場效應管電極：所有的FET都有柵極（gate）,、漏極（drain）、源極（source）三個端,，分別大致對應BJT的基極（base）,、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。除JFET以外,，所有的FET也有第四端,，被稱為體（body）、基（base）,、塊體（bulk）或襯底（substrate）,。這個第四端可以將晶體管調(diào)制至運行；在電路設計中,，很少讓體端發(fā)揮大的作用,，但是當物理設計一個集成電路的時候，它的存在就是重要的,。在圖中柵極的長度（length）L,，是指源和漏的距離。寬度（width）是指晶體管的范圍,，在圖中和橫截面垂直,。通常情況下寬度比長度大得多。長度1微米的柵極限制較高頻率約為5GHz,，0.2微米則是約30GHz,。場效應管可以用作可變電阻。N溝道場效應管廠家直銷

場效應管估測放大能力:將萬用表撥到R×100檔,，紅表筆接源極S,，黑表筆接漏極D，相當于給場效應管加上1.5V的電源電壓,。這時表針指示出的是D-S極間電阻值,。然后用手指捏柵極G，將人體的感應電壓作為輸入信號加到柵極上,。由于管子的放大作用,，UDS和ID都將發(fā)生變化，也相當于D-S極間電阻發(fā)生變化,，可觀察到表針有較大幅度的擺動,。如果手捏柵極時表針擺動很小,，說明管子的放大能力較弱；若表針不動,，說明管子已經(jīng)損壞。由于人體感應的50Hz交流電壓較高,，而不同的場效應管用電阻檔測量時的工作點可能不同,，因此用手捏柵極時表針可能向右擺動，也可能向左擺動,。少數(shù)的管子RDS減小,，使表針向右擺動，多數(shù)管子的RDS增大,，表針向左擺動,。無論表針的擺動方向如何，只要能有明顯地擺動,，就說明管子具有放大能力,。中山耗盡型場效應管命名場效應管的失真多為偶次諧波失真，聽感好,。

場效應管無標示管的判別:首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳,，也就是源極S和漏極D，余下兩個腳為點柵極G1和柵極G2,。把先用兩表筆測的源極S與漏極D之間的電阻值記下來,，對調(diào)表筆再測量一次，把其測得電阻值記下來,，兩次測得阻值較大的一次,，黑表筆所接的電極為漏極D；紅表筆所接的為源極S,。用這種方法判別出來的S,、D極，還可以用估測其管的放大能力的方法進行驗證,，即放大能力大的黑表筆所接的是D極,；紅表筆所接地是S極，兩種方法檢測結果均應一樣,。當確定了漏極D,、源極S的位置后，按D,、S的對應位置裝人電路,，一般G1、G2也會依次對準位置,，這就確定了兩個柵極G1,、G2的位置,，從而就確定了D、S,、G1,、G2管腳的順序。

場效應管電阻法測電極:根據(jù)場效應管的PN結正,、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,，可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上,，任選兩個電極,，分別測出其正、反向電阻值,。當某兩個電極的正,、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時,，則該兩個電極分別是漏極D和源極S,。因為對結型場效應管而言，漏極和源極可互換,，剩下的電極肯定是柵極G,。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個電極,，測其電阻值,。當出現(xiàn)兩次測得的電阻值近似相等時，則黑表筆所接觸的電極為柵極,，其余兩電極分別為漏極和源極,。若兩次測出的電阻值均很大，說明是PN結的反向,，即都是反向電阻,，可以判定是P溝道場效應管，且黑表筆接的是柵極,；若兩次測出的電阻值均很小,，說明是正向PN結，即是正向電阻,，判定為N溝道場效應管,，黑表筆接的也是柵極。若不出現(xiàn)上述情況,，可以調(diào)換黑,、紅表筆按上述方法進行測試，直到判別出柵極為止,。場效應管可以用作電子開關,。

場效應管轉(zhuǎn)移特性曲線：柵極電壓對漏極電流的控制稱為轉(zhuǎn)移特性,，反映兩者關系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。N溝結型場效應管的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖,。當柵極電壓取出不同的電壓時,，漏極電流隨之變化。當柵極電壓=0時,，ID值為場效應管飽和漏極電流IDSS,；當漏極電流=0時，柵極電壓的值為結型場效應管夾斷UQ,。輸出特性曲線：當 Ugs確定時，反映 ID與 Uds的關系曲線是輸出特征曲線,，又稱漏極特性曲線,。按圖示可劃分為三個區(qū)域：飽和區(qū)、擊穿區(qū)和非飽和區(qū),。當起放大作用時,，應該在飽和區(qū)內(nèi)工作。請注意,，這里的“飽和區(qū)”對應普通三極管的“放放區(qū)”,。場效應晶體管的一個優(yōu)點是它的柵極到主電流電阻高（≥100 MΩ）。臺州J型場效應管現(xiàn)貨

場效應管由于它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲,，所以噪聲低,。N溝道場效應管廠家直銷

場效應管介紹：場效應晶體管（縮寫FET）簡稱場效應管。由多數(shù)載流子參與導電,，也稱為單極型晶體管,。屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10^8~10^9Ω）,、噪聲小,、功耗低、動態(tài)范圍大,、易于集成,、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點,。場效應管是電壓控制器件,，它通過VGS（柵源電壓）來控制ID（漏極電流）；場效應管的輸入端電流極小,，因此它的輸入電阻很大,。它是利用多數(shù)載流子導電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好,；它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù),；由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲,，所以噪聲相對會比較低。N溝道場效應管廠家直銷

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