴(kuò)大鏡才能看見,。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿,。2、電流損壞,。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑,，且粗糙，損壞的面積大,，其位置在遠(yuǎn)離控制極上,。3、電流上升率損壞,。其痕跡與電流損壞相同,，而其位置在控制極附近或就在控制極上。4,、邊緣損壞,。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)小光潔小孔,。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕,。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導(dǎo)致電壓擊穿,。5,、G-K電壓擊穿。晶閘管G-K間因不能承受反向電壓（）12V）而損壞,，其芯片G-K間有燒焦的通路（短路痕跡）,。福建三相晶閘管移相調(diào)壓模塊批發(fā)

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