4：光控電子開關(guān)光控電子開關(guān),，它的“開”和“關(guān)”是靠可控硅的導(dǎo)通和阻斷來實(shí)現(xiàn)的,，而可控硅的導(dǎo)通和阻斷又是受自然光的亮度（或人為亮度）的大小所控制的。該裝置適合作為街道,、宿舍走廊或其它公共場所照明燈,，起到日熄夜亮的控制作用，以節(jié)約用電,。工作原理：電路如上圖所示,，220V交流電通過燈泡H及整流全橋后，變成直流脈動電壓,，作為正向偏壓,，加在可控硅VS及R支路上。白天,，亮度大于一定程度時(shí),，光敏二極管D呈現(xiàn)底阻狀態(tài)≤1KΩ，使三極管V截止,，其發(fā)射極無電流輸出,，單向可控硅VS因無觸發(fā)電流而阻斷。此時(shí)流過燈泡H的電流≤,，燈泡H不能發(fā)光,。電阻R1和穩(wěn)壓二極管DW使三極管V偏壓不超過，對三極管起保護(hù)作用,。夜晚,，亮度小于一定程度時(shí)，光敏二極管D呈現(xiàn)高阻狀態(tài)≥100KΩ,，使三極管V正向?qū)?，發(fā)射極約有，使可控硅VS觸發(fā)導(dǎo)通,，燈泡H發(fā)光,。RP是清晨或傍晚實(shí)現(xiàn)開關(guān)轉(zhuǎn)換的亮度選擇元件。安裝與調(diào)試：安裝時(shí),，將裝焊好的印制板放入透明塑料盒內(nèi)并固定好,，將它與受控電燈H串聯(lián)，并讓它正對著天幕或房子采光窗前較明亮的空間,，避免3米以內(nèi)夜間燈光的直接照射,。調(diào)試宜傍晚時(shí)進(jìn)行，調(diào)節(jié)RP阻值的大小,，使受控電燈H在適當(dāng)?shù)牧炼认率键c(diǎn)亮,。5：自動延時(shí)照明開關(guān)夜晚離開房間。淄博正高電氣生產(chǎn)的產(chǎn)品受到用戶的一致稱贊,。濟(jì)寧三相可控硅調(diào)壓模塊供應(yīng)商

晶閘管模塊在電加熱爐的作用晶閘管模塊在我們的生活是無處不在,，它在電加熱爐中也發(fā)揮著重要的作用,，通過電控儀表的溫度傳感器來采集爐內(nèi)溫度，然后再由恒溫儀表來控制智能可控硅調(diào)壓模塊的輸出電壓,，形成一個溫度閉環(huán)系統(tǒng),，來保持爐內(nèi)溫度恒定。下面正高電氣就來說說晶閘管模塊在電加熱爐中的作用,，晶閘管模塊是電加熱爐控制裝置中關(guān)鍵的功率器件,，整機(jī)裝置是否工作可靠與正確選擇晶閘管（可控硅）調(diào)壓模塊的額定電壓、額定電流等參數(shù)有很大關(guān)系,。晶閘管模塊選型的原則是考慮工作可靠性,，即電流、電壓必須留有足夠余量,。一般加熱爐額定電壓為380V,，選擇工作電壓為460V的晶閘管模塊，其他電壓的晶閘管模塊需要訂做,。對晶閘管模塊電流的選擇,，必須考慮加熱爐爐絲（或加熱件）的額定工作電流及智能可控硅調(diào)壓模塊的較大輸出電壓值，如果加熱絲為NTC或PTC特性的（即加熱絲額定電流隨溫度變化,，開機(jī)時(shí)溫度很低,，額定電流會很大或加熱到較高溫度時(shí)，額定電流會很大或加熱到較高溫度時(shí),，額定電流會很大）,，必須考慮加熱絲整個工作狀態(tài)的較大電流值，作為加熱絲的額定電流值來確定晶閘管智能模塊的規(guī)格大小,。以上就是晶閘管模塊在電加熱爐的作用,，想要了解更多關(guān)于晶閘管模塊的知識。濟(jì)寧三相可控硅調(diào)壓模塊供應(yīng)商淄博正高電氣不斷從事技術(shù)革新,，改進(jìn)生產(chǎn)工藝,，提高技術(shù)水平。

會對可控硅模塊造成損壞,，如果要想保護(hù)可控硅不受其損壞,，就要了解過電壓的產(chǎn)生原因，從而去避免防止受損,，下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞,？以及過電壓產(chǎn)生的原因?？煽毓枘K對過電壓非常敏感,，當(dāng)正向電壓超過udrm值時(shí)，可控硅會誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障,；當(dāng)施加的反向電壓超過urrm值時(shí),，可控硅模塊會立即損壞,。因此,，需要研究過電壓產(chǎn)生的原因和過電壓的方法,。過電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲能的急劇變化，使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚,，或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚,。主要研究發(fā)現(xiàn)，由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型,，如雷擊和開關(guān)開啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓,。雷擊或高壓斷路器動作產(chǎn)生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，對可控硅模塊非常危險(xiǎn),。開關(guān)的開啟和關(guān)閉引起的脈沖電壓分為以下兩類：（1）交流電源接通,、斷開產(chǎn)生的過電壓如交流開關(guān)分合、交流側(cè)熔斷器熔斷等引起的過電壓,，由于變壓器繞組的分布電容,、漏抗引起的諧振回路、電容分壓等原因,，這些過電壓值是正常值的2～10倍以上,。一般來說，開閉速度越快,，過電壓越高,，則在無負(fù)載下斷開晶閘管模塊時(shí)過電壓就越高。直流側(cè)產(chǎn)生的過電壓例如,，如果切斷電路的電感較大,。

可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種,，螺旋式的應(yīng)用較多,。可控硅有三個電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）,。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),，共有三個PN結(jié)?？煽毓韬椭挥幸粋€PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用,，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),。在應(yīng)用可控硅時(shí)，只要在控制極加上很小的電流或電壓,，就能控制很大的陽極電流或電壓,。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件,。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,?？煽毓铻槭裁雌溆小耙孕】卮蟆钡目煽匦阅兀肯旅婧唵畏治隹煽毓璧墓ぷ髟??？梢园褟年帢O向上數(shù)的、二,、三層看面是一只NPN型號晶體管,，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管,。其中第二,、第三層為兩管交迭共用。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea,，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號,，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大,，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1,。因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2,。淄博正高電氣以快的速度提供好的產(chǎn)品質(zhì)量和好的價(jià)格及完善的售后服務(wù),。

可控硅可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件,，也稱晶閘管,。它具有體積小、效率高,、壽命長等優(yōu)點(diǎn),。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動器件,，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備,。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了的應(yīng)用,?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,，簡稱TRIAC,。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋Ｆ渫〝酄顟B(tài)由控制極G決定,。在控制極G上加正脈沖（或負(fù)脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通,。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題,，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用,。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn),。GTR飽和壓降低，載流密度大,，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小,，開關(guān)速度快,，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小,。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī),、變頻器,、開關(guān)電源、照明電路,、牽引傳動等領(lǐng)域,。晶閘管等元件通過整流來實(shí)現(xiàn)。淄博正高電氣在客戶和行業(yè)中樹立了良好的企業(yè)形象,。濟(jì)寧三相可控硅調(diào)壓模塊供應(yīng)商

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晶閘管模塊串聯(lián)和并聯(lián)的區(qū)別有哪些？晶閘管模塊的存在起到很重要的作用,，在一些特殊情況時(shí),，就需要將晶閘管模塊進(jìn)行串聯(lián)或者并聯(lián)，從而達(dá)到要求,，接下來正高電氣來說說晶閘管模塊串聯(lián)和并聯(lián)的區(qū)別有哪些,？當(dāng)晶閘管模塊額定電壓小于要求時(shí)，可以串聯(lián),。采用晶閘管模塊串聯(lián)希望器件分壓相等,，但因特性差異，使器件電壓分配不均勻,。當(dāng)晶閘管模塊靜態(tài)不均壓,，串聯(lián)的晶閘管模塊流過的漏電流相同，但因靜態(tài)伏安特性的分散性，各器件分壓不等,。這是應(yīng)選用參數(shù)和特性盡量一致的晶閘管模塊,，采用電阻均壓，Rp的阻值應(yīng)比器件阻斷時(shí)的正,、反向電阻小得多,。當(dāng)晶閘管模塊動態(tài)不均壓，由于器件動態(tài)參數(shù)和特性的差異造成的不均壓,，這時(shí)我們要選擇動態(tài)參數(shù)和特性盡量一致的晶閘管模塊,，用RC并聯(lián)支路作動態(tài)均壓，采用門極強(qiáng)脈沖觸發(fā)可以明顯減小器件開通時(shí)間的差異,。和晶閘管模塊串聯(lián)不同的是,，晶閘管模塊并聯(lián)會使多個器件并聯(lián)來承擔(dān)較大的電流，會分別因靜態(tài)和動態(tài)特性參數(shù)的差異而電流分配不均勻,，這時(shí)我們要挑選特性參數(shù)盡量一致的器件,，采用均流電抗器，用門極強(qiáng)脈沖觸發(fā)也有助于動態(tài)均流,。需要注意的是當(dāng)晶閘管模塊需要同時(shí)串聯(lián)和并聯(lián)時(shí),，通常采用先串后并的方法聯(lián)接。濟(jì)寧三相可控硅調(diào)壓模塊供應(yīng)商