主電路由220V市電直接供電,,單相交流電壓經(jīng)晶閘管恒流恒壓控制模塊將交流轉(zhuǎn)換為直流,,為逆變器提供恒定的直流電壓。進入晶閘管動作特性測試子菜單,,中試控股儀器提供50V和800V兩種輸出電壓,。針對低電壓動作的晶閘管可以選擇50V輸出來提高測試準確度。自動模式:選中“自動”勾選框,,“啟動”儀器自動調(diào)壓輸出,,同時實時顯示輸出電壓有效值,、峰值及波形,當檢測到晶閘管動作時立即鎖定波形和數(shù)據(jù)同時斷開輸出,。手動模式:選中“手動”勾選框“啟動”,,然后通過手動點擊“增加”“減小”按鈕來控制輸出電壓,此時儀器不會自動斷開輸出,,需要用戶自行判斷,。淄博正高電氣多方位滿足不同層次的消費需求。臨沂進口晶閘管調(diào)壓模塊型號
晶閘管具有硅整流器件的特性,,能在高電壓,、大電流條件下工作,且其工作過程可以控制,、被大量應用于可控整流,、交流調(diào)壓。變頻軟起動器的主回路是由六只晶閘管兩兩反并聯(lián)組成的三相交流調(diào)壓回路和短接開關并聯(lián)構成,。電機起動時,,晶閘管工作;起動完畢后,,短接開關動作,,短接晶閘管,晶閘管停止工作,。交-直-交電流型變頻電路:整流器采用晶閘管構成的可控整流電路,,完成交流到直流的變換,輸出可控的直流電壓U,,實現(xiàn)調(diào)壓功能,;中間直流環(huán)節(jié)用大電感L濾波。福建進口晶閘管調(diào)壓模塊功能淄博正高電氣技術力量雄厚,,工裝設備和檢測儀器齊備,,檢驗與實驗手段完善。
它是由單結晶體管和RC充放電電路組成的,。合上電源開關S后,,電源UBB經(jīng)電位器RP向電容器C充電,電容器上的電壓UC按指數(shù)規(guī)律上升,。當UC上升到單結晶體管的峰點電壓UP時,,單結晶體管突然導通,基區(qū)電阻RB1急劇減小,,電容器C通過PN結向電阻R1迅速放電,,使R1兩端電壓Ug發(fā)生一個正跳變,形成陡峭的脈沖前沿。隨著電容器C的放電,,UE按指數(shù)規(guī)律下降,,直到低于谷點電壓UV時單結晶體管截止。這樣,,在R1兩端輸出的是尖頂觸發(fā)脈沖,。此時,電源UBB又開始給電容器C充電,,進入第二個充放電過程,。這樣周而復始,電路中進行著周期性的振蕩,。調(diào)節(jié)RP可以改變振蕩周期,。九、在可控整流電路的波形圖中,,發(fā)現(xiàn)晶閘管模塊承受正向電壓的每半個周期內(nèi),,發(fā)出個觸發(fā)脈沖的時刻都相同,也就是控制角和導通角都相等,,那么,,單結晶體管張弛振蕩器怎樣才能與交流電源準確地配合以實現(xiàn)有效的控制呢?為了實現(xiàn)整流電路輸出電壓“可控”,,必須使晶閘管模塊承受正向電壓的每半個周期內(nèi),觸發(fā)電路發(fā)出個觸發(fā)脈沖的時刻都相同,,這種相互配合的工作方式,,稱為觸發(fā)脈沖與電源同步。
可控硅移相觸發(fā)器主要用于觸發(fā)可控硅實現(xiàn)交流調(diào)壓,,包括電源,、電阻、導線,、大電流晶閘管,、小功率雙向晶閘管,現(xiàn)代有可控硅移相觸發(fā)器的出現(xiàn),,縮小觸發(fā)器體積與重量,,節(jié)省大量的生產(chǎn)成本,為生產(chǎn)企業(yè)帶來明顯的經(jīng)濟與社會效益,。下面正高帶了解可控硅移相觸發(fā)器的功能,。CON對COM必須為正,極性相反則輸出端失控,,全開或全閉,。當控制端CON從,交流負載上的電壓從0伏到相當大值可調(diào),對阻性負載而言,。其中CON在,,可靠關斷模塊的輸出CON在,即隨著控制電壓的增大,,導通角∝從180到0線性減小,,交流負載上的電壓從0伏增大到相當大值,CON在,,交流負載上的電壓為相當大值,。移相觸發(fā)器均可使用在100-420Vac,50Hz的電網(wǎng)上,,100V以下可定制,。CON對COM的輸入阻抗分,G型為250歐,。移相觸發(fā)器模塊可以觸發(fā):1000A以內(nèi)可控硅,,注意觸發(fā)端接法。移相觸發(fā)器模塊本身發(fā)熱很小,,不需另外散熱,。可控硅移相觸發(fā)器主要適用于交流供電的雙向可控硅或反并聯(lián)可控硅線路的交流相位控制,。能由交流電網(wǎng)直接供電并無需外加同步信號,、輸出變壓器和直流工作電源,并且能直接與與可控硅控制極直接耦合觸發(fā),。具有鋸齒波線性好,、移相范圍寬、控制方式簡單,、有交互保護,、輸出電流大等優(yōu)點。淄博正高電氣設備的引進更加豐富了公司的設備品種,,為用戶提供了更多的選擇空間,。
逆變器采用晶閘管構成的串聯(lián)二極管式電流型逆變電路,完成直流到交流的變換,,并實現(xiàn)輸出頻率的調(diào)節(jié),。調(diào)壓調(diào)速的主要裝置是能提供電壓變化的電源,目前常用的調(diào)壓方式有串聯(lián)飽和電抗器,、自耦變壓器和晶閘管,。調(diào)壓調(diào)速的特點:調(diào)壓調(diào)速電路簡單,易于實現(xiàn)自動控制,;在調(diào)壓過程中,,轉(zhuǎn)子電阻中的差動功率以發(fā)熱的形式消耗,,效率較低。電壓調(diào)速一般適用于100kW以下的生產(chǎn)機械,。用三對反并聯(lián)晶閘管連接成三相三線交流調(diào)壓電路,,為使三相電流構成通路,任意時刻至少要有兩只晶閘管同時導通,。淄博正高電氣建立雙方共贏的伙伴關系是我們孜孜不斷的追求,。濟寧單向晶閘管調(diào)壓模塊價格
淄博正高電氣公司狠抓產(chǎn)品質(zhì)量的提高,逐年立項對制造,、檢測,、試驗裝置進行技術改造。臨沂進口晶閘管調(diào)壓模塊型號
怎么區(qū)分可控硅模塊的損壞緣由當可控硅模塊損壞后需求查看剖析其緣由時,,可把管芯從冷卻套中取出,,翻開芯盒再取出芯片,調(diào)查其損壞后的痕跡,,以判別是何緣由,。下面介紹幾種常見表象剖析。電流損壞,。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑,,且粗糙,其方位在遠離操控極上,。電壓擊穿,。可控硅因不能接受電壓而損壞,,其芯片中有一個光亮的小孔,,有時需用擴展鏡才干看見。其緣由可能是管子自身耐壓降低或被電路斷開時發(fā)生的高電壓擊穿,。電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞一樣,,而其方位在操控極鄰近或就在操控極上,。邊際損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處,,有細微光亮小孔,。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制作廠家裝置不小心所形成的,。它致使電壓擊穿。臨沂進口晶閘管調(diào)壓模塊型號