雙向可控硅是一種功率半導(dǎo)體器件，也稱雙向晶閘管,，在單片機(jī)控制系統(tǒng)中,，可作為功率驅(qū)動(dòng)器件，由于雙向可控硅沒有反向耐壓?jiǎn)栴},，控制電路簡(jiǎn)單,，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用。雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器,，且連接在強(qiáng)電網(wǎng)絡(luò)中，其觸發(fā)電路的抗干擾問題很重要,，通常都是通過光電耦合器將單片機(jī)控制系統(tǒng)中的觸發(fā)信號(hào)加載到可控硅的控制極,。為減小驅(qū)動(dòng)功率和可控硅觸發(fā)時(shí)產(chǎn)生的干擾，交流電路雙向可控硅的觸發(fā)常采用過零觸發(fā)電路,。（過零觸發(fā)是指在電壓為零或零附近的瞬間接通,，由于采用過零觸發(fā)，因此需要正弦交流電過零檢測(cè)電路）雙向可控硅分為三象限,、四象限可控硅,，四象限可控硅其導(dǎo)通條件：總的來說導(dǎo)通的條件就是：G極與T1之間存在一個(gè)足夠的電壓時(shí)并能夠提供足夠的導(dǎo)通電流就可以使可控硅導(dǎo)通，這個(gè)電壓可以是正,、負(fù),，和T1、T2之間的電流方向也沒有關(guān)系,。因?yàn)殡p向可控硅可以雙向?qū)?，所以沒有正極負(fù)極，但是有T1,、T2之分雙向可控硅觸發(fā)電路的設(shè)計(jì)方案雙向可控硅是一種功率半導(dǎo)體器件,，也稱雙向晶閘管，在單片機(jī)控制系統(tǒng)中,，可作為功率驅(qū)動(dòng)器件,，由于雙向可控硅沒有反向耐壓?jiǎn)栴}，控制電路簡(jiǎn)單，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用,。淄博正高電氣擁有先進(jìn)的產(chǎn)品生產(chǎn)設(shè)備,，雄厚的技術(shù)力量。德州雙向可控硅調(diào)壓模塊品牌

Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大,。如此循環(huán)放大,，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通,。實(shí)際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程,，對(duì)可控硅來說，觸發(fā)信號(hào)加入控制極,，可控硅立即導(dǎo)通,。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,，而是經(jīng)過BG1,、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通,。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失,，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1,、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的較小值時(shí),，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,，如果Ea極性反接,，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài),。這時(shí),，即使輸入觸發(fā)信號(hào)，可控硅也不能工作,。反過來,，Ea接成正向，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的,，可控硅也不能導(dǎo)通,。另外，如果不加觸發(fā)信號(hào),，而正向陽極電壓大到超過一定值時(shí),，可控硅也會(huì)導(dǎo)通,，但已屬于非正常工作情況了?？煽毓柽@種通過觸發(fā)信號(hào)（小的觸發(fā)電流）來控制導(dǎo)通（可控硅中通過大電流）的可控特性,，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。湖北單向可控硅調(diào)壓模塊品牌淄博正高電氣秉承團(tuán)結(jié),、奮進(jìn),、創(chuàng)新、務(wù)實(shí)的精神,，誠(chéng)實(shí)守信,，厚德載物。

可控硅從外形上分主要有螺旋式,、平板式和平底式三種,，螺旋式的應(yīng)用較多?？煽毓栌腥齻€(gè)電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）,。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個(gè)PN結(jié),?？煽毓韬椭挥幸粋€(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用,，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時(shí),，只要在控制極加上很小的電流或電壓,，就能控制很大的陽極電流或電壓,。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件,。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,?？煽毓铻槭裁雌溆小耙孕】卮蟆钡目煽匦阅兀肯旅婧?jiǎn)單分析可控硅的工作原理,?？梢园褟年帢O向上數(shù)的、二,、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管,。其中第二,、第三層為兩管交迭共用,。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào),，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1,，經(jīng)放大，BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1,。因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連,，IC1又是BG2的基極電流Ib2。

固態(tài)繼電器與可控硅模塊作為常見的電子元器件,，在咱們?nèi)粘５碾娮赢a(chǎn)品中現(xiàn)已被使用,，那么，這兩種元器件的差異在哪里呢,？固態(tài)繼電器其實(shí)也是可控硅模塊為首要部件而制造的,，所不同的是，固態(tài)繼電器動(dòng)作電壓與操控電壓經(jīng)過內(nèi)部電路光藕進(jìn)行別離的,，能夠拆一個(gè)固態(tài)繼電器調(diào)查內(nèi)部,，對(duì)比下哦?？煽毓枘K能夠是單向的,，也能夠是雙向的，能夠過零觸發(fā)也能夠移相觸發(fā),，固態(tài)繼電器同樣是如此的,。所以，他們的應(yīng)用范圍,、方式都都有相同類型產(chǎn)品,，從這一點(diǎn)上（運(yùn)用的方式、性質(zhì)視點(diǎn)）沒有差異,，由于固態(tài)繼電器也是可控硅做的（三極管的固態(tài)繼電器在外）,。那么他們的差異究竟在那呢？總不會(huì)一個(gè)東西,，兩個(gè)姓名吧,？他們的差異就在于，可控硅便是可控硅,，固態(tài)繼電器則是可控硅模塊+同步觸發(fā)驅(qū)動(dòng),。這便是差異。我們正高專業(yè)加工可控硅模塊與固態(tài)繼電器已有16年的使用經(jīng)歷,，一直處于業(yè)界水平,贏得很多好評(píng)!假如您對(duì)我司的可控硅模塊與固態(tài)繼電器有愛好或疑問的話,，歡迎來電咨詢！淄博正高電氣在客戶和行業(yè)中樹立了良好的企業(yè)形象,。

晶閘管一旦觸發(fā)導(dǎo)通后,，門極就對(duì)它失去控制作用,，通常在門極上只要加上一個(gè)正向脈沖電壓即可，稱為觸發(fā)電壓,。門極在一定條件下可以觸發(fā)晶閘管導(dǎo)通,，但無法使其關(guān)斷。要使導(dǎo)通的晶閘管恢復(fù)阻斷,，可降低陽極電壓,，或增大負(fù)載電阻，使流過晶閘管的陽極電流減小至維持電流（IH）（當(dāng)門極斷開時(shí),，晶閘管從較大的通態(tài)電流降至剛好能保持晶閘管導(dǎo)通所需的小陽極電流叫維持電流）,，電流會(huì)突然降到零，之后再提高電壓或減小負(fù)載電阻,，電流不會(huì)再增大,，說明晶閘管已恢復(fù)阻斷。根據(jù)晶閘管陽極伏安特性,，可以總結(jié)出：1.門極斷開時(shí),。晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大，且隨著管子正向陽極電壓升高而增大,。當(dāng)陽極電壓升到足夠大時(shí),，會(huì)使晶閘管導(dǎo)通，稱為正向轉(zhuǎn)折或“硬開通”,。多次硬開通會(huì)損壞管子,。2．晶閘管加上正向陽極電壓后，還必須加上觸發(fā)電壓,，并產(chǎn)生足夠的觸發(fā)電流,，才能使晶閘管從阻斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通。觸發(fā)電流不夠時(shí),，管子不會(huì)導(dǎo)通,，但此時(shí)正向漏電流隨著增大而增大。晶閘管只能穩(wěn)定工作在關(guān)斷和導(dǎo)通兩個(gè)狀態(tài),，沒有中間狀態(tài),，具有雙穩(wěn)開關(guān)特性,。是一種理想的無觸點(diǎn)功率開關(guān)元件,。3．晶閘管一旦觸發(fā)導(dǎo)通，門極完全失去控制作用,。要關(guān)斷晶閘管,。淄博正高電氣公司可靠的質(zhì)量保證體系和經(jīng)營(yíng)管理體系，使產(chǎn)品質(zhì)量日趨穩(wěn)定,。陜西交流可控硅調(diào)壓模塊報(bào)價(jià)

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晶閘管陽極與陰極之間施加正弦半波反向電壓，當(dāng)其反向漏電電流急劇增加時(shí)反對(duì)應(yīng)的峰值電壓,。(五)晶閘管反向重復(fù)峰值電壓VRRM反向重復(fù)峰值電壓VRRM,，是指晶閘管在門極G斷路時(shí)，允許加在A,、K極間的大反向峰值電壓,。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。(六)晶閘管正向平均電壓降VF正向平均電壓降VF也稱通態(tài)平均電壓或通態(tài)壓降VT,，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下,，當(dāng)通過晶閘管的電流為額定電流時(shí)，其陽極A與陰極K之間電壓降的平均值,，通常為,。(七)晶閘管門極觸發(fā)電壓VGT門極觸發(fā)VGT，是指在規(guī)定的環(huán)境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值正向電壓的條件下,，使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的小門極直流電壓,，一般為。(八)晶閘管門極觸發(fā)電流IGT門極觸發(fā)電流IGT,，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值電壓的條件下,，使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的小門極直流電流。(九)晶閘管門極反向電壓門極反向電壓是指晶閘管門極上所加的額定電壓,，一般不超過10V,。(十)晶閘管維持電流IH維持電流IH是指維持晶閘管導(dǎo)通的小電流。當(dāng)正向電流小于IH時(shí),，導(dǎo)通的晶閘管會(huì)自動(dòng)關(guān)斷,。(十一)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電流IDR斷態(tài)重復(fù)峰值電流IDR。德州雙向可控硅調(diào)壓模塊品牌