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深圳變壓器線(xiàn)圈廠(chǎng)家

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-12-05

如果太厚只會(huì)增加無(wú)線(xiàn)充電線(xiàn)圈的整體厚度,,如果太薄,則電阻過(guò)高,,因此該范圍內(nèi)的效果**佳,。通過(guò)在內(nèi)焊盤(pán)連接線(xiàn)圈中心部位,與線(xiàn)圈外焊盤(pán)形成+/-兩極,,對(duì)電池模塊提供電壓/電流,;對(duì)于外焊盤(pán)是否引出導(dǎo)線(xiàn)與被充電池模塊設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)和位置有關(guān),若與電池距離較遠(yuǎn)外焊盤(pán)需要導(dǎo)線(xiàn)連接,,當(dāng)然也可以直接通過(guò)彈簧片壓合接觸電池模塊,,因此外焊盤(pán)的導(dǎo)線(xiàn)可設(shè)可不設(shè),。對(duì)于上述步驟s04和步驟s05的順序可以倒過(guò)來(lái),即先進(jìn)行步驟s05再進(jìn)行步驟s04,,這樣的方法也能制成本發(fā)明實(shí)施例的無(wú)線(xiàn)充電線(xiàn)圈,,也在本實(shí)施例的保護(hù)范圍內(nèi),另一方面,,本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種無(wú)線(xiàn)充電線(xiàn)圈,,該無(wú)線(xiàn)充電線(xiàn)圈的結(jié)構(gòu)如圖1(e)所示,所述無(wú)線(xiàn)充電線(xiàn)圈包括銅線(xiàn)圈層1和分別設(shè)置在所述銅線(xiàn)圈層1兩表面的***絕緣層3和第二絕緣層4,;所述銅線(xiàn)圈層1設(shè)有內(nèi)焊盤(pán)11和外焊盤(pán)12,,所述外焊盤(pán)12外露,且所述內(nèi)焊盤(pán)11上焊接有導(dǎo)電銅膠帶5,。本發(fā)明實(shí)施例提供的無(wú)線(xiàn)充電線(xiàn)圈包括銅線(xiàn)圈層1和分別設(shè)置在所述銅線(xiàn)圈層1兩表面的***絕緣層3和第二絕緣層4,,這樣的無(wú)線(xiàn)充電線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,只需一層線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)就可以達(dá)到實(shí)際需求的內(nèi)阻值,,從而達(dá)到提高充電效率的效果,,可以放入手機(jī)等小型移動(dòng)裝置內(nèi),具有廣泛的應(yīng)用價(jià)值,。耐高溫線(xiàn)圈的制造需要經(jīng)過(guò)特殊工藝處理,,以增強(qiáng)其耐高溫性能和絕緣性能。深圳變壓器線(xiàn)圈廠(chǎng)家

    光刻系統(tǒng)200包括照射系統(tǒng)230,。照射系統(tǒng)230包括光源205,,光源205產(chǎn)生脈沖光束210,并將脈沖光束210引導(dǎo)至對(duì)晶片220上的微電子特征進(jìn)行圖案化的光刻曝光設(shè)備或掃描儀215,。晶片220放置在晶片臺(tái)222上,,晶片臺(tái)222構(gòu)造成保持晶片220并連接到定位器,該定位器配置成根據(jù)某些參數(shù)準(zhǔn)確地定位晶片220,。光束210也被引導(dǎo)通過(guò)束準(zhǔn)備系統(tǒng)212,,束準(zhǔn)備系統(tǒng)212能夠包括修改光束210的多個(gè)方面的光學(xué)元件。例如,,束準(zhǔn)備系統(tǒng)212能夠包括反射或折射光學(xué)元件,、光脈沖展寬器和光學(xué)光闌(包括自動(dòng)遮蔽件)。光譜特征選擇系統(tǒng)250基于控制系統(tǒng)185的輸入來(lái)微調(diào)光源205的光譜輸出,。光刻系統(tǒng)200使用具有例如在深紫外線(xiàn)(duv)范圍或極紫外線(xiàn)(euv)范圍內(nèi)的波長(zhǎng)的光束210,。光刻系統(tǒng)100還包括測(cè)量(或量測(cè))系統(tǒng)270和控制系統(tǒng)185。量測(cè)系統(tǒng)270測(cè)量光束的一個(gè)或更多個(gè)光譜特征(諸如帶寬和/或波長(zhǎng)),。量測(cè)系統(tǒng)270推薦地包括多個(gè)傳感器,。量測(cè)系統(tǒng)270接收被從束分離裝置260改變方向的光束210的一部分,所述束分離裝置260放置在光源205和掃描儀215之間的路徑中,。束分離裝置260將光束210的***部分引導(dǎo)至量測(cè)系統(tǒng)270中,,將光束210的第二部分朝向掃描儀215引導(dǎo)。在一些實(shí)施方式中,?;葜萘⒗@線(xiàn)圈報(bào)價(jià)立繞線(xiàn)圈的匝數(shù)和線(xiàn)徑可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需要進(jìn)行調(diào)整,以實(shí)現(xiàn)不同的電感和電阻等性能參數(shù),。

    5v的電壓罷了】然后用從煙盒里面取下來(lái)的錫紙包裹著這種插頭的充電器不要使用這種是美國(guó)資本主義的充電器與國(guó)內(nèi)的插座不兼容,,用多了你懂的用錫紙包裹著兩邊都是白線(xiàn)是連電腦的所以不管綠色的接地線(xiàn)必須刪掉像這樣發(fā)射端多一些銅線(xiàn)接收端少一點(diǎn)ps錫紙包好不要讓銅線(xiàn)和電線(xiàn)直接接觸。讓其形成一個(gè)電容記住銅離子有毒記得洗手用工業(yè)膠帶纏好,,記住銅線(xiàn)不要直接接觸否則后果自負(fù)大功告成,。***用固體膠或者熱熔膠把磁鐵綁在充電器上即可,一個(gè)無(wú)線(xiàn)充電器做好了總結(jié)幾點(diǎn)失敗原因1.銅線(xiàn)纏繞必須一氣呵成2.充電線(xiàn)選擇錯(cuò)誤這個(gè)有電信號(hào)輻射危險(xiǎn)長(zhǎng)期使用會(huì)導(dǎo)致**,。測(cè)試是否成功可以拿熒光燈放在旁邊看看是否亮起來(lái)了,。膠帶不宜過(guò)多。這個(gè)東西充電效率低2小時(shí)只充百分之5,。

    具體實(shí)施方式為了使本發(fā)明的目的,、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合實(shí)施例,,對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明,。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例**用以解釋本發(fā)明,,并不用于限定本發(fā)明,。本發(fā)明提供的一種充電線(xiàn)圈加工方法包括步驟:采用激光沿著螺旋切割線(xiàn)將銅箔切割成螺旋狀銅線(xiàn);其中,,切割過(guò)程中,,所述激光以螺旋線(xiàn)行進(jìn)軌跡沿著所述螺旋切割線(xiàn)運(yùn)動(dòng)。為了便于理解本發(fā)明的技術(shù)方案,,需要對(duì)螺旋切割線(xiàn)和激光的螺旋線(xiàn)行進(jìn)軌跡分別進(jìn)行解釋說(shuō)明,。圖1為加工完成的充電線(xiàn)圈示意圖,圖2為局部放大示意圖,,相鄰銅線(xiàn)1之間的間隙為螺旋切割線(xiàn)2,。圖3為激光的一種螺旋線(xiàn)行進(jìn)軌跡,圖中的行進(jìn)軌跡為螺旋圓,,較佳地,,所述螺旋圓的直徑大于等于(d+)mm,其中,,d為所述螺旋切割線(xiàn)的線(xiàn)寬,。還可以采用螺旋橢圓或其他的平滑的螺旋線(xiàn)代替,激光加工前,,可以根據(jù)需要在激光加工設(shè)備上對(duì)螺旋線(xiàn)的形狀進(jìn)行編程設(shè)定,,本發(fā)明不作限定,。本發(fā)明中激光按照螺旋線(xiàn)行進(jìn)軌跡運(yùn)動(dòng),沿著螺旋切割線(xiàn)2對(duì)銅箔進(jìn)行切割,,如圖4所示,,得到充電線(xiàn)圈。采用螺旋線(xiàn)行進(jìn)軌跡替代傳統(tǒng)的線(xiàn)條軌跡進(jìn)行激光切割加工,,可以保證加工過(guò)程中線(xiàn)圈不同位置的反射性相同,,切割出的銅線(xiàn)毛刺相對(duì)較少,線(xiàn)圈縫寬,。立繞線(xiàn)圈是一種電感元件,,由繞制在磁芯上的導(dǎo)線(xiàn)組成。

然后在銅線(xiàn)圈層兩面分別制備***絕緣層和第二絕緣層,,**后在銅線(xiàn)圈層的內(nèi)焊盤(pán)上焊接導(dǎo)電銅膠帶即引出導(dǎo)線(xiàn),,從而可得到無(wú)線(xiàn)充電線(xiàn)圈。該制備方法**終得到的無(wú)線(xiàn)充電線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,,只需一層線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)就可以達(dá)到實(shí)際需求的內(nèi)阻值,,從而達(dá)到提高充電效率的效果。利用本發(fā)明實(shí)施例的制備方法**終得到的無(wú)線(xiàn)充電線(xiàn)圈總厚度約120μm,,且內(nèi)阻在250mω(mohm)以下,,對(duì)應(yīng)的充電效率>75%。該制備方法得到的無(wú)線(xiàn)充電線(xiàn)圈在尺寸更小(厚度和線(xiàn)間距)的情況下,,能達(dá)到相同的電阻值,,而且生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單,成本低,,周期短,,無(wú)排放污染,廢料雜質(zhì)少,,可回收,。如圖1所示,為本實(shí)施例的無(wú)線(xiàn)充電線(xiàn)圈的制備方法的步驟中各層的變化流程示意圖,,下面對(duì)各步驟進(jìn)行詳細(xì)介紹,。在步驟s01中,提供的銅箔01如圖1(a)所示,,銅箔的電阻率一般在μω·cm,,是目前電阻率**低的廉價(jià)金屬材料,經(jīng)過(guò)我們實(shí)驗(yàn)測(cè)試電鍍銅的電阻率達(dá)到μω·cm,,要達(dá)到相同的電阻,,需要電鍍銅比銅箔厚10%~30%,為使本發(fā)明實(shí)施例的無(wú)線(xiàn)充電線(xiàn)圈厚度更低,推薦銅箔?,F(xiàn)有的fpc工藝由于蝕刻工藝限制,,需要制作雙層線(xiàn)圈,由于雙層線(xiàn)圈之間需要轉(zhuǎn)孔鍍銅連接,,所以fpc有一層鍍銅,,這樣增加了fpc工藝的無(wú)線(xiàn)充電線(xiàn)圈的厚度,。無(wú)線(xiàn)充線(xiàn)圈是一種用于無(wú)線(xiàn)充電技術(shù)的關(guān)鍵組件,,它可以將電能轉(zhuǎn)化為磁場(chǎng),通過(guò)空氣傳輸能量,。廣東線(xiàn)圈電話(huà)

在制作跑道型扁平線(xiàn)圈時(shí),,需要注意線(xiàn)圈的繞制方法和材料的質(zhì)量,以保證線(xiàn)圈的穩(wěn)定性和可靠性,。深圳變壓器線(xiàn)圈廠(chǎng)家

本發(fā)明屬于充電技術(shù)領(lǐng)域,,具體涉及一種無(wú)線(xiàn)充電線(xiàn)圈及其制備方法。背景技術(shù):目前,,無(wú)線(xiàn)充電線(xiàn)圈多采用漆包線(xiàn)纏繞或fpc(flexibleprintedcircuit,,柔性電路板)的方式制造。其中,,漆包線(xiàn)纏繞的無(wú)線(xiàn)充電線(xiàn)圈價(jià)格便宜,、工藝簡(jiǎn)單,但是由于其材料結(jié)構(gòu)和工藝方式的限制,,難以制作厚度小于150微米以下的超薄線(xiàn)圈,,這樣無(wú)法放入手機(jī)等小型移動(dòng)裝置內(nèi),多是用于充電基座等空間限制較小的發(fā)射端,;為了達(dá)到實(shí)際需要的合適阻值(一般要求<250mω),,以保證充電效率,一般需要120微米以上的銅厚,,雖然fpc方式可以適合制造小型超薄線(xiàn)圈,,但是制作工藝過(guò)程復(fù)雜、成本高,,而且由于工藝條件的限制,,fpc蝕刻工藝難以制作厚度在100微米以上、線(xiàn)圈螺間距小于,,因此,,一般采用雙層線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)。由于超薄充電線(xiàn)圈要求內(nèi)阻低和厚度薄,,需進(jìn)一步優(yōu)化現(xiàn)有無(wú)線(xiàn)充電線(xiàn)圈的制作,。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的上述不足,提供一種無(wú)線(xiàn)充電線(xiàn)圈及其制備方法,旨在解決現(xiàn)有充電線(xiàn)圈要求的內(nèi)阻和厚度同時(shí)滿(mǎn)足實(shí)際需求的技術(shù)問(wèn)題,。為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的,,本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:本發(fā)明一方面提供一種無(wú)線(xiàn)充電線(xiàn)圈的制備方法,包括如下步驟:提供銅箔,;在所述銅箔的一表面制備襯底,。深圳變壓器線(xiàn)圈廠(chǎng)家