固態(tài)繼電器與可控硅模塊作為常見(jiàn)的電子元器件，在咱們?nèi)粘５碾娮赢a(chǎn)品中現(xiàn)已被使用,，那么，這兩種元器件的差異在哪里呢,？固態(tài)繼電器其實(shí)也是可控硅模塊為首要部件而制造的,，所不同的是，固態(tài)繼電器動(dòng)作電壓與操控電壓經(jīng)過(guò)內(nèi)部電路光藕進(jìn)行別離的,，能夠拆一個(gè)固態(tài)繼電器調(diào)查內(nèi)部,，對(duì)比下哦?？煽毓枘K能夠是單向的,，也能夠是雙向的，能夠過(guò)零觸發(fā)也能夠移相觸發(fā),，固態(tài)繼電器同樣是如此的,。所以，他們的應(yīng)用范圍,、方式都都有相同類(lèi)型產(chǎn)品,，從這一點(diǎn)上（運(yùn)用的方式、性質(zhì)視點(diǎn)）沒(méi)有差異,，由于固態(tài)繼電器也是可控硅做的（三極管的固態(tài)繼電器在外）,。那么他們的差異究竟在那呢？總不會(huì)一個(gè)東西,，兩個(gè)姓名吧？他們的差異就在于,，可控硅便是可控硅,，固態(tài)繼電器則是可控硅模塊+同步觸發(fā)驅(qū)動(dòng)。這便是差異,。我們正高專(zhuān)業(yè)加工可控硅模塊與固態(tài)繼電器已有16年的使用經(jīng)歷,，一直處于業(yè)界水平,贏得很多好評(píng)!假如您對(duì)我司的可控硅模塊與固態(tài)繼電器有愛(ài)好或疑問(wèn)的話(huà)，歡迎來(lái)電咨詢(xún),！淄博正高電氣不斷從事技術(shù)革新,，改進(jìn)生產(chǎn)工藝，提高技術(shù)水平,。西藏恒壓可控硅調(diào)壓模塊功能

Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大,。如此循環(huán)放大，直到BG1,、BG2完全導(dǎo)通,。實(shí)際這一過(guò)程是“一觸即發(fā)”的過(guò)程,，對(duì)可控硅來(lái)說(shuō)，觸發(fā)信號(hào)加入控制極,，可控硅立即導(dǎo)通,。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,，而是經(jīng)過(guò)BG1,、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通,。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失,，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開(kāi)電源Ea或降低Ea，使BG1,、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的較小值時(shí),，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,，如果Ea極性反接,，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài),。這時(shí),，即使輸入觸發(fā)信號(hào)，可控硅也不能工作,。反過(guò)來(lái),，Ea接成正向，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的,，可控硅也不能導(dǎo)通,。另外，如果不加觸發(fā)信號(hào),，而正向陽(yáng)極電壓大到超過(guò)一定值時(shí),，可控硅也會(huì)導(dǎo)通，但已屬于非正常工作情況了,?？煽毓柽@種通過(guò)觸發(fā)信號(hào)（小的觸發(fā)電流）來(lái)控制導(dǎo)通（可控硅中通過(guò)大電流）的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征,。西藏恒壓可控硅調(diào)壓模塊功能淄博正高電氣竭誠(chéng)為您服務(wù),，期待與您的合作，歡迎大家前來(lái)！

可控硅模塊是可控硅整流器的簡(jiǎn)稱(chēng),。它是由三個(gè)PN結(jié)四層結(jié)構(gòu)硅芯片和三個(gè)電極組成的半導(dǎo)體器件,。那么就讓正高的小編帶大家去了解下其他知識(shí)吧！它的三個(gè)電極分別叫陽(yáng)極（A）,、陰極（K）和控制極（G）,。當(dāng)器件的陽(yáng)極接負(fù)電位（相對(duì)陰極而言）時(shí)，從符號(hào)圖上可以看出PN結(jié)處于反向,，具有類(lèi)似二極管的反向特性,。當(dāng)器件的陽(yáng)極上加正電位時(shí)（若控制極不接任何電壓），在一定的電壓范圍內(nèi),，器件仍處于阻抗很高的關(guān)閉狀態(tài),。但當(dāng)正電壓大于某個(gè)電壓（樂(lè)為轉(zhuǎn)折電壓）時(shí)，器件迅速轉(zhuǎn)變到低阻通導(dǎo)狀態(tài),。加在陽(yáng)極和陰極間的電壓低于轉(zhuǎn)折電壓時(shí),，器件處于關(guān)閉狀態(tài)。此時(shí)如果在控制極上加有適當(dāng)大小的正電壓（對(duì)陰極）,，只有使器件中的電流減到低于某個(gè)數(shù)值或陰極與陽(yáng)極之間電壓減小到零或負(fù)值時(shí),，器件才可恢復(fù)到關(guān)閉狀態(tài)。多種用途的,，根據(jù)結(jié)構(gòu)及用途的不同,，它已有很多不同的類(lèi)型，除上述介紹的整流用普通可控硅之外還有,；1,、快速的。這種可以工作在較高的頻率下,，用于大功率直流開(kāi)關(guān),、電脈沖加工電源、激光電源和雷達(dá)調(diào)制器等電路中,。2,、雙向的。它的特點(diǎn)是可以使用正的或負(fù)的控制極脈沖,，控制兩個(gè)方向電流的導(dǎo)通,。它主要用于交流控制電路,。

并不能說(shuō)明控制極特性不好,。因此，兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路,，當(dāng)有足夠的門(mén)機(jī)電流Ig流入時(shí),，就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通,。對(duì)過(guò)壓保護(hù)可采用兩種措施：在中頻電源的主電路中,，瞬時(shí)反相電壓是靠阻容吸收來(lái)吸收的。如果吸收電路中電阻,、電容開(kāi)路均會(huì)使瞬時(shí)反相電壓過(guò)高燒壞可控硅,。用萬(wàn)用表電阻檔測(cè)量晶閘管有無(wú)擊穿。在斷電的情況下用東臺(tái)表測(cè)量吸收電阻阻值,、吸收電容容量,，判斷是否阻容吸收回路出現(xiàn)故障。在設(shè)備運(yùn)行時(shí)如果突然丟失觸發(fā)脈沖,，將造成逆變開(kāi)路,，中頻電源輸出端產(chǎn)生高壓，燒壞可控硅元件,。原因及處理方法：(1)整流觸發(fā)脈沖缺失,。這種故障一般是逆變脈沖形成、輸出電路故障,，可用示波器進(jìn)行檢查,，也可能是逆變脈沖引線(xiàn)接觸不良，可用手搖晃導(dǎo)線(xiàn)接頭,，找出故障位置,。淄博正高電氣與廣大客戶(hù)攜手并進(jìn)，共創(chuàng)輝煌,！

安裝注意事項(xiàng)：1,、考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)和負(fù)載在起動(dòng)時(shí)一般都比其額定電流大幾倍，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,，建議您在選取模塊電流規(guī)格時(shí)應(yīng)留出適當(dāng)裕量,。2、模塊管芯工作結(jié)溫：可控硅為-40℃∽125℃,；環(huán)境溫度不得高于40℃,；環(huán)境濕度小于86%。3,、使用環(huán)境應(yīng)無(wú)劇烈振動(dòng)和沖擊,，環(huán)境介質(zhì)中應(yīng)無(wú)腐蝕金屬和破壞絕緣的雜質(zhì)和氣氛。4,、由于可控硅模塊是絕緣型（即模塊接線(xiàn)柱對(duì)銅底板之間的絕緣耐壓大于）,，因此可以把多個(gè)模塊安裝在同一散熱器上，需接地線(xiàn),。5,、散熱器安裝表面應(yīng)平整,、光滑，不能有劃痕,、磕碰和雜物,。散熱器表面光潔度應(yīng)小于10μm。模塊安裝到散熱器上時(shí),，在它們的接觸面之間應(yīng)涂一層很薄的導(dǎo)熱硅脂,。涂脂前，用細(xì)砂紙把散熱器接觸面的氧化層去掉,，然后用無(wú)水乙醇把表面擦干凈,，使接觸良好，以減少熱阻,。模塊緊固到散熱器表面時(shí),，采用M5或M6螺釘和彈簧墊圈，并以4NM力矩緊固螺釘與模塊主電極的連線(xiàn)應(yīng)采用銅排,，并有光滑平整的接觸面,，使接觸良好。模塊工作３小時(shí)后,，各個(gè)螺釘須再次緊固一遍,。淄博正高電氣具備雄厚的實(shí)力和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。西藏恒壓可控硅調(diào)壓模塊功能

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就組成了一個(gè)簡(jiǎn)單實(shí)用的大功率無(wú)級(jí)調(diào)速電路,。這個(gè)電路的獨(dú)特之處在于可控硅控制極不需外加電源，只要將負(fù)載與本電路串聯(lián)后接通電源,，兩個(gè)控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動(dòng)直流電壓產(chǎn)生,，調(diào)節(jié)電位器R2即可改變兩只可控硅的導(dǎo)通角，增大R2的阻值到一定程度,，便可使兩個(gè)主可控硅阻斷,，因此R2還可起開(kāi)關(guān)的作用。該電路的另一個(gè)特點(diǎn)是兩只主可控硅交替導(dǎo)通,，一個(gè)的正向壓降就是另一個(gè)的反向壓降,，因此不存在反向擊穿問(wèn)題。但當(dāng)外加電壓瞬時(shí)超過(guò)阻斷電壓時(shí),，SCR1,、SCR2會(huì)誤導(dǎo)通，導(dǎo)通程度由電位器R2決定,。SCR3與周?chē)?gòu)成普通移相觸發(fā)電路,，其原理這里從略。SCR1,、SCR2筆者選用的是封裝好的可控硅模塊（110A／1000V）,，SCR3選用BTl36，即600V的雙向可控硅,。本電路如用于感性負(fù)載,，應(yīng)增加R4，C3阻容吸收電路及壓敏電阻RV作過(guò)壓保護(hù),，防止負(fù)載斷開(kāi)和接通瞬間產(chǎn)生很高的感應(yīng)電壓損壞可控硅,。可控硅調(diào)壓器電路圖（五）一種吸塵器使用可控硅元件構(gòu)成調(diào)速電路可控硅調(diào)壓器電路圖（六）這個(gè)電路的獨(dú)特之處在于可控硅控制極不需外加電源可控硅調(diào)壓器電路圖（七）一種大功率直流電機(jī)調(diào)速電路可控硅調(diào)壓器電路圖（八）使用一個(gè)負(fù)溫度系數(shù)（NTC）的熱敏電阻,。西藏恒壓可控硅調(diào)壓模塊功能