南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術研究院有限公司對外提供光電器件及電路技術開發(fā),。研究院擁有先進的光電器件及電路制備工藝,，能夠為客戶提供定制化的技術開發(fā)方案和工藝加工服務。公司致力于研發(fā)光電集成芯片,，以應對新體制微波光子雷達和光通信等領域的發(fā)展需求,。在此領域,，光芯片、器件與模塊將為通信網(wǎng)絡和物聯(lián)網(wǎng)等應用提供強有力的支撐,。無論是在技術研發(fā)上,，還是在工藝制備上，研究院都秉持著高標準和嚴謹精神,。通過不斷創(chuàng)新和努力奮斗,，研究院將不斷提升產(chǎn)品質(zhì)量和技術水平，以滿足客戶的需求,。芯谷高頻研究院的CVD用固態(tài)微波功率源產(chǎn)品可直接與各類射頻CVD設備直接集成,，應用于金剛石等材料的生長。江西金剛石芯片工藝技術服務

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術研究院有限公司對外提供異質(zhì)異構集成技術服務,，可進行以下先進集成材料制備和研發(fā)：1)單晶AlN,、LiNbO3壓電薄膜異質(zhì)晶圓，用于SAW,、BAW,、XBAR等高性能射頻濾波器；2)厚膜LiNbO3,、薄膜LiNbO3異質(zhì)晶圓,，用于低損耗光學平臺；3)AlGaAs-on-insulator,，絕緣體上AlGaAs晶圓,，用于光量子器件等新一代片上光源平臺；4)Miro-Cavity-SOI,，內(nèi)嵌微腔的絕緣體上Si晶圓,，用于環(huán)柵GAA，MEMS等器件平臺,；5)SionSiC/Diamond,，解決傳統(tǒng)Si襯底功率器件散熱低的瓶頸,；6)GaNonSiC,，解決自支撐GaN襯底高性能器件散熱低的瓶頸；7)支持特定襯底功能薄膜材料異質(zhì)晶圓定制研發(fā),。山東異質(zhì)異構集成芯片工藝技術服務芯谷高頻研究院提供薄膜型SBD集成電路開發(fā)服務,，適用于0.5THz以上、集成度要求高的太赫茲混頻,、倍頻應用,。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術研究院有限公司擁有先進的硅基氮化鎵產(chǎn)品開發(fā)技術。公司致力于提高半導體器件的性能,。在研發(fā)過程中,，公司深度探究硅基氮化鎵器件與芯片技術,，不斷創(chuàng)新，不斷提高研究水平,。目前,，公司已經(jīng)擁有一批有經(jīng)驗和實力的團隊，在硅基氮化鎵方面擁有多年的研究和實踐經(jīng)驗,。公司采用先進的工藝流程,，推行高效率的管理模式，不斷探索創(chuàng)新型的研發(fā)模式,，以提升企業(yè)的研究開發(fā)能力和效率,。在市場方面，公司積極總結經(jīng)驗,，探究市場需求,，根據(jù)客戶的具體需求進行定制化設計開發(fā)，為客戶提供質(zhì)量優(yōu)秀的硅基氮化鎵產(chǎn)品,。未來,，公司將繼續(xù)不斷創(chuàng)新和發(fā)展，秉承“科技改變生活,，創(chuàng)新鑄就未來”的理念,，不斷推動半導體技術的發(fā)展。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術研究院有限公司研發(fā)的高功率密度熱源產(chǎn)品具有獨特的優(yōu)勢,。該產(chǎn)品由熱源管芯和熱源集成外殼組成,，采用了先進的厚金技術。熱源管芯的背面可以與任意熱沉進行金錫等焊料集成,，同時滿足與外殼集成后,，在任意熱沉進行機械集成。這種靈活的設計使得熱源可以根據(jù)客戶的要求進行定制,，尺寸也可以根據(jù)需要進行調(diào)整,。這款高功率密度熱源產(chǎn)品適用于微系統(tǒng)或微電子領域的熱管、微流以及新型材料的散熱技術開發(fā),。此外,，它還可以用于對熱管理技術進行定量的表征和評估。根據(jù)客戶的需求,，公司能夠設計和開發(fā)各種熱源微結構及其功率密度,。這款高功率密度熱源產(chǎn)品不僅具有高功率密度的特點，還具有良好的可定制性和適應性,。它的出色性能使其在微系統(tǒng)或微電子領域中具有較廣的應用前景,。芯片在航空航天領域的應用，使得飛行器的性能和安全性得到了極大提升,。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術研究院有限公司對外提供定制化GaAs/InP SBD太赫茲集成電路芯片技術開發(fā)服務,，該芯片電路工作頻段達到1.5THz,；適用于工作頻率0.5THz以上、集成度要求高的太赫茲混頻,、倍頻應用,。本公司提供定制化薄膜型SBD集成電路設計與加工服務，GaAs薄膜型SBD集成電路是目前主流的技術解決方案,。研究院可根據(jù)客戶需求進行定制化開發(fā),，可應用于太赫茲混頻、倍頻,、檢波等技術方向,。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術研究院有限公司將不斷提高研發(fā)水平，為客戶提供更好的服務,。隨著芯片技術的不斷進步,，電子設備的性能也在不斷提升，為用戶帶來更好的使用體驗,。山西硅基氮化鎵器件及電路芯片開發(fā)

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術研究院有限公司提供異質(zhì)集成工藝服務,，如晶圓鍵合、襯底減薄,、表面平坦化等,。江西金剛石芯片工藝技術服務

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術研究院有限公司致力于為客戶提供專業(yè)的異質(zhì)集成工藝服務。在晶圓鍵合方面,，提供6英寸及以下的超高真空鍵合,、表面活化鍵合、聚合物鍵合,、熱壓鍵合,、共晶鍵合等多種類型的晶圓及非標準片鍵合服務，確保晶圓間的緊密結合,。在襯底減薄方面,，提供Si、SiC,、GaN,、GaAs、InP,、LiNbO3,、石英等多種材料的襯底減薄服務，以滿足不同應用場景的需求,。在表面平坦化方面，提供Si,、SiC,、GaN,、GaAs、InP,、LiNbO3,、石英等多種材料的表面亞納米級精細拋光服務，確保材料表面的平滑度和精度,。公司的多種異質(zhì)集成技術服務,，包括超高真空鍵合、襯底減薄和表面平坦化等,，均基于先進的技術和設備,，旨在滿足客戶的各種不同需求。公司憑借豐富的經(jīng)驗和技術實力,，為客戶提供定制化的解決方案,，助力客戶在異質(zhì)集成工藝領域取得突出成果。江西金剛石芯片工藝技術服務