可控硅模塊又叫晶閘管,。自從20世紀50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個大的家族,它的主要成員有單向晶閘管,、雙向晶閘管,、光控晶閘管、逆導晶閘管,、可關斷晶閘管,、快速晶閘管,等等,。大家使用的是單向晶閘管,,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導體材料組成的,,有三個PN結,,對外有三個電極:層P型半導體引出的電極叫陽極A,第三層P型半導體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導體引出的電極叫陰極K,。從晶閘管的電路符號可以看到,,它和二極管一樣是一種單方向導電的器件,關鍵是多了一個控制極G,,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性,。用萬用表可以區(qū)分可控硅模塊的三個電極普通晶閘管的三個電極可以用萬用表歐姆擋R100擋位來測。大家知道,,晶閘管G,、K之間是一個PN結〔圖2(a)〕,相當于一個二極管,,G為正極,、K為負極,所以,,按照測試二極管的方法,,找出三個極中的兩個極,測它的正,、反向電阻,,電阻小時,萬用表黑表筆接的是控制極G,,紅表筆接的是陰極K,,剩下的一個就是陽極A了。測試晶閘管的好壞,,可以用剛才演示用的示教板電路(圖3)。接通電源開關S,,按一下按鈕開關SB,,燈泡發(fā)光就是好的,不發(fā)光就是壞的,。誠摯的歡迎業(yè)界新朋老友走進淄博正高電氣,!泰安單相晶閘管移相調(diào)壓模塊分類
功率模塊控制板在運行過程中可能會出現(xiàn)各種故障,造成功率模塊的誤動或拒動,,影響設備的正常運行,。功率模塊控制板故障包含IGBT拒動、誤動,,晶閘管拒動,、誤動。拒動的實現(xiàn)方法是接口模擬裝置在接收到閥控下發(fā)的命令后,,不響應命令,。屏蔽收到的所有閥控命令,向模型發(fā)送保持上一次狀態(tài)的指令。誤動的實現(xiàn)方法是模擬裝置向模型發(fā)送的指令由人為設置,,讓IGBT開關按照人為操作去動作,。目前市場上的軟啟動器一般采用16位單片機進行智能化控制,電動機在負載要求的啟動特性下平滑啟動,,對電網(wǎng)沖擊小,。河南恒壓晶閘管移相調(diào)壓模塊結構淄博正高電氣迎接挑戰(zhàn),推陳出新,,與廣大客戶攜手并進,,共創(chuàng)輝煌!
當電容C被充足電后,,使三極管V由截止轉為導通狀態(tài),,將可控硅SCR關斷,電燈也就熄滅了,。本電路關燈延時期間,,延時時間由R1、C的取值來確定,,讀者也可根據(jù)各自需要自行確定,。本電路中的可控硅,筆者選用的為單向可控硅,,在關燈延時期間電燈的亮度約為開燈時亮度的一半,,以適合人們的視覺上的需要,同時又可節(jié)能,。電路制作:圖中單向可控硅SCR選用MCR100-8,,耐壓須為600V以上。燈泡的功率不大于100W為宜,。二極管VD為1N4007,,V為C1815。電阻均為1/8W碳膜電阻,。制作時,,用一小塊電路板將圖中虛線框內(nèi)各元器件焊裝上。好將本電路裝在拉線開關底部凹槽內(nèi),,用膠水粘牢并將引線接至開關兩接線端即可,。8:單鍵自鎖開關單鍵自鎖開關說明1、上電不動作,。2,、按鈕按下后再釋放,繼電器吸合,。3,、按鈕長按時,繼電器釋放,松開后繼電器吸合,。4,、按鈕點按時:繼電器釋放←→吸合循環(huán)動作。5,、因為47Ω電阻有壓降,,繼電器可以用DC9V的。9:簡單的停電自鎖開關電網(wǎng)供電正常時,,它象普通開關一樣使用,。按一下K1,220V交流電經(jīng)R1和R2分壓給雙向可控硅提供一觸發(fā)電壓,,使雙向可控硅導通,。可控硅導通后,,在電源電壓正半周期間,,少量電流經(jīng)R4、D向C充電,,同時經(jīng)R3,、R2分壓觸發(fā)可控硅。
擴散P型雜質,,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,,在N型硅單晶片上只選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此,,不需要為調(diào)整PN結面積的腐蝕作用,。由于半導體表面被制作得平整,故而得名,。并且,,PN結合的表面,因被氧化膜覆蓋,,所以公認為是穩(wěn)定性好和壽命長的類型。初,,對于被使用的半導體材料是采用外延法形成的,,故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言,,似乎使用于大電流整流用的型號很少,,而作小電流開關用的型號則很多。公司秉承以‘技術為,、品質為生命,、誠信經(jīng)營’的理念為廣大客戶提供優(yōu)良的產(chǎn)品及完善服務,以‘晶佰源’自主品牌在國內(nèi)外半導體功率器件市場建立影響力,與時俱進,、開拓創(chuàng)新,、不斷推進企業(yè)的規(guī)模化,、科技化建設,、努力做大做強。一直致力于以成熟的技術,,穩(wěn)定的品質,,優(yōu)良的服務及低廉的價格向客戶提高更具競爭力的二極管、穩(wěn)壓二極管,、高壓二極管,、放電管等半導體產(chǎn)品和服務。熱忱期待與國內(nèi)外用戶共同進步發(fā)展技術合作,、科技研發(fā),、共創(chuàng)雙贏、共同成長,!晶閘管智能模塊采用(DBC)陶瓷覆銅板,,經(jīng)獨特處理方法和特殊焊接工藝,保證焊接層無空洞,,導熱性能好,。熱循環(huán)負載次數(shù)高于標準近10倍。晶閘管智能模塊采用導熱絕緣封裝材料,。淄博正高電氣以質量求生存,,以信譽求發(fā)展!
維持繼電器吸合約4秒鐘,,故電路動作較為準確,。如果將負載換為繼電器,即可控制大電流工作的負載,??煽毓枋且环N新型的半導體器件,它具有體積小,、重量輕,、效率高、壽命長,、動作快以及使用方便等優(yōu)點,,活動導入以可控硅實際應用案例的展示,以激發(fā)學生的活動興趣,??煽毓杩刂齐娐返闹谱?3例:1:可調(diào)電壓插座電路如圖,,可用于調(diào)溫(電烙鐵)、調(diào)光(燈),、調(diào)速(電機),,使用時只要把用電器的插頭插入插座即可,十分方便,。V1為雙向二極管2CTS,,V2為3CTSI雙向可控硅,調(diào)節(jié)RP可使插座上的電壓發(fā)生變化,。2:簡易混合調(diào)光器根據(jù)電學原理可知,,電容器接入正弦交流電路中,電壓與電流的大值在相位上相差90,。根據(jù)這一原理,,把C1和C2串聯(lián)聯(lián)接,并從中間取出該差為我所用,,這比電阻與電容串聯(lián)更穩(wěn)定,。電路中,D1和D2分別對電源的正半波及負半波進行整流,,并加到A觸發(fā)和C1或C2充電,。進一步用W來改變觸發(fā)時間進行移相,只要調(diào)整W的阻值,,就可達到改變輸出電壓的目的,。D1和D2還起限制觸發(fā)極的反相電壓保護雙向可控硅的作用。3:可調(diào)速吸塵器這種吸塵器使用可控硅元件構成調(diào)速電路,,能根據(jù)需要控制電機轉速,,以發(fā)跡管道吸力的大小。淄博正高電氣技術力量雄厚,,工裝設備和檢測儀器齊備,,檢驗與實驗手段完善。河南恒壓晶閘管移相調(diào)壓模塊結構
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光控電子開關光控電子開關,,它的“開”和“關”是靠可控硅的導通和阻斷來實現(xiàn)的,,而可控硅的導通和阻斷又是受自然光的亮度(或人為亮度)的大小所控制的。該裝置適合作為街道,、宿舍走廊或其它公共場所照明燈,起到日熄夜亮的控制作用,,以節(jié)約用電,。工作原理:電路如上圖所示,,220V交流電通過燈泡H及整流全橋后,變成直流脈動電壓,,作為正向偏壓,,加在可控硅VS及R支路上。白天,,亮度大于一定程度時,,光敏二極管D呈現(xiàn)底阻狀態(tài)≤1KΩ,使三極管V截止,,其發(fā)射極無電流輸出,,單向可控硅VS因無觸發(fā)電流而阻斷。此時流過燈泡H的電流≤,,燈泡H不能發(fā)光,。電阻R1和穩(wěn)壓二極管DW使三極管V偏壓不超過,對三極管起保護作用,。夜晚,,亮度小于一定程度時,光敏二極管D呈現(xiàn)高阻狀態(tài)≥100KΩ,,使三極管V正向導通,,發(fā)射極約有,使可控硅VS觸發(fā)導通,,燈泡H發(fā)光,。RP是清晨或傍晚實現(xiàn)開關轉換的亮度選擇元件。安裝與調(diào)試:安裝時,,將裝焊好的印制板放入透明塑料盒內(nèi)并固定好,,將它與受控電燈H串聯(lián),并讓它正對著天幕或房子采光窗前較明亮的空間,,避免3米以內(nèi)夜間燈光的直接照射,。調(diào)試宜傍晚時進行,調(diào)節(jié)RP阻值的大小,,使受控電燈H在適當?shù)牧炼认率键c亮,。自動延時照明開關夜晚離開房間。泰安單相晶閘管移相調(diào)壓模塊分類
正高電氣,,2011-01-06正式啟動,,成立了可控硅模塊,晶閘管模塊,,可控硅智能模塊,,晶閘管智能模塊等幾大市場布局,應對行業(yè)變化,,順應市場趨勢發(fā)展,,在創(chuàng)新中尋求突破,,進而提升正高電氣的市場競爭力,把握市場機遇,,推動電子元器件產(chǎn)業(yè)的進步,。正高電氣經(jīng)營業(yè)績遍布國內(nèi)諸多地區(qū)地區(qū),業(yè)務布局涵蓋可控硅模塊,,晶閘管模塊,,可控硅智能模塊,晶閘管智能模塊等板塊,。同時,,企業(yè)針對用戶,在可控硅模塊,,晶閘管模塊,,可控硅智能模塊,晶閘管智能模塊等幾大領域,,提供更多,、更豐富的電子元器件產(chǎn)品,進一步為全國更多單位和企業(yè)提供更具針對性的電子元器件服務,。公司坐落于稷下街道閆家路11號南院,,業(yè)務覆蓋于全國多個省市和地區(qū)。持續(xù)多年業(yè)務創(chuàng)收,,進一步為當?shù)亟?jīng)濟,、社會協(xié)調(diào)發(fā)展做出了貢獻。