場(chǎng)效應(yīng)管的類型：DEPFET 是在完全耗盡的襯底中形成的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,，同時(shí)充當(dāng)傳感器,、放大器和存儲(chǔ)器節(jié)點(diǎn)。它可以用作圖像(光子)傳感器,。FREDFET (快速反向或快速恢復(fù)外延二極管場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種用于提供非?？焖俚闹貑ⅲP(guān)閉）體二極管的特殊的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，HIGFET (異質(zhì)結(jié)構(gòu)絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管)現(xiàn)在主要用于研究MODFET(調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是使用通過在有源區(qū)分級(jí)摻雜形成的量子阱結(jié)構(gòu)的高電子遷移率晶體管,。TFET ( 隧道場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是以帶對(duì)帶隧道基的晶體管IGBT(IGBT高頻爐)是一種功率控制裝置,。它與類雙極的主導(dǎo)電溝道的MOSFET的結(jié)構(gòu)，并常用于200-3000伏的漏源電壓工作范圍,。功率MOSFET 仍然是1至200 V漏源電壓的器件,。HEMT ( 高電子遷移率晶體管)，也稱為HFET(異質(zhì)結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)晶體管),，可以在諸如AlGaAs 的三元半導(dǎo)體中使用帶隙工程來制造,。完全耗盡的寬帶隙材料形成柵極和主體之間的絕緣。場(chǎng)效應(yīng)管它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。具有輸入電阻高（107～1015Ω）,。手動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管作用

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng):為了安全使用場(chǎng)效應(yīng)管，在線路的設(shè)計(jì)中不能超過管的耗散功率,，較大漏源電壓,、較大柵源電壓和較大電流等參數(shù)的極限值。各類型場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí),，都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中,，要遵守場(chǎng)效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié),，N溝道管柵極不能加正偏壓,；P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓，等等,。MOS場(chǎng)效應(yīng)管由于輸入阻抗極高,，所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路,，要用金屬屏蔽包裝,，以防止外來感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿。尤其要注意,，不能將MOS場(chǎng)效應(yīng)管放入塑料盒子內(nèi),，保存時(shí)比較好放在金屬盒內(nèi)，同時(shí)也要注意管的防潮,。手動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管作用場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種三極管,，包括源極,、柵極和漏極。

場(chǎng)效應(yīng)管以N溝道為例,，它是在P型硅襯底上制成兩個(gè)高摻雜濃度的源擴(kuò)散區(qū)N+和漏擴(kuò)散區(qū)N+,，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內(nèi)部連通,，二者總保持等電位,。當(dāng)漏接電源正極，源極接電源負(fù)極并使VGS=0時(shí),，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高,，受柵極正電壓的吸引,，在兩個(gè)擴(kuò)散區(qū)之間就感應(yīng)出帶負(fù)電的少數(shù)載流子，形成從漏極到源極的N型溝道,，當(dāng)VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時(shí),，N溝道管開始導(dǎo)通，形成漏極電流ID,。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管既可以作為多數(shù)載流子器件（由多子導(dǎo)電）,，又可以作為少數(shù)載流子器件（由少子導(dǎo)電）。該器件由電荷載流子（電子或空穴）從源極流到漏極的有源溝道組成,。源極導(dǎo)體和漏極導(dǎo)體通過歐姆接觸聯(lián)結(jié),。溝道的電導(dǎo)率是柵源電壓的函數(shù)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)電極包括:源極(S),，載流子經(jīng)過源極進(jìn)入溝道,。通常，在源極處進(jìn)入通道的電流由IS表示,。漏極(D),，載流子通過漏極離開溝道。通常,，在漏極處進(jìn)入通道的電流由ID表示,。漏極與源極之間的電壓由VDS表示。柵極(G),，調(diào)制溝道電導(dǎo)率的電極,。通過向柵極施加電壓，可以控制ID,。場(chǎng)效應(yīng)管輸出為輸入的2次冪函數(shù),。

場(chǎng)效應(yīng)管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID,， 用柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓進(jìn)行控制”,。更正確地說,，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積,，它是由pn結(jié)反偏的變化,，產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域,，表示的過渡層的擴(kuò)展因?yàn)椴缓艽?，根?jù)漏極-源極間所加VDS的電場(chǎng)，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去,，即從漏極向源極有電流ID流動(dòng),。從門極向漏極擴(kuò)展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，ID飽和,。將這種狀態(tài)稱為夾斷,。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷,。場(chǎng)效應(yīng)管它靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電,，又稱單極型晶體管。常用場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)商

場(chǎng)效應(yīng)管當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱為耗盡型,。手動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管作用

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的溝道是摻雜n型半導(dǎo)體或p型半導(dǎo)體的結(jié)果,。在增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，漏極和源極可以摻雜與溝道相反的類型,，或者摻雜與耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管類似的類型,。場(chǎng)效應(yīng)晶體管也可由溝道和柵極之間的絕緣方法來區(qū)分。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的類型包括:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管)使用反向偏置的pn結(jié)將柵極與主體電極分開MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)將絕緣體(通常SiO2)置于漏極和主體電極之間,。MNOS 金屬-氮化物-氧化物-半導(dǎo)體晶體管將氮化物-氧化物層絕緣體置于柵極和主體電極之間,。DGMOSFET ( 雙柵極MOSFET )，一種具有兩個(gè)絕緣柵極的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,。手動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管作用

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