晶閘管智能模塊在電機(jī)調(diào)速中的應(yīng)用晶閘管智能模塊是新一代電力調(diào)控產(chǎn)品,它將晶閘管智能模塊和移相觸發(fā)電路集成為一體,,具有使用方便,、穩(wěn)定可靠、節(jié)材節(jié)能等優(yōu)點(diǎn),,能降低用戶系統(tǒng)的開發(fā)及使用成本,,主要應(yīng)用于交直流電動(dòng)機(jī)的調(diào)速及穩(wěn)定電源等領(lǐng)域。一,、晶閘管智能模塊按主電路形式可分為三相模塊和交流模塊,,下面是晶閘管智能模塊的工作特性。1.與單純的晶閘管電路不同,,該模塊將相觸發(fā)電路及控制系統(tǒng)與晶閘管智能模塊集成于一體,,使其成為一個(gè)完整的電力調(diào)控開環(huán)系統(tǒng),外加一定的輔助電路可實(shí)現(xiàn)閉環(huán)控制,。2.三相模塊主電路交流輸入電壓范圍較寬,,且無相序及相數(shù)限制,突破了以往整流電路對(duì)觸發(fā)電路要求同步及移相范圍等約束,,模塊內(nèi)部能自動(dòng)協(xié)調(diào)工作,。3.控制信號(hào)0-10V直流信號(hào),在此范圍內(nèi),,可平滑調(diào)節(jié)輸出電壓,,控制設(shè)為手動(dòng)或計(jì)算機(jī)控制。4.可適用多種負(fù)載形式,,如阻性,、感性、容性負(fù)載,。下面講解在電動(dòng)機(jī)調(diào)速系統(tǒng)中應(yīng)用晶閘管智能模塊應(yīng)注意的問題基于晶閘管整流模塊供電的直流電動(dòng)機(jī)開環(huán)調(diào)速系統(tǒng),,直流電動(dòng)機(jī)工作室需兩路直流電源,一路給電樞回路供電,,一路給勵(lì)磁回路供電,,采用該模塊設(shè)計(jì)的幾套實(shí)際系統(tǒng)經(jīng)過一年多時(shí)間的運(yùn)行,效果良好,。淄博正高電氣具有一支經(jīng)驗(yàn)豐富,、技術(shù)力量過硬的專業(yè)技術(shù)人才管理團(tuán)隊(duì)。濱州雙向可控硅調(diào)壓模塊結(jié)構(gòu)
會(huì)對(duì)可控硅模塊造成損壞,,如果要想保護(hù)可控硅不受其損壞,,就要了解過電壓的產(chǎn)生原因,從而去避免防止受損,,下面正高電氣就來講講過電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成怎樣的損壞,?以及過電壓產(chǎn)生的原因,。可控硅模塊對(duì)過電壓非常敏感,,當(dāng)正向電壓超過udrm值時(shí),,可控硅會(huì)誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障;當(dāng)施加的反向電壓超過urrm值時(shí),,可控硅模塊會(huì)立即損壞,。因此,需要研究過電壓產(chǎn)生的原因和過電壓的方法,。過電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲(chǔ)能的急劇變化,,使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚,或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚,。主要研究發(fā)現(xiàn),,由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型,如雷擊和開關(guān)開啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓,。雷擊或高壓斷路器動(dòng)作產(chǎn)生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰,,對(duì)可控硅模塊非常危險(xiǎn),。開關(guān)的開啟和關(guān)閉引起的脈沖電壓分為以下兩類:(1)交流電源接通,、斷開產(chǎn)生的過電壓如交流開關(guān)分合,、交流側(cè)熔斷器熔斷等引起的過電壓,由于變壓器繞組的分布電容,、漏抗引起的諧振回路,、電容分壓等原因,這些過電壓值是正常值的2~10倍以上,。一般來說,,開閉速度越快,過電壓越高,,則在無負(fù)載下斷開晶閘管模塊時(shí)過電壓就越高,。直流側(cè)產(chǎn)生的過電壓例如,如果切斷電路的電感較大,。菏澤雙向可控硅調(diào)壓模塊配件淄博正高電氣企業(yè)價(jià)值觀:以人為本,,顧客滿意,溝通合作,,互惠互利。
可控硅是可控硅整流器的簡稱,??煽毓栌袉蜗颉㈦p向,、可關(guān)斷和光控幾種類型,。它具有體積小,、重量輕、效率高,、壽命長,、控制方便等優(yōu)點(diǎn),被用于可控整流,、調(diào)壓,、逆變以及無觸點(diǎn)開關(guān)等各種自動(dòng)控制和大功率的電能轉(zhuǎn)換的場(chǎng)合。單向可控硅是一種可控整流電子元件,,能在外部控制信號(hào)作用下由關(guān)斷變?yōu)閷?dǎo)通,,但一旦導(dǎo)通,外部信號(hào)就無法使其關(guān)斷,,只能靠去除負(fù)載或降低其兩端電壓使其關(guān)斷,。單向可控硅是由三個(gè)PN結(jié)PNPN組成的四層三端半導(dǎo)體器件與具有一個(gè)PN結(jié)的二極管相比,單向可控硅正向?qū)ㄊ芸刂茦O電流控制,;與具有兩個(gè)PN結(jié)的三極管相比,,差別在于可控硅對(duì)控制極電流沒有放大作用??煽毓鑼?dǎo)通條件:一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓,,二是控制極也要加正向電壓。以上兩個(gè)條件必須同時(shí)具備,,可控硅才會(huì)處于導(dǎo)通狀態(tài),。另外,可控硅一旦導(dǎo)通后,,即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓,,可控硅仍然導(dǎo)通??煽毓桕P(guān)斷條件:降低或去掉加在可控硅陽極至陰極之間的正向電壓,,使陽極電流小于小維持電流以下。簡易單向可控硅12V觸摸開關(guān)電路觸摸一下金屬片開,,SCR1導(dǎo)通,,負(fù)載得電工作。觸摸一下金屬片關(guān),,SCR2導(dǎo)通,,繼電器J得電工作,K斷開,,負(fù)載失電,,SCR2關(guān)斷后,電容對(duì)繼電器J放電,。
N+區(qū)稱為源區(qū),,附于其上的電極稱為源極,。N+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),,附于其上的電極稱為柵極,。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。切斷基極電流,,使IGBT關(guān)斷,。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET,,所以具有高輸入阻抗特性,。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,從P+基極注入到N一層的空穴(少子),,對(duì)N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,,減小N一層的電阻,使IGBT在高電壓時(shí),,也具有低的通態(tài)電壓,。IGBT和可控硅區(qū)別IGBT與晶閘管1.整流元件(晶閘管)簡單地說:整流器是把單相或三相正弦交流電流通過整流元件變成平穩(wěn)的可調(diào)的單方向的直流電流。其實(shí)現(xiàn)條件主要是依靠整流管,。晶閘管等元件通過整流來實(shí)現(xiàn),。除此之外整流器件還有很多,如:可關(guān)斷晶閘管GTO,,逆導(dǎo)晶閘管,,雙向晶閘管,整流模塊,,功率模塊IGBT,,SIT,MOSFET等等,,這里只探討晶閘管,。晶閘管又名可控硅,通常人們都叫可控硅,。是一種功率半導(dǎo)體器件,,由于它效率高,控制特性好,,壽命長,,體積小等優(yōu)點(diǎn),自上個(gè)世紀(jì)六十長代以來,,獲得了迅猛發(fā)展,,并已形成了一門單獨(dú)的學(xué)科。“晶閘管交流技術(shù)”,。晶閘管發(fā)展到,在工藝上已經(jīng)非常成熟,,品質(zhì)更好,,成品率大幅提高,并向高壓大電流發(fā)展,。淄博正高電氣為企業(yè)打造高水準(zhǔn),、高質(zhì)量的產(chǎn)品。
電力調(diào)整器它是屬于可控硅又稱為晶閘管以及觸發(fā)控制的電路用來調(diào)整負(fù)載功率的調(diào)整單元,,而現(xiàn)在更多的都是運(yùn)用數(shù)字的電路觸發(fā)可控硅去實(shí)現(xiàn)調(diào)壓和調(diào)功,。那么就讓正高的小編帶大家去了解下吧!他有著無限大的或者說是很大的電阻,,那么我們可以把串接的這個(gè)電阻器的電路可以看做是開路,,電流可以是零。通常在工業(yè)中常用的電阻器是介于兩種極端的情況的中間,,電力調(diào)整器它本身就具有一定的電阻,,他可以通過一定的電流,但是它也并不是像電流短路的時(shí)候那樣大,,電力調(diào)整器它的限流作用其實(shí)就是類似于兩個(gè)都比較粗的管子中有一個(gè)比較小的小管子,,起到了一個(gè)限制水流量的作用。另外其實(shí)是屬于一個(gè)限流的作用,,可以將通過它的所連接的支路的電流進(jìn)行限制,,小功率的電力調(diào)整器通常是可以裝在塑料的外殼中的碳布,而大功率的電力調(diào)整器通常是繞線的電力調(diào)整器通常是繞在瓷將大電阻率的金屬絲繞在瓷心上面的,。那么電力調(diào)整器有哪些功能呢,?三相的晶閘管調(diào)壓器采用的是數(shù)學(xué)電路觸發(fā)的晶閘管調(diào)節(jié)電壓的進(jìn)行調(diào)節(jié)功率的,一般情況下電壓調(diào)節(jié)可以采用的是移相的控制方式,,功率的調(diào)節(jié)一般是兩種方式,,固定的循環(huán)功率調(diào)節(jié)和可變周期的功率調(diào)節(jié)。淄博正高電氣以質(zhì)量為生命”保障產(chǎn)品品質(zhì),。菏澤雙向可控硅調(diào)壓模塊配件
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晶閘管一旦觸發(fā)導(dǎo)通后,,門極就對(duì)它失去控制作用,通常在門極上只要加上一個(gè)正向脈沖電壓即可,,稱為觸發(fā)電壓,。門極在一定條件下可以觸發(fā)晶閘管導(dǎo)通,但無法使其關(guān)斷。要使導(dǎo)通的晶閘管恢復(fù)阻斷,,可降低陽極電壓,,或增大負(fù)載電阻,使流過晶閘管的陽極電流減小至維持電流(IH)(當(dāng)門極斷開時(shí),,晶閘管從較大的通態(tài)電流降至剛好能保持晶閘管導(dǎo)通所需的小陽極電流叫維持電流),,電流會(huì)突然降到零,之后再提高電壓或減小負(fù)載電阻,,電流不會(huì)再增大,,說明晶閘管已恢復(fù)阻斷。根據(jù)晶閘管陽極伏安特性,,可以總結(jié)出:1.門極斷開時(shí),。晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大,且隨著管子正向陽極電壓升高而增大,。當(dāng)陽極電壓升到足夠大時(shí),,會(huì)使晶閘管導(dǎo)通,稱為正向轉(zhuǎn)折或“硬開通”,。多次硬開通會(huì)損壞管子,。2.晶閘管加上正向陽極電壓后,還必須加上觸發(fā)電壓,,并產(chǎn)生足夠的觸發(fā)電流,,才能使晶閘管從阻斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通。觸發(fā)電流不夠時(shí),,管子不會(huì)導(dǎo)通,,但此時(shí)正向漏電流隨著增大而增大。晶閘管只能穩(wěn)定工作在關(guān)斷和導(dǎo)通兩個(gè)狀態(tài),,沒有中間狀態(tài),,具有雙穩(wěn)開關(guān)特性。是一種理想的無觸點(diǎn)功率開關(guān)元件,。3.晶閘管一旦觸發(fā)導(dǎo)通,,門極完全失去控制作用。要關(guān)斷晶閘管,。濱州雙向可控硅調(diào)壓模塊結(jié)構(gòu)