場效應(yīng)管電阻法測好壞:測電阻法是用萬用表測量場效應(yīng)管的源極與漏極,、柵極與源極,、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場效應(yīng)管手冊標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞,。具體方法：首先將萬用表置于R×10或R×100檔,，測量源極S與漏極D之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知,，各種不同型號的管,，其電阻值是各不相同的），如果測得阻值大于正常值,，可能是由于內(nèi)部接觸不良,；如果測得阻值是無窮大,，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬用表置于R×10k檔,，再測柵極G1與G2之間,、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值,，當(dāng)測得其各項電阻值均為無窮大,，則說明管是正常的；若測得上述各阻值太小或為通路,，則說明管是壞的,。要注意，若兩個柵極在管內(nèi)斷極,，可用元件代換法進(jìn)行檢測,。場效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)。寧波非絕緣型場效應(yīng)管生產(chǎn)

場效應(yīng)管的主要參數(shù)：① 開啟電壓VGS（th） （或VT）開啟電壓是MOS增強(qiáng)型管的參數(shù),，柵源電壓小于開啟電壓的好不要值,，場效應(yīng)管不能導(dǎo)通。② 夾斷電壓VGS（off） （或VP）夾斷電壓是耗盡型FET的參數(shù),，當(dāng)VGS=VGS（off） 時,，漏極電流為零。③ 飽和漏極電流IDSS耗盡型場效應(yīng)三極管,，當(dāng)VGS=0時所對應(yīng)的漏極電流,。④ 輸入電阻RGS場效應(yīng)三極管的柵源輸入電阻的典型值，對于結(jié)型場效應(yīng)三極管,，反偏時RGS約大于107Ω,，對于絕緣柵場型效應(yīng)三極管，RGS約是109～1015Ω,。中山P溝耗盡型場效應(yīng)管參數(shù)場效應(yīng)管場效應(yīng)管更好的熱穩(wěn)定性,，抗輻射性和較低噪聲 。

場效應(yīng)管的參數(shù):場效應(yīng)管的參數(shù)很多,，包括直流參數(shù),、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但一般使用時關(guān)注以下主要參數(shù)：1,、I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,，柵極電壓U GS=0時的漏源電流,。　2,、UP — 夾斷電壓,。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,，使漏源間剛截止時的柵極電壓?！?,、UT — 開啟電壓。是指增強(qiáng)型絕緣柵場效管中,，使漏源間剛導(dǎo)通時的柵極電壓,。4、gM — 跨導(dǎo),。是表示柵源電壓U GS — 對漏極電流I D的控制能力,，即漏極電流I D變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM 是衡量場效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù),。

場效應(yīng)管MOSFET運用：MOSFET普遍使用在模擬電路與數(shù)字電路中,，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢在于：首先驅(qū)動場效應(yīng)管應(yīng)用電路電路比較簡單,。MOSFET需要的驅(qū)動電流比 BJT則小得多,，而且通常可以直接由CMOS或者集電極開路TTL驅(qū)動電路驅(qū)動,；其次MOSFET的開關(guān)速度比較迅速,，能夠以較高的速度工作，因為沒有電荷存儲效應(yīng),；另外MOSFET沒有二次擊穿失效機(jī)理,，它在溫度越高時往往耐力越強(qiáng)，而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低,，還可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性 能,。MOSFET已經(jīng)得到了大量應(yīng)用，在消費電子,、工業(yè)產(chǎn)品,、機(jī)電設(shè)備、智能手機(jī)以及其他便攜式數(shù)碼電子產(chǎn)品中隨處可見,。場效應(yīng)管布局走線合理,，整機(jī)穩(wěn)定性高，信噪比佳,，音樂細(xì)節(jié)有很好表現(xiàn) ,。

用測電阻法判別無標(biāo)志的場效應(yīng)管：首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ,，余下兩個腳為點柵極G1和柵極G2,。把先用兩表筆測的源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻值記下來，對調(diào)表筆再測量一次,，把其測得電阻值記下來,，兩次測得阻值較大的一次,，黑表筆所接的電極為漏極Ｄ；紅表筆所接的為源極Ｓ,。用這種方法判別出來的Ｓ,、Ｄ極，還可以用估測其管的放大能力的方法進(jìn)行驗證,，即放大能力大的黑表筆所接的是Ｄ極,；紅表筆所接地是８極，兩種方法檢測結(jié)果均應(yīng)一樣,。當(dāng)確定了漏極Ｄ,、源極Ｓ的位置后，按Ｄ,、Ｓ的對應(yīng)位置裝人電路,，一般G1、G2也會依次對準(zhǔn)位置,，這就確定了兩個柵極G1,、G2的位置，從而就確定了Ｄ,、S,、G1、G2管腳的順序,。結(jié)型場效應(yīng)管的分類：結(jié)型場效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式,，它們是N溝道結(jié)型場效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場效應(yīng)管。廣州P溝增強(qiáng)型場效應(yīng)管特點

場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管,。寧波非絕緣型場效應(yīng)管生產(chǎn)

場效應(yīng)管判定柵極:用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極,，紅表筆分別碰觸另外兩個電極。若兩次測出的阻值都很大,，說明均是反向電阻,，該管屬于N溝道場效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極,。制造工藝決定了場效應(yīng)管的源極和漏極是對稱的,，可以互換使用，并不影響電路的正常工作,，所以不必加以區(qū)分,。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。注意不能用此法判定絕緣柵型場效應(yīng)管的柵極,。因為這種管子的輸入電阻極高,，柵源間的極間電容又很小，測量時只要有少量的電荷,，就可在極間電容上形成很高的電壓,，容易將管子損壞,。寧波非絕緣型場效應(yīng)管生產(chǎn)

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