當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea,，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號,，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大,，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1,。因為BG1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2,。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大,。如此循環(huán)放大，直到BG1,、BG2完全導(dǎo)通,。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對可控硅來說,，觸發(fā)信號加入控制極,，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時間主要決定于可控硅的性能,?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,，而是經(jīng)過BG1,、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通,。此時觸發(fā)信號即使消失,，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1,、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時,，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,，如果Ea極性反接,，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài),。這時,，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作,。反過來,，Ea接成正向，而觸動發(fā)信號是負的,，可控硅也不能導(dǎo)通,。另外，如果不加觸發(fā)信號,，而正向陽極電壓大到超過一定值時,，可控硅也會導(dǎo)通。淄博正高電氣公司在多年積累的客戶好口碑下,，不但在產(chǎn)品規(guī)格配套方面占據(jù)優(yōu)勢,。江西交流可控硅調(diào)壓模塊功能

會對可控硅模塊造成損壞，如果要想保護可控硅不受其損壞,，就要了解過電壓的產(chǎn)生原因,，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞,？以及過電壓產(chǎn)生的原因,。可控硅模塊對過電壓非常敏感,，當(dāng)正向電壓超過udrm值時,，可控硅會誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障；當(dāng)施加的反向電壓超過urrm值時,，可控硅模塊會立即損壞,。因此,，需要研究過電壓產(chǎn)生的原因和過電壓的方法。過電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲能的急劇變化,，使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚,，或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn),，由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型,，如雷擊和開關(guān)開啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產(chǎn)生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰,，對可控硅模塊非常危險,。開關(guān)的開啟和關(guān)閉引起的脈沖電壓分為以下兩類：（1）交流電源接通、斷開產(chǎn)生的過電壓如交流開關(guān)分合,、交流側(cè)熔斷器熔斷等引起的過電壓,，由于變壓器繞組的分布電容、漏抗引起的諧振回路,、電容分壓等原因,，這些過電壓值是正常值的2～10倍以上。一般來說,，開閉速度越快,，過電壓越高，則在無負載下斷開晶閘管模塊時過電壓就越高,。直流側(cè)產(chǎn)生的過電壓例如,，如果切斷電路的電感較大。陜西單向可控硅調(diào)壓模塊報價淄博正高電氣以快的速度提供好的產(chǎn)品質(zhì)量和好的價格及完善的售后服務(wù),。

晶閘管模塊的八個優(yōu)點來源：正高電氣日期：2019年09月07日點擊數(shù)：載入中...晶閘管模塊應(yīng)用于溫度調(diào)節(jié)、調(diào)光,、勵磁,、電鍍、電解,、焊接,、穩(wěn)壓電源等行業(yè)，也可用于交流電機軟起動和直流電機調(diào)速,。你知道晶閘管模塊的優(yōu)點嗎,？下面晶閘管生產(chǎn)廠家正高電氣來講解一下晶閘管模塊的八大優(yōu)點。主要優(yōu)點如下：（1）采用進口方形晶閘管支撐板,，使晶閘管模塊電壓降低,、功耗低、效率高,、節(jié)能效果好,。（2）采用進口插片元件,，保證晶閘管模塊觸發(fā)控制電路的可靠性。（3）(DCB)陶瓷銅板通過獨特的處理和特殊的焊接工藝,，保證晶閘管模塊的焊接層無空洞,，具有良好的導(dǎo)熱性能。（4）導(dǎo)熱絕緣包裝材料具有優(yōu)異的絕緣和防潮性能,。（5）觸發(fā)控制電路,、主電路和熱傳導(dǎo)底板相互隔離，熱傳導(dǎo)底板不充電,，介電強度≥2500V,，保證了安全。（6）通過輸入0-10V直流控制信號,，可以平滑地調(diào)節(jié)主電路的輸出電壓,。（7）可手動控制、儀表控制或微機控制,。（8）適用于電阻和電感負載,。以上是關(guān)于晶閘管模塊的優(yōu)點，希望能對您有所幫助,。

設(shè)備自身運行中以及非正常運行中也有過電壓出現(xiàn),。過電壓保護的第一種方法是并接R-C阻容吸收回路，以及用壓敏電阻或硒堆等非線性元件加以,。過電壓保護的第二種方法是采用電子電路進行保護,。3.電流上升率、電壓上升率的保護（1）電流上升率di/dt的可控硅初開通時電流集中在靠近門極的陰極表面較小的區(qū)域,，局部電流密度很大,，然后以μs的擴展速度將電流擴展到整個陰極面，若可控硅開通時電流上升率di/dt過大,，會導(dǎo)致PN結(jié)擊穿,，必須限制可控硅的電流上升率使其在合適的范圍內(nèi)。其有效辦法是在可控硅的陽極回路串聯(lián)入電感,。電壓上升率dv/dt的加在可控硅上的正向電壓上升率dv/dt也應(yīng)有所限制,如果dv/dt過大,，由于晶閘管結(jié)電容的存在而產(chǎn)生較大的位移電流，該電流可以實際上起到觸發(fā)電流的作用,，使晶閘管正向阻斷能力下降,，嚴(yán)重時引起晶閘管誤導(dǎo)通。為dv/dt的作用,，可以在晶閘管兩端并聯(lián)R-C阻容吸收回路,。如下圖：4.為什么要在可控硅兩端并聯(lián)阻容網(wǎng)絡(luò)在實際可控硅電路中，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)常稱為RC阻容吸收電路,?？煽毓栌幸粋€重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明可控硅在額定結(jié)溫和門極斷路條件下,。淄博正高電氣尊崇團結(jié),、信譽、勤奮,。

雙向可控硅是一種功率半導(dǎo)體器件,，也稱雙向晶閘管，在單片機控制系統(tǒng)中,，可作為功率驅(qū)動器件,，由于雙向可控硅沒有反向耐壓問題，控制電路簡單,，因此特別適合做交流無觸點開關(guān)使用,。雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器，且連接在強電網(wǎng)絡(luò)中,，其觸發(fā)電路的抗干擾問題很重要,，通常都是通過光電耦合器將單片機控制系統(tǒng)中的觸發(fā)信號加載到可控硅的控制極。為減小驅(qū)動功率和可控硅觸發(fā)時產(chǎn)生的干擾,，交流電路雙向可控硅的觸發(fā)常采用過零觸發(fā)電路,。（過零觸發(fā)是指在電壓為零或零附近的瞬間接通，由于采用過零觸發(fā),，因此需要正弦交流電過零檢測電路）雙向可控硅分為三象限,、四象限可控硅，四象限可控硅其導(dǎo)通條件：總的來說導(dǎo)通的條件就是：G極與T1之間存在一個足夠的電壓時并能夠提供足夠的導(dǎo)通電流就可以使可控硅導(dǎo)通,，這個電壓可以是正,、負，和T1,、T2之間的電流方向也沒有關(guān)系,。因為雙向可控硅可以雙向?qū)ǎ詻]有正極負極,，但是有T1、T2之分雙向可控硅觸發(fā)電路的設(shè)計方案雙向可控硅是一種功率半導(dǎo)體器件,，也稱雙向晶閘管,，在單片機控制系統(tǒng)中，可作為功率驅(qū)動器件,，由于雙向可控硅沒有反向耐壓問題,，控制電路簡單，因此特別適合做交流無觸點開關(guān)使用。淄博正高電氣始終堅持以人為本,，恪守質(zhì)量為金,，同建雄績偉業(yè)。臨沂三相可控硅調(diào)壓模塊分類

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1.用指針式萬用表電阻檔測量可控硅陽極和陰極之間是否短路,，一般情況下雙向可控硅陽極和陰極之間的電阻在數(shù)十千歐以上，如用萬用表測量時已短路或電阻已小于10千歐以下,，可判斷可控硅已擊穿損壞,。2.用萬用表分別測量雙向可控硅觸發(fā)極與陰極之間的電阻值，一般再幾歐至百十歐以內(nèi)的正常,，觸發(fā)極與陽極之間的電阻值,，一般再十千歐以上為正常。晶閘管(可控硅)要導(dǎo)通,，必須滿足以下條件：雙向晶閘管導(dǎo)通條件：一是晶閘管(可控硅)陽極與陰極間必須加正向電壓,，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備,，晶閘管(可控硅)才會處于導(dǎo)通狀態(tài),。另外，晶閘管(可控硅)一旦導(dǎo)通后,，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓,，晶閘管(可控硅)仍然導(dǎo)通。雙向晶閘管(可控硅)關(guān)斷條件：降低或去掉加在晶閘管(可控硅)陽極至陰極之間的正向電壓,，使陽極電流小于小維持電流以下,。江西交流可控硅調(diào)壓模塊功能