怎么區(qū)分可控硅模塊的損壞緣由當(dāng)可控硅模塊損壞后需求查看剖析其緣由時(shí),，可把管芯從冷卻套中取出，翻開芯盒再取出芯片,，調(diào)查其損壞后的痕跡,，以判別是何緣由。下面介紹幾種常見表象剖析,。電流損壞,。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑,，且粗糙，其方位在遠(yuǎn)離操控極上,。電壓擊穿,。可控硅因不能接受電壓而損壞,，其芯片中有一個(gè)光亮的小孔,，有時(shí)需用擴(kuò)展鏡才干看見。其緣由可能是管子自身耐壓降低或被電路斷開時(shí)發(fā)生的高電壓擊穿,。電流上升率損壞,。其痕跡與電流損壞一樣，而其方位在操控極鄰近或就在操控極上,。邊際損壞,。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)微光亮小孔,。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕,。這是制作廠家裝置不小心所形成的。它致使電壓擊穿,。淄博正高電氣具有一支經(jīng)驗(yàn)豐富,、技術(shù)力量過硬的專業(yè)技術(shù)人才管理團(tuán)隊(duì)。濟(jì)寧進(jìn)口晶閘管調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家

推薦選擇方法可按照以下公式計(jì)算：I>K×I負(fù)載×U∕U實(shí)際K：安全系數(shù),，阻性負(fù)載K=,，感性負(fù)載K=2；I負(fù)載：負(fù)載流過的強(qiáng)大電流,；U實(shí)際：負(fù)載上的小電壓,；U強(qiáng)大模塊能輸出的強(qiáng)大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的,，單相整流模塊為輸入電壓的,，其余規(guī)格均為）；I：需要選擇模塊的小電流,模塊標(biāo)稱的電流必須大于該值,。模塊散熱條件的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短時(shí)過載能力,，溫度越低模塊的輸出電流越大，所以在使用中必須配備散熱器和風(fēng)機(jī),，建議采用帶有過熱保護(hù)功能的產(chǎn)品,，有水冷散熱條件的優(yōu)先選擇水冷散熱。經(jīng)過嚴(yán)格測算,，確定了不同型號的產(chǎn)品所應(yīng)該配備的散熱器型號,，推薦采用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī)，用戶自備時(shí)按以下原則選?。?,、軸流風(fēng)機(jī)的風(fēng)速應(yīng)大于6m/s,；2、必須能保證模塊正常工作時(shí)散熱底板溫度不大于80℃,；3,、模塊負(fù)載較輕時(shí)，可減小散熱器的大小或采用自然冷卻,；4,、采用自然方式冷卻時(shí)散熱器周圍的空氣能實(shí)現(xiàn)對流并適當(dāng)增大散熱器面積；5,、緊固模塊的螺釘必須擰緊，壓線端子連接牢固,，以減少次生熱量的產(chǎn)生,，模塊底板和散熱器之間必須要涂敷一層導(dǎo)熱硅脂或墊上一片底板大小的導(dǎo)熱墊，以達(dá)到良好散熱效果,。6,、山東可控硅模塊的安裝與維護(hù)。江西整流晶閘管調(diào)壓模塊淄博正高電氣多方位滿足不同層次的消費(fèi)需求,。

不同設(shè)備選擇不同的可控硅模塊的技巧可控硅模塊在電子行業(yè)中應(yīng)用以及發(fā)展比較廣,，它已經(jīng)應(yīng)用到了很多電子設(shè)備中，不同設(shè)備中使用的可控硅模塊類型也是不同的,，下面可控硅模塊廠家就來來您了解一下,。1．選擇可控硅模塊的類型可控硅模塊有多種類型，應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求合理選用,。若用于交直流電壓控制,、可控整流、交流調(diào)壓,、逆變電源,、開關(guān)電源保護(hù)電路等，可選用普通可控硅模塊,。若用于交流開關(guān),、交流調(diào)壓、交流電動(dòng)機(jī)線性調(diào)速,、燈具線性調(diào)光及固態(tài)繼電器,、固態(tài)接觸器等電路中，應(yīng)選用雙向可控硅模塊,。若用于交流電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速,、斬波器、逆變電源及各種電子開關(guān)電路等,，可選用門極關(guān)斷可控硅模塊,。若用于鋸齒波器,、長時(shí)間延時(shí)器、過電壓保護(hù)器及大功率晶體管觸發(fā)電路等,，可選用BTG可控硅模塊,。若用于電磁灶、電子鎮(zhèn)流器,、超聲波電路,、超導(dǎo)磁能儲(chǔ)存系統(tǒng)及開關(guān)電源等電路，可選用逆導(dǎo)可控硅模塊,。若用于光電耦合器,、光探測器、光報(bào)警器,、光計(jì)數(shù)器,、光電邏輯電路及自動(dòng)生產(chǎn)線的運(yùn)行監(jiān)控電路，可選用光控可控硅模塊,。2．選擇可控硅模塊的主要參數(shù)可控硅模塊的主要參數(shù)應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求而定,。所選可控硅模塊應(yīng)留有一定的功率裕量，其額定峰值電壓和額定電流,。

選擇可控硅模塊時(shí)不能只看表面,，應(yīng)參考實(shí)際工作條件來選擇，選用可控硅模塊的額定電流時(shí),，除了考慮通過元件的平均電流外,，還應(yīng)注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素,。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值,。1.可控硅模塊的冷卻及環(huán)境條件:(1)強(qiáng)迫風(fēng)冷：風(fēng)速≥6m/s，風(fēng)溫≤40℃,；(2)水冷：流量≥4L/mm,，壓強(qiáng)±。水溫≤35℃.水電阻率≥20KΩ.cm,，HP值6—8,；(3)自冷和負(fù)冷環(huán)境溫度—40℃—40℃.水冷以環(huán)境溫度5℃—40℃；(4)空氣相對濕度≤85%,；(5)空氣中無腐蝕性氣體和破壞絕緣的塵埃,；(6)氣壓86—106Kpa；(7)無劇烈震動(dòng)或沖擊,；(8)若有特殊場合,，應(yīng)進(jìn)行相應(yīng)的試驗(yàn)，證明工作可靠方可使用,。2,、可控硅模塊選購注意事項(xiàng):(1)注明您需要的產(chǎn)品的型號,、結(jié)構(gòu)（螺栓、凹臺(tái),、凸臺(tái)）,、配置散熱器型號。(2)注明您關(guān)注的參數(shù)要求,。(3)選擇電流電壓時(shí)要留有適當(dāng)?shù)挠嗔浚?,、可控硅模塊使用注意事項(xiàng)：(1)線路中須有過壓過流保護(hù)措施，串并聯(lián)使用時(shí)必須有均流措施,。(2)用萬用表簡單判斷器件是否損壞：門陰極間電阻,，應(yīng)有十幾或幾十Ω，否則門極已短路或開路,。陰陽極間電阻,，應(yīng)大于1MΩ，（整流管正向除外）,，電阻小于1MΩ表明器件極間絕緣性能不良。淄博正高電氣公司狠抓產(chǎn)品質(zhì)量的提高,，逐年立項(xiàng)對制造,、檢測、試驗(yàn)裝置進(jìn)行技術(shù)改造,。

軟啟動(dòng)器可控硅降溫的重要性軟啟動(dòng)器中可控硅模塊是比較重要的一環(huán),，所以保護(hù)好可控硅模塊能夠的延長軟啟動(dòng)器的使用壽命?？煽毓枘K與其它功率器件一樣,，工作時(shí)由于自身功耗而發(fā)熱。如果不采取適當(dāng)措施將這種熱量散發(fā)出去,，就會(huì)引起模塊管芯PN結(jié)溫度急劇上升,。致使器件特性惡化，直至完全損壞,。晶閘管的功耗主要由導(dǎo)通損耗,、開關(guān)損耗、門極損耗三部分組成,。在工頻或400Hz以下頻率的應(yīng)用中主要的是導(dǎo)通損耗,。散熱器的常用散熱方式有：自然風(fēng)冷、強(qiáng)迫風(fēng)冷,、熱管冷卻,、水冷、油冷等,。正常工作情況的軟啟動(dòng)器設(shè)備有,，主要以熱量的形式散失在環(huán)境當(dāng)中,，所以我們要先解決軟啟動(dòng)器工作環(huán)境的溫度問題，若工作環(huán)境的溫度過高則將危害到軟啟動(dòng)器的工作,，導(dǎo)致軟啟動(dòng)器過熱保護(hù)跳閘,。保證軟起動(dòng)器具有良好的運(yùn)行環(huán)境，須對變頻器及運(yùn)行環(huán)境的溫度控制采取相應(yīng)的措施,。給軟啟動(dòng)器預(yù)留一定的空間,，定期給軟啟動(dòng)器進(jìn)行清灰處理，都是能夠有效降低可控硅溫度的方式,。淄博正高電氣生產(chǎn)的產(chǎn)品質(zhì)量上乘,。濟(jì)寧進(jìn)口晶閘管調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家

淄博正高電氣是多層次的模式與管理模式。濟(jì)寧進(jìn)口晶閘管調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家

晶閘管模塊又稱為可控硅模塊,，是硅整流裝置中主要的器件,，可應(yīng)用于多種場合，在不同的場合,、線路和負(fù)載的狀態(tài)下,，選擇適合的晶閘管模塊的重要參數(shù)，使設(shè)備運(yùn)行更良好,，使用壽命更長,。1.選擇正反向電壓晶閘管模塊在門極無信號，控制電流Ig為0時(shí),，在陽（A）逐一陰（K）極之間加（J2）處于反向偏置,，所以，器件呈高阻抗?fàn)顟B(tài),，稱為正向阻斷狀態(tài),，若增大UAK而達(dá)到一定值VBO，可控硅由阻斷忽然轉(zhuǎn)為導(dǎo)通,，這個(gè)VBO值稱為正向轉(zhuǎn)折電壓,，這種導(dǎo)通是非正常導(dǎo)通，會(huì)減短器件的壽命,。所以必須選擇足夠正向重復(fù)阻斷峰值電壓（VDRM）,。在陽逐一陰極之間加上反向電壓時(shí)，器件的一和三PN結(jié)（J1和J3）處于反向偏置,，呈阻斷狀態(tài),。當(dāng)加大反向電壓達(dá)到一定值VRB時(shí)可控硅的反向從阻斷忽然轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，此時(shí)是反向擊穿,，器件會(huì)被損壞,。而且VBO和VRB值隨電壓的重復(fù)施加而變小。在感性負(fù)載的情況下，如磁選設(shè)備的整流裝置,。在關(guān)斷的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生很高的電壓（∈=-Ldi/dt）,，假如電路上未有良好的吸收回路，此電壓將會(huì)損壞晶閘管模塊,。因此,，晶閘管模塊也必須有足夠的反向耐壓VRRM。晶閘管模塊在變流器（如電機(jī)車）中工作時(shí),。必須能夠以電源頻率重復(fù)地經(jīng)受一定的過電壓而不影響其工作,。濟(jì)寧進(jìn)口晶閘管調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家