用測(cè)電阻法判別場(chǎng)效應(yīng)管的好壞：測(cè)電阻法是用萬(wàn)用表測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的源極與漏極,、柵極與源極,、柵極與漏極,、柵極Ｇ1與柵極Ｇ2之間的電阻值同場(chǎng)效應(yīng)管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬(wàn)用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100檔,，測(cè)量源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻,，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊(cè)中可知，各種不同型號(hào)的管,，其電阻值是各不相同的）,，如果測(cè)得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良,；如果測(cè)得阻值是無(wú)窮大,，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬(wàn)用表置于Ｒ×１０ｋ檔,，再測(cè)柵極Ｇ1與Ｇ2之間,、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值,，當(dāng)測(cè)得其各項(xiàng)電阻值均為無(wú)窮大,，則說(shuō)明管是正常的；若測(cè)得上述各阻值太小或?yàn)橥?，則說(shuō)明管是壞的,。要注意，若兩個(gè)柵極在管內(nèi)斷極,，可用元件代換法進(jìn)行檢測(cè),。場(chǎng)效應(yīng)晶體管也可由溝道和柵極之間的絕緣方法來(lái)區(qū)分。珠海手動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)

場(chǎng)效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性曲線：柵極電壓對(duì)漏極電流的控制稱為轉(zhuǎn)移特性,，反映兩者關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線,。N溝結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖。當(dāng)柵極電壓取出不同的電壓時(shí),，漏極電流隨之變化,。當(dāng)柵極電壓=0時(shí)，ID值為場(chǎng)效應(yīng)管飽和漏極電流IDSS,；當(dāng)漏極電流=0時(shí),，柵極電壓的值為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管夾斷UQ。輸出特性曲線：當(dāng) Ugs確定時(shí),，反映 ID與 Uds的關(guān)系曲線是輸出特征曲線,，又稱漏極特性曲線。按圖示可劃分為三個(gè)區(qū)域：飽和區(qū),、擊穿區(qū)和非飽和區(qū),。當(dāng)起放大作用時(shí)，應(yīng)該在飽和區(qū)內(nèi)工作。請(qǐng)注意,，這里的“飽和區(qū)”對(duì)應(yīng)普通三極管的“放放區(qū)”,。上海手動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管具有噪聲小、功耗低,、動(dòng)態(tài)范圍大,、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象,。

場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試判定估測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力:　將萬(wàn)用表?yè)艿絉×100檔,，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D,，相當(dāng)于給場(chǎng)效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓,。這時(shí)表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G,，將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號(hào)加到柵極上,。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發(fā)生變化,，也相當(dāng)于D-S極間電阻發(fā)生變化,，可觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極時(shí)表針擺動(dòng)很小,，說(shuō)明管子的放大能力較弱,；若表針不動(dòng)，說(shuō)明管子已經(jīng)損壞,。

場(chǎng)效應(yīng)管以N溝道為例,，它是在P型硅襯底上制成兩個(gè)高摻雜濃度的源擴(kuò)散區(qū)N+和漏擴(kuò)散區(qū)N+，再分別引出源極S和漏極D,。源極與襯底在內(nèi)部連通,，二者總保持等電位。當(dāng)漏接電源正極,，源極接電源負(fù)極并使VGS=0時(shí),，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高,，受柵極正電壓的吸引,，在兩個(gè)擴(kuò)散區(qū)之間就感應(yīng)出帶負(fù)電的少數(shù)載流子，形成從漏極到源極的N型溝道,，當(dāng)VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時(shí),，N溝道管開始導(dǎo)通,，形成漏極電流ID,。漏極(D)，載流子通過(guò)漏極離開溝道,。通常,，在漏極處進(jìn)入通道的電流由ID表示,。

場(chǎng)效應(yīng)管的類型：DEPFET 是在完全耗盡的襯底中形成的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，同時(shí)充當(dāng)傳感器,、放大器和存儲(chǔ)器節(jié)點(diǎn),。它可以用作圖像(光子)傳感器。FREDFET (快速反向或快速恢復(fù)外延二極管場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種用于提供非?？焖俚闹貑ⅲP(guān)閉）體二極管的特殊的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,，HIGFET (異質(zhì)結(jié)構(gòu)絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管)現(xiàn)在主要用于研究MODFET(調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是使用通過(guò)在有源區(qū)分級(jí)摻雜形成的量子阱結(jié)構(gòu)的高電子遷移率晶體管。TFET ( 隧道場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是以帶對(duì)帶隧道基的晶體管IGBT(IGBT高頻爐)是一種功率控制裝置,。它與類雙極的主導(dǎo)電溝道的MOSFET的結(jié)構(gòu),，并常用于200-3000伏的漏源電壓工作范圍。功率MOSFET 仍然是1至200 V漏源電壓的器件,。HEMT ( 高電子遷移率晶體管),，也稱為HFET(異質(zhì)結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)晶體管)，可以在諸如AlGaAs 的三元半導(dǎo)體中使用帶隙工程來(lái)制造,。完全耗盡的寬帶隙材料形成柵極和主體之間的絕緣,。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是它的柵極到主電流電阻高（≥100 MΩ）。蘇州雙極場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng),。珠海手動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理(以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例),，N溝道結(jié)構(gòu)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號(hào)，由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡,，故PN基本上是不導(dǎo)電的,，形成了所謂耗盡區(qū)，當(dāng)漏極電源電壓ED一定時(shí),，如果柵極電壓越負(fù),，PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚，則漏,、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄,，漏極電流ID就愈小,；反之,，如果柵極電壓沒有那么負(fù)，則溝道變寬,，ID變大,，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化，就是說(shuō),，場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件,。不同場(chǎng)效應(yīng)管其關(guān)斷電壓略有不同。也正因?yàn)槿绱耍沟迷撾娐凡粫?huì)因?yàn)閮晒芡瑫r(shí)導(dǎo)通而造成電源短路,。珠海手動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)

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