nGaAs是由兩種Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體材料組成的三元系半導(dǎo)體化合物,，它的帶隙隨組分比例的變化而變化?；诖瞬牧现苽涞腎R探測(cè)器,，其響應(yīng)截止波長可達(dá)到3μm以上，響應(yīng)范圍完全覆蓋NIR波段,，是該波段探測(cè)器團(tuán)體里**重要的成員,。在該體系下，其他化合物性能如下圖所示：與其它的常用IR探測(cè)器相比,，InGaAs探測(cè)器的興起較晚,，在上世紀(jì)80年代才開始走進(jìn)人類的視野。近年來,，得益于NIR成像的強(qiáng)勢(shì)崛起,，InGaAs的發(fā)展勢(shì)頭也十分迅猛,。在實(shí)際生產(chǎn)中，一般將InGaAs材料生長在磷化銦(InP)襯底上,，紅外熱像儀兩者的晶格失配度也會(huì)隨InGaAs組分的變化而變化,。考古學(xué)家使用紅外熱像儀探測(cè)地下遺跡,，無需挖掘即可獲取重要信息,。雙光路紅外熱像儀樣品

二、熱探測(cè)器的分類熱探測(cè)器一般分為測(cè)輻射熱計(jì),、熱電堆和熱釋電探測(cè)器三種類型,。(1)測(cè)輻射熱計(jì)這種探測(cè)器是由具有非常小熱容量和大電阻溫度系數(shù)的材料制成的，吸收IR后探測(cè)器的電阻會(huì)發(fā)生明顯的變化,，因此它們也被稱為熱敏電阻,。常見的IR熱輻射熱計(jì)有以下幾種類型：金屬測(cè)輻射熱計(jì)、半導(dǎo)體測(cè)輻射熱計(jì)和微型室溫硅測(cè)輻射熱計(jì)（簡(jiǎn)稱微測(cè)輻射熱計(jì)）,，此外還有用于THz探測(cè)的測(cè)輻射熱計(jì),。這些類型中，以微測(cè)輻射熱計(jì)的技術(shù)**成熟,、應(yīng)用*****,，它們?cè)诿裼檬袌?chǎng)深受消費(fèi)者的推崇，甚至在***市場(chǎng)也有一定的應(yīng)用空間,。氧化釩(Vox)與非晶Si是制作微測(cè)輻射熱計(jì)**常用的材料,。德國DIAS紅外熱像儀聯(lián)系方式***款手持式紅外熱像系統(tǒng)誕生起，科學(xué)家們就前赴后繼地致力于研發(fā)更加便攜,、好用的熱像儀器。

紅外熱像儀與普通相機(jī)有以下幾個(gè)主要區(qū)別：工作原理：普通相機(jī)通過捕捉可見光來形成圖像,，而紅外熱像儀則是通過檢測(cè)物體發(fā)出的紅外輻射來形成圖像,。紅外輻射是物體在熱量分布上的表現(xiàn)，與物體的溫度相關(guān),。感應(yīng)器：普通相機(jī)使用光敏感器（如CCD或CMOS）來捕捉可見光信號(hào),，而紅外熱像儀使用紅外感應(yīng)器（如微波探測(cè)器或熱電偶）來捕捉紅外輻射信號(hào)。圖像顯示：普通相機(jī)顯示的是可見光圖像,，而紅外熱像儀顯示的是熱圖像,，即物體的熱量分布圖。熱圖像通常以不同的顏色或灰度表示不同溫度區(qū)域,。應(yīng)用領(lǐng)域：普通相機(jī)主要用于捕捉可見光圖像,，適用于大多數(shù)日常攝影和視頻拍攝需求。而紅外熱像儀主要用于檢測(cè)物體的熱量分布,，適用于建筑,、工業(yè),、醫(yī)療、安防等領(lǐng)域的熱成像應(yīng)用,。價(jià)格和復(fù)雜性：由于紅外熱像儀的技術(shù)和應(yīng)用特性,，其價(jià)格通常比普通相機(jī)高。此外,，紅外熱像儀的操作和解讀熱圖像的技術(shù)要求也相對(duì)較高,，需要專業(yè)培訓(xùn)和經(jīng)驗(yàn)。

紅外熱像儀是一種利用紅外輻射進(jìn)行非接觸式溫度測(cè)量的設(shè)備,。其工作原理基于物體發(fā)出的紅外輻射能量與其表面溫度之間的密切關(guān)系,。紅外熱像儀通過接收物體發(fā)出的紅外輻射，經(jīng)過光電轉(zhuǎn)換,、信號(hào)處理等步驟,，將紅外輻射能量分布轉(zhuǎn)換為可視化的熱圖像。紅外熱像儀的種類繁多,，可以根據(jù)不同的應(yīng)用場(chǎng)景和需求進(jìn)行分類,。例如，有的紅外熱像儀適用于工業(yè)領(lǐng)域,，用于監(jiān)測(cè)設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)和溫度分布,；有的則適用于醫(yī)療領(lǐng)域，用于輔助醫(yī)生進(jìn)行疾病診斷,；還有的適用于安防領(lǐng)域,，用于夜間監(jiān)控和隱蔽目標(biāo)的探測(cè)。紅外熱像儀的測(cè)量精度如何,？

熱電堆又叫溫差電堆,，它利用熱電偶串聯(lián)實(shí)現(xiàn)探測(cè)功能，是較為古老的一種IR探測(cè)器,。以前,，熱電堆都是基于金屬材料制備的，具有響應(yīng)速度慢,、探測(cè)率低,、成本高等致命劣勢(shì)，不受業(yè)內(nèi)人士的待見,。隨著近代半導(dǎo)體技術(shù)的迅猛發(fā)展,，半導(dǎo)體材料也被應(yīng)用到了熱電堆的制作中。半導(dǎo)體材料普遍比金屬材料的塞貝克(Seebeck)系數(shù)高,，而且半導(dǎo)體的微加工技術(shù)保證了器件的微型化程度,，降低其熱容量，因此熱電堆的性能得到了**地優(yōu)化,?；パa(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝的引入,，讓紅外熱像儀熱電堆芯片電路技術(shù)實(shí)現(xiàn)了批量生產(chǎn)。使用紅外熱像儀,，可隨時(shí)檢測(cè)出遠(yuǎn)程監(jiān)控站中設(shè)備故障與安全隱患,，由此帶來的凈效應(yīng)即可靠性提升，成本下降,。中低溫紅外熱像儀售后服務(wù)

紅外熱像儀能通過觸發(fā)電子郵件信息通知遠(yuǎn)程辦,，公室內(nèi)的設(shè)備管理人員發(fā)生了異常現(xiàn)象,。雙光路紅外熱像儀樣品

通常情況下表面散熱的測(cè)定依據(jù)是GB/T26282—2021和GB/T26281—2021,，即測(cè)量表面溫度后查GB/T26282—2021中附錄D，對(duì)于轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)備如回轉(zhuǎn)窯筒體,，需查表D.1（不同溫差與不同風(fēng)速的散熱系數(shù)）,，得到系數(shù)后進(jìn)行計(jì)算；對(duì)于不轉(zhuǎn)動(dòng)的設(shè)備,，則查表D.2,，找到對(duì)應(yīng)系數(shù)后還需要用空氣沖擊角的校正系數(shù)加以校正。筆者在計(jì)算窯筒體表面溫度的過程中遇到一個(gè)難題：由于表D.1中所給的風(fēng)速范圍太窄,，沒有給出對(duì)應(yīng)環(huán)境風(fēng)速大于2m/s時(shí)的系數(shù),，而實(shí)際測(cè)量時(shí)會(huì)遇到一些風(fēng)速較大的情況，例如正在使用筒體冷卻風(fēng)機(jī)進(jìn)行吹風(fēng)冷卻的部位,，其風(fēng)速會(huì)大于10m/s,，此時(shí)就找不到對(duì)應(yīng)的系數(shù)。在這種情況下,，紅外熱像儀,，此圖來自Holderbank水泥集團(tuán)（Holcim水泥集團(tuán)的前身）。在圖1中可以查到一些風(fēng)速v較高時(shí)的系數(shù)值,。同時(shí)該圖在低風(fēng)速段所查系數(shù)與GB/T26282—2021附錄所列值基本一致,。根據(jù)相關(guān)技術(shù)人員的經(jīng)驗(yàn)，測(cè)試工作應(yīng)盡可能避免在風(fēng)速超過10m/s的環(huán)境中或者雨雪天氣進(jìn)行,。雙光路紅外熱像儀樣品