場(chǎng)效應(yīng)管電阻法測(cè)電極:根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,，可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個(gè)電極,，分別測(cè)出其正,、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正,、反向電阻值相等,，且為幾千歐姆時(shí)，則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S,。因?yàn)閷?duì)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管而言,，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G,。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個(gè)電極,，另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)電極,，測(cè)其電阻值,。當(dāng)出現(xiàn)兩次測(cè)得的電阻值近似相等時(shí)，則黑表筆所接觸的電極為柵極,，其余兩電極分別為漏極和源極,。若兩次測(cè)出的電阻值均很大，說明是PN結(jié)的反向,，即都是反向電阻,，可以判定是P溝道場(chǎng)效應(yīng)管，且黑表筆接的是柵極,；若兩次測(cè)出的電阻值均很小,，說明是正向PN結(jié)，即是正向電阻,，判定為N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,，黑表筆接的也是柵極。若不出現(xiàn)上述情況,，可以調(diào)換黑,、紅表筆按上述方法進(jìn)行測(cè)試，直到判別出柵極為止,。場(chǎng)效應(yīng)晶體管也可由溝道和柵極之間的絕緣方法來區(qū)分,。寧波場(chǎng)效應(yīng)管接線圖

場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較：（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件,。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下,，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低,，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,，應(yīng)選用晶體管。（2）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件,，而晶體管是即有多數(shù)載流子,，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件,。（3）有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好,。（4）場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用,。寧波場(chǎng)效應(yīng)管接線圖場(chǎng)效應(yīng)晶體管的溝道是摻雜n型半導(dǎo)體或p型半導(dǎo)體的結(jié)果,。

MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor）,，屬于絕緣柵型。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,，因此具有很高的輸入電阻（較高可達(dá)1015Ω）,。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起,。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同,，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型,。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài),，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極,，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子,，形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指,，當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道,，加上正確的VGS時(shí)，能使多數(shù)載流子流出溝道,，因而“耗盡”了載流子,，使管子轉(zhuǎn)向截止。

用測(cè)電阻法判別無標(biāo)志的場(chǎng)效應(yīng)管：首先用測(cè)量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳,，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ,，余下兩個(gè)腳為點(diǎn)柵極G1和柵極G2。把先用兩表筆測(cè)的源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻值記下來,，對(duì)調(diào)表筆再測(cè)量一次,，把其測(cè)得電阻值記下來，兩次測(cè)得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極Ｄ,；紅表筆所接的為源極Ｓ,。用這種方法判別出來的Ｓ、Ｄ極,，還可以用估測(cè)其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證,，即放大能力大的黑表筆所接的是Ｄ極；紅表筆所接地是８極,，兩種方法檢測(cè)結(jié)果均應(yīng)一樣,。當(dāng)確定了漏極Ｄ、源極Ｓ的位置后,，按Ｄ,、Ｓ的對(duì)應(yīng)位置裝人電路，一般G1,、G2也會(huì)依次對(duì)準(zhǔn)位置,，這就確定了兩個(gè)柵極G1、G2的位置,，從而就確定了Ｄ,、S、G1,、G2管腳的順序,。場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種三極管，包括源極,、柵極和漏極,。

場(chǎng)效應(yīng)管傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、源極和漏極較大致處于同一水平面的芯片上,，其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng),。VMOS管則不同，其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):點(diǎn),，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu),；具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的背面引出,，所以ID不是沿芯片水平流動(dòng),，而是自重?fù)诫sN+區(qū)（源極S）出發(fā)，經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū),，垂直向下到達(dá)漏極D,。因?yàn)榱魍ń孛娣e增大，所以能通過大電流,。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層,，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場(chǎng)效應(yīng)管,。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極在允許條件下，比較好接入保護(hù)二極管,。廣州J型場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對(duì)稱的,，可以互換使用。寧波場(chǎng)效應(yīng)管接線圖

場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET分類MOSFET分為兩大類：N溝道和P溝道,。在功率系統(tǒng)中,，MOSFET起到的作用相當(dāng)于一個(gè)開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí),，其開關(guān)導(dǎo)通,。導(dǎo)通時(shí),，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻,，稱為導(dǎo)通電阻RDS（ON）,。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端,，因此,，總 是要在柵極加上一個(gè)電壓,。如果柵極為懸空，器件將不能按設(shè)計(jì)意圖工作,，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r(shí)刻導(dǎo)通或關(guān)閉,，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時(shí),，開關(guān)關(guān)閉,，而電流停止通過器件。雖然這時(shí)器件已經(jīng)關(guān)閉,，但仍然有微小電流存在,，這稱之為漏電流，即IDSS,。寧波場(chǎng)效應(yīng)管接線圖

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