可控硅觸發(fā)板可以理解為驅(qū)動晶閘管的移動型電力控制器,，它是以采用的高性能,、高可靠性的單片機為主要的部件。它輸出的觸發(fā)脈沖具有比較高的對稱性,，穩(wěn)定性也是比較好的而且也不會隨著溫度的變化而變化,，使用的時候不需要對脈沖對稱度及限位進行調(diào)整,。大家對可控硅觸發(fā)器有了解嗎？就讓正高的小編帶大家去了解下吧在現(xiàn)場調(diào)試一般是不需要波器的,，這樣的情況下接線比較簡單,，操作也是比較方便的，可以自帶限幅進行調(diào)電位器,，功能也是比較多樣化的,。一般可以分為：單相、三相的,、雙向的可控硅觸發(fā)板等,，輔助功能有：常用的開環(huán)觸發(fā)板比較多，有閉環(huán)的,，含恒流,，恒壓，限壓,，限流,，軟起動，限幅等,。觸發(fā)類型上分：光電隔離的觸發(fā)板,、變壓器隔離的觸發(fā)板、以及脈沖、模擬的等等,。它可以調(diào)節(jié)電壓電流應用于各個領(lǐng)域的行業(yè)中,，它可以適用于電阻性的負載、以及變壓器的次側(cè)以及整流的裝置,?？煽毓栌|發(fā)器是以硅鉬棒、硅碳棒以及遠紅外發(fā)熱元件為加熱的元件進行溫度的控制可以在鹽浴爐,、淬火爐,、熔融玻璃的溫度進行加熱的控制?？煽毓栌|發(fā)板可以用于平衡電器的主電路的控制,，并獲得了較好的控制效果主要應用領(lǐng)域：鹽浴爐、工頻感應爐,、淬火爐溫控,；熱處理爐溫控；玻璃生產(chǎn)過程溫控,。淄博正高電氣具有一支經(jīng)驗豐富,、技術(shù)力量過硬的專業(yè)技術(shù)人才管理團隊。四川大功率可控硅調(diào)壓模塊

    1.用指針式萬用表電阻檔測量可控硅陽極和陰極之間是否短路,，一般情況下雙向可控硅陽極和陰極之間的電阻在數(shù)十千歐以上,，如用萬用表測量時已短路或電阻已小于10千歐以下，可判斷可控硅已擊穿損壞,。2.用萬用表分別測量雙向可控硅觸發(fā)極與陰極之間的電阻值,，一般再幾歐至百十歐以內(nèi)的正常，觸發(fā)極與陽極之間的電阻值,，一般再十千歐以上為正常,。晶閘管(可控硅)要導通，必須滿足以下條件：雙向晶閘管導通條件：一是晶閘管(可控硅)陽極與陰極間必須加正向電壓,，二是控制極也要加正向電壓,。以上兩個條件必須同時具備，晶閘管(可控硅)才會處于導通狀態(tài),。另外,，晶閘管(可控硅)一旦導通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓,，晶閘管(可控硅)仍然導通,。雙向晶閘管(可控硅)關(guān)斷條件：降低或去掉加在晶閘管(可控硅)陽極至陰極之間的正向電壓，使陽極電流小于小維持電流以下,。萊蕪單相可控硅調(diào)壓模塊功能淄博正高電氣產(chǎn)品適用范圍廣,，產(chǎn)品規(guī)格齊全,，歡迎咨詢。

    晶閘管模塊串聯(lián)和并聯(lián)的區(qū)別有哪些,？晶閘管模塊的存在起到很重要的作用,，在一些特殊情況時，就需要將晶閘管模塊進行串聯(lián)或者并聯(lián),，從而達到要求,，接下來正高電氣來說說晶閘管模塊串聯(lián)和并聯(lián)的區(qū)別有哪些？當晶閘管模塊額定電壓小于要求時,，可以串聯(lián),。采用晶閘管模塊串聯(lián)希望器件分壓相等，但因特性差異,，使器件電壓分配不均勻,。當晶閘管模塊靜態(tài)不均壓，串聯(lián)的晶閘管模塊流過的漏電流相同,，但因靜態(tài)伏安特性的分散性，各器件分壓不等,。這是應選用參數(shù)和特性盡量一致的晶閘管模塊,，采用電阻均壓，Rp的阻值應比器件阻斷時的正,、反向電阻小得多,。當晶閘管模塊動態(tài)不均壓，由于器件動態(tài)參數(shù)和特性的差異造成的不均壓,，這時我們要選擇動態(tài)參數(shù)和特性盡量一致的晶閘管模塊,，用RC并聯(lián)支路作動態(tài)均壓，采用門極強脈沖觸發(fā)可以明顯減小器件開通時間的差異,。和晶閘管模塊串聯(lián)不同的是,，晶閘管模塊并聯(lián)會使多個器件并聯(lián)來承擔較大的電流，會分別因靜態(tài)和動態(tài)特性參數(shù)的差異而電流分配不均勻,，這時我們要挑選特性參數(shù)盡量一致的器件,，采用均流電抗器，用門極強脈沖觸發(fā)也有助于動態(tài)均流,。需要注意的是當晶閘管模塊需要同時串聯(lián)和并聯(lián)時,，通常采用先串后并的方法聯(lián)接。

    晶閘管陽極與陰極之間施加正弦半波反向電壓,，當其反向漏電電流急劇增加時反對應的峰值電壓,。(五)晶閘管反向重復峰值電壓VRRM反向重復峰值電壓VRRM，是指晶閘管在門極G斷路時,，允許加在A,、K極間的大反向峰值電壓,。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。(六)晶閘管正向平均電壓降VF正向平均電壓降VF也稱通態(tài)平均電壓或通態(tài)壓降VT,，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標準散熱條件下,，當通過晶閘管的電流為額定電流時，其陽極A與陰極K之間電壓降的平均值,，通常為,。(七)晶閘管門極觸發(fā)電壓VGT門極觸發(fā)VGT，是指在規(guī)定的環(huán)境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值正向電壓的條件下,，使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷顟B(tài)所需要的小門極直流電壓,，一般為。(八)晶閘管門極觸發(fā)電流IGT門極觸發(fā)電流IGT,，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值電壓的條件下,，使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷顟B(tài)所需要的小門極直流電流。(九)晶閘管門極反向電壓門極反向電壓是指晶閘管門極上所加的額定電壓,，一般不超過10V,。(十)晶閘管維持電流IH維持電流IH是指維持晶閘管導通的小電流。當正向電流小于IH時,，導通的晶閘管會自動關(guān)斷,。(十一)晶閘管斷態(tài)重復峰值電流IDR斷態(tài)重復峰值電流IDR。淄博正高電氣具備雄厚的實力和豐富的實踐經(jīng)驗,。

    安裝注意事項：1,、考慮到電網(wǎng)電壓的波動和負載在起動時一般都比其額定電流大幾倍，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,，建議您在選取模塊電流規(guī)格時應留出適當裕量,。2、模塊管芯工作結(jié)溫：可控硅為-40℃∽125℃,；環(huán)境溫度不得高于40℃,；環(huán)境濕度小于86%。3,、使用環(huán)境應無劇烈振動和沖擊,，環(huán)境介質(zhì)中應無腐蝕金屬和破壞絕緣的雜質(zhì)和氣氛。4,、由于可控硅模塊是絕緣型（即模塊接線柱對銅底板之間的絕緣耐壓大于）,，因此可以把多個模塊安裝在同一散熱器上，需接地線,。5,、散熱器安裝表面應平整、光滑,，不能有劃痕,、磕碰和雜物,。散熱器表面光潔度應小于10μm。模塊安裝到散熱器上時,，在它們的接觸面之間應涂一層很薄的導熱硅脂,。涂脂前，用細砂紙把散熱器接觸面的氧化層去掉,，然后用無水乙醇把表面擦干凈,，使接觸良好，以減少熱阻,。模塊緊固到散熱器表面時,，采用M5或M6螺釘和彈簧墊圈，并以4NM力矩緊固螺釘與模塊主電極的連線應采用銅排,，并有光滑平整的接觸面,，使接觸良好。模塊工作３小時后,，各個螺釘須再次緊固一遍,。淄博正高電氣過硬的產(chǎn)品質(zhì)量、質(zhì)量的售后服務,、認真嚴格的企業(yè)管理,，贏得客戶的信譽。萊蕪單相可控硅調(diào)壓模塊功能

“質(zhì)量優(yōu)先,，用戶至上，以質(zhì)量求發(fā)展,，與用戶共創(chuàng)雙贏”是淄博正高電氣新的經(jīng)營觀,。四川大功率可控硅調(diào)壓模塊

    當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號,，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1,，經(jīng)放大，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1,。因為BG1集電極與BG2基極相連,，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大,。如此循環(huán)放大,，直到BG1、BG2完全導通,。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程,，對可控硅來說，觸發(fā)信號加入控制極,，可控硅立即導通,。導通的時間主要決定于可控硅的性能,。■可控硅一經(jīng)觸發(fā)導通后,，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過BG1,、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠大于Ib1,，足以保持BG1的持續(xù)導通。此時觸發(fā)信號即使消失,，可控硅仍保持導通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea,，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導通的最小值時,，可控硅方可關(guān)斷,。當然,，如果Ea極性反接,，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止狀態(tài),。這時,，即使輸入觸發(fā)信號,，可控硅也不能工作。反過來,，Ea接成正向,，而觸動發(fā)信號是負的，可控硅也不能導通,。另外,，如果不加觸發(fā)信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時,，可控硅也會導通,。四川大功率可控硅調(diào)壓模塊